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公开(公告)号：CN118324138A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410459981.X
申请日：2024-04-17
申请人： 上海工程技术大学
IPC分类号： C01B32/977 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种二维层状碳化硅半导体材料及其制备方法，属于半导体材料技术领域。制备方法包括：硅源与金属碳化物按比例加入容器中，加入有机溶剂进行超声反应，反应产物依次离心、酸洗、去离子水洗、乙醇洗和干燥，得到二维层状碳化硅半导体材料；硅源选自原硅酸四乙酯、硅酸、原硅酸、甲基硅酸、二硅酸、硅酸钠、乙基硅烷等，金属碳化物选自碱金属炔化物、碱土金属炔化物或过渡金属碳化物等，有机溶剂选自无水乙醇、异丙醇、乙二醇等，所得碳化硅呈现二维层状结构和6H‑SiC晶型，方法简单，成本低，同时避免使用过高温度，也避免危险原料的使用以及副产物的产生。
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公开(公告)号：CN118306981A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310020661.X
申请日：2023-01-06
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C01B32/184 , H01Q17/00 , C01B32/194 , C01B32/977 , C01B21/064 , B01J13/00 , B33Y10/00 , B33Y70/00
摘要： 本发明涉及一种具有多级孔结构的吸波复合材料及其制备方法。所述具有多级孔结构的吸波复合材料的制备方法包括：将氧化石墨烯、四氧化三铁、硝酸镍在溶剂中混合得到复合打印浆料，然后将所述复合打印浆料通过3D打印得到复合水凝胶结构；经冷冻干燥、真空干燥得到复合气凝胶；然后，利用化学气相沉积在所述复合气凝胶中分别先后原位引入氮化硼界面和碳化硅纳米线，得到所述具有多级孔结构的吸波复合材料。
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公开(公告)号：CN113072072B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110332426.7
申请日：2015-09-24
申请人： 帕里杜斯有限公司
发明人： 阿希什·P.·迪万吉 , 安德鲁·R.·霍普金斯 , 沃尔特·J.·舍伍德 , 道格拉斯·M.·杜克斯 , 格伦·桑德格林 , 马克·S.·兰德 , 布雷恩·L.·伯纳克
IPC分类号： C01B32/977 , C01B33/021 , C01B33/037 , C30B29/36
摘要： 有机硅化学、聚合物衍生的陶瓷材料和方法。用于制备具有3个9、4个9、6个9或更高纯度的聚硅氧碳(SiOC)和碳化硅(SiC)材料的材料和方法。使用所述高纯度SiOC和SiC的方法和制品。
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公开(公告)号：CN118239490A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410329027.9
申请日：2024-03-21
申请人： 广东电网有限责任公司 , 广东电网有限责任公司珠海供电局
IPC分类号： C01B32/956 , B01F33/83 , B01F33/80 , B01F23/80 , C01B32/977 , C01B33/00 , C01B33/021
摘要： 本发明公开了一种硅基杂化材料的制备方法、装置和程序产品。其中，该方法包括：获取有机硅材料、碳化硅球和有机溶剂；分别对有机硅材料、碳化硅球和有机溶剂进行球磨；将球磨后的有机硅材料、球磨后的碳化硅球和球磨后的有机溶剂进行混合，得到混合料浆；对混合料浆进行干燥处理，得到有机硅前驱体；控制非空气气氛，对有机硅前驱体进行热处理，得到硅基杂化材料。本发明解决了制备硅基杂化材料的效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN117769609A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202380012247.2
申请日：2023-05-15
申请人： 东海炭素株式会社
IPC分类号： C23C16/42 , C01B32/977
摘要： 本发明提供一种低电阻率、其厚度方向的电阻率的偏差小的多晶SiC成型体及其制造方法。多晶SiC成型体的电阻率为0.050Ωcm以下，当将拉曼光谱中的波数950～970cm‑1范围内的峰值强度设为“A”，将拉曼光谱中的波数780～800cm‑1范围内的峰值强度设为“B”时，峰值强度比率(A/B)的平均值为0.040以下，生长面侧的峰值强度比率的平均值与基材面侧的峰值强度比率的平均值之差为0.040以下。
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公开(公告)号：CN114348976B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111631166.X
申请日：2021-12-29
申请人： 复旦大学
IPC分类号： C01B21/068 , C01B21/082 , C01B32/05 , C01B32/977 , C01B33/021
摘要： 本发明公开了一种不对称中空多孔复合材料的制备方法，利用聚苯乙烯球作为基底，加入有机硅前驱体、稳定剂、引发剂、催化剂，反应得到不对称结构有机硅‑聚苯乙烯纳米颗粒；再以盐酸多巴胺为前驱体在三羟甲基氨基甲烷盐酸盐溶液中包覆有机硅‑聚苯乙烯纳米颗粒得到不对称复合材料，进一步通过在惰性气体环境下高温煅烧，得到不对称中空多孔复合材料。该方法步骤简单，可实现规模化生产。本发明为设计、制备对称中空多孔复合材料提供一种新颖的思路。
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公开(公告)号：CN114735678B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210252452.3
申请日：2022-03-15
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： C01B32/184 , C01B32/977 , G01L1/20
摘要： 本发明公开了一种石墨烯/SiC复合材料的制备方法，包括以下步骤：1)将纤维材料进行预氧化，得到无定形碳材料；2)将无定形碳材料嵌入柔性基体材料中，得到嵌入有无定形碳材料的基体材料；3)将嵌入有无定形碳材料的基体材料进行激光诱导，得到所述石墨烯/SiC复合材料。本发明通过激光诱导技术，将预氧化的纤维材料直接诱导形成石墨烯结构，并且通过控制预氧化的纤维材料嵌入柔性基体材料的深度，从而控制所制备石墨烯/SiC复合材料的成型质量及柔性基体材料的力学性能。该石墨烯/SiC复合材料的制备方法可广泛应用于制造传感器或生物信号检测装置中。
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公开(公告)号：CN116692867A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310550372.0
申请日：2023-05-16
申请人： 深圳市宝硼新材料科技有限公司
IPC分类号： C01B32/963 , C01B32/977 , C01B32/984
摘要： 本发明涉及一种膨胀碳化硅的制备方法，包括步骤：S1、将碳模板添加至硅粉和含硅化合的混合液中，得到混合体系；混合均匀后去除所述混合介质得到含硅粉、含硅化合物以及碳模板的干燥混合物；所述碳模板为经过表面处理的碳模板；S2、将步骤S1所得干燥混合物置于保护气氛中进行反应1‑10h，得到含有碳化硅的粗制产品；然后从所述粗制产品中去除碳模板，得到膨胀碳化硅。本发明所述膨胀碳化硅的制备方法，将膨胀石墨的制备方法转用到制备具有膨胀形貌的碳化硅中，并得到了具有膨胀形貌的、纯度较好的膨胀碳化硅；制得的膨胀碳化硅具有疏松多孔的膨胀结构，有利于提升反应速率，并且能够用于制备片状碳化硅，拓展其在电子等领域的应用。
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公开(公告)号：CN114132929B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202010922410.7
申请日：2020-09-04
申请人： 比亚迪股份有限公司 , 比亚迪汽车工业有限公司
IPC分类号： C01B32/977 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及一种碳化硅粉的制备方法及碳化硅粉。该制备方法包括：S1、将原料进行发泡固化，得到发泡硅胶，其中，原料包括有机硅化合物，及发泡剂；S2、将所述发泡硅胶置于坩埚中，在真空条件或惰性气体下，进行加热分解、合成反应，得到碳化硅粉。通过先将原料发泡固化，得到分散均匀的硅源和碳源，在坩埚的固定空间中，硅源和碳源分散均匀，密度低，有利于合成纳米级和粒度分布均匀的碳化硅粉末，且碳化硅粉纯度高。
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公开(公告)号：CN116288759A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211089639.2
申请日：2022-09-07
申请人： 浙江理工大学
摘要： 本发明公开了一种SiOC前驱体纤维的气流喷吹装置及SiC纳米纤维的制备方法。装置包括：(1)气流喷射装置，包括进气口、喷气口，针头通孔；(2)进液装置，集液槽配置压缩气体和注射针头，插入到气流喷射装置中；(3)基于热气流加热的纤维收集装置。制备方法包括：首先配置具有一定黏度的纺丝液，然后借由压缩气体的推动，在针尖流出，在针尖高速气流的作用下，细液滴经牵伸，喷出为纤维状细流，喷射进入纤维收集装置，在向上热气流的作用下，溶剂挥发、凝固并向上集聚得到聚合物/SiO2复合纤维，然后经高温裂解得到SiOC前驱体纤维，最后经高温碳热还原法原位生长得到SiC纳米纤维。
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