公开(公告)号：CN114773053A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210482586.4

申请日：2022-05-05

Applicant: 安徽工业大学 ,  安徽工程大学 ,  中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司

Inventor： 徐东 ,  蒋志 ,  李永涛 ,  刘娟 ,  程亚芳 ,  左如忠 ,  钟素娟 ,  郝庆乐

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及介电陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的制备方法，闪烧法制备了Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷。在快速烧结时，试样置于管式炉中，试样两端连接直流电源提供电场，以10℃/min的加热速率加热，当样品温度达到1200℃时，保持5min后施加550V/cm的电场，初始预设电流为1.0A，当施加电场时，电流每3min增加0.1A直到达到限制电流1.5A，然后关闭直流电源，将样品冷却至室温得到这种Al/Ga/In+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷。这种制备方法不仅对进一步研究共掺杂TiO2巨介电陶瓷材料具有重要意义，而且为其他先进功能陶瓷的制备提供了参考。

公开(公告)号：CN114685157A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210482575.6

申请日：2022-05-05

Applicant: 安徽工业大学 ,  安徽工程大学 ,  中机智能装备创新研究院(宁波)有限公司

Inventor： 徐东 ,  蒋志 ,  李永涛 ,  李家茂 ,  王梦凡 ,  左如忠 ,  李宇佳 ,  赵丹 ,  孙志鹏

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明涉及介电陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用，采用闪烧法制备组成为(Zn1/3Ta2/3)0.05Ti0.95O2(ZTTO)的TiO2基巨介电陶瓷，利用XRD、SEM和XPS对Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的微观结构、电学性能、快速致密化理论和巨介常数来源进行了综合研究，在不同电场强度下，焦耳热和高加热速率实现样品快速致密，细化了材料的微观结构，优化了材料的介电性能，当电场为200V/cm时，获得了巨介电常数(ε′～1.32×104)和较低的介电损耗(tanδ～0.27)，炉温降低了25％，烧结时间缩短了90％以上，巨介电常数可能源于电子钉扎缺陷偶极子极化和麦克斯韦‑瓦格纳弛豫型界面极化，这为TiO2基巨介电陶瓷的制备开辟了途径。