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公开(公告)号：CN108706971B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810670093.7
申请日：2018-06-26
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：Bi0.53Na0.5TiO3+0.05wt%LiVO3+0.1wt%MnO2。用微波快速烧结结合快速水冷制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变记忆特性，最大压电应变记忆效应ΔS=0.46%，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107151138B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201710301046.0
申请日：2017-05-02
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B41/88 , C04B41/80 , H01L41/187
摘要： 本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法，配方为：0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu，通过加入Bi2WO6，促进烧结，获得致密，晶粒均匀的陶瓷材料，结合化学包覆法，在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面，采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒，合成时形成梯度分级结构，抑制Sn的变价，即克服了该体系漏电流大的问题，也同时提高压电性能，降低介电损耗，解决了该体系绝缘性差，难以极化等难题。该陶瓷材料具有超高压电性能，同时具有超低介电损耗，环境友好型、稳定性好。
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公开(公告)号：CN108558391A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810668020.4
申请日：2018-06-26
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B41/88
CPC分类号： C04B35/4682 , C04B35/622 , C04B35/62842 , C04B35/62886 , C04B35/62894 , C04B41/5116 , C04B41/88 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3241 , C04B2235/3293 , C04B2235/656 , C04B2235/667 , C04B2235/96
摘要： 本发明公开了一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，材料组成为：Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3+0.05wt%Co+0.05wt%Cu。其中Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3通过固相合成法，Co与Cu分别以沉淀的形式在表面二次包覆形成，通过烧结技术产生特殊的分级次梯度结构，产生巨压电效应，这些性能目前超过了所有报道的无铅压电陶瓷。产品经实验测量，具有非常优异的压电性能，准静态压电常数d33=1820pC/N，压电应变常数 =2032pm/V，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107032786A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710330694.9
申请日：2017-05-11
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种同时具有高压电性能与高机械品质因数的低烧无铅压电陶瓷，其特征在于，组成通式为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)1‑2y(LiAl0.5Y0.5)yTiO3‑ xBa(Ti0.9Mn0.1)O3+z(0.6BiVO4‑0.4CuO)来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0
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公开(公告)号：CN104649660B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201510103955.4
申请日：2015-03-10
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01B3/12 , C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/64 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种铁酸铋基高温压电与高储能密度无铅介电陶瓷材料，成分以通式(1‑u)BiFe1‑xMexO3–uBaTi1‑ y(Zn1/3Nb2/3)yO3来表示，其中Me为三价金属元素Al、Ga、Y、Sc、Cr、Co中的一种或两种，x、y、u表示摩尔分数，0.01≤x≤0.4，0.01≤y≤0.3，0.1≤u≤0.5。本发明采用分步合成结合微波烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达0.90J/cm3，压电常数d33可达236pm/V、应变可达0.19%，居里温度可达452oC，应变滞后小，实用性好。
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公开(公告)号：CN104891986A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510245228.1
申请日：2015-05-14
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/462 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中，Me为Al3+、Co3+、Cr3+、(Zn0.5Ti0.5)3+、(Mg0.5Ti0.5)3+、(Ni0.5Ti0.5)3+中的一种，且0.1≤x≤0.3。先采用传统粉体合成技术合成Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3粉体，然后采用两步烧结技术制备Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备的高储能密度陶瓷电容器的储能密度为0.7~1.8？J/cm3，储能密度大小基于成分和工艺可调。
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公开(公告)号：CN104649660A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510103955.4
申请日：2015-03-10
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/64 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种铁酸铋基高温压电与高储能密度无铅介电陶瓷材料，成分以通式(1-u)BiFe1-xMexO3–uBaTi1- yZn1/3Nb2/3)yO3来表示，其中Me为三价金属元素Al、Ga、Y、Sc、Cr、Co中的一种或两种，x、y、u表示摩尔分数，0.01≤x≤0.4，0.01≤y≤0.3，0.1≤u≤0.5。本发明采用分步合成结合微波烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达0.90J/cm3，压电常数d33可达236pm/V、应变可达0.19%，居里温度可达452oC，应变滞后小，实用性好。
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公开(公告)号：CN109013814B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811078960.4
申请日：2018-09-17
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 一种波形片成形过程中横向抑制回弹装置，包括抑制回弹辅助装置、轨道传送装置、核心冲压装置和上位机，在常规的冲压工艺结束后，增加了一项横向抑制回弹工骤，通过第一动力机构驱动螺杆转动，螺杆转动驱动滑动座滑动，从而驱动第一定位销向第二定位销靠拢，在上位机和测距模块的控制下，精确控制进给量，通过第一定位销与第二定位销对成型后的波形片的子片的两装配孔施加压力，从而驱动波形片上两个装配孔靠近，配合挤压板模块对波形片的子片进行二次挤压，最终实现抑制波形片回弹的目的。
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公开(公告)号：CN107140968B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201710330695.3
申请日：2017-05-11
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/40 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626 , C04B41/88
摘要： 一种高温无铅压电陶瓷，其特征在于组成通式为：(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4；其中x表示摩尔分数，0.05
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