公开(公告)号：CN110877978B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201911336342.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈泽星 ,  蒙柳方 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1‑x)/2：(1‑x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。

公开(公告)号：CN110128128B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201910582276.8

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙媛媛 ,  杨华斌 ,  刘笑 ,  江民红 ,  陈巧红 ,  张秀云 ,  黄蔚然

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种具有零温度系数及高温稳定性的铁酸铋‑铝酸铋‑锌钛酸铋高温压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBi1.05FeO3‑yBiAlO3+zBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tP+mMnCO3，其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、CuO、Li2CO3中的一种或多种烧结助剂的组合；x、y、z、t、m表示摩尔分数，且0.50≤x≤0.80,0

公开(公告)号：CN110128127A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910582275.3

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙媛媛 ,  杨华斌 ,  黄蔚然 ,  陈巧红 ,  江民红 ,  刘笑 ,  张秀云

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种具有高压电性能及高温稳定性的铁酸铋-钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBiFeO3-yBaTiO3+uBi(Ti0.5Zn0.5)O3+mP+tMnCO2，其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、Ba(Cu1/3Nb2/3)O3、B2O3、Li2CO3、V2O5中的一种或多种烧结助剂的组合；x、y、u、m、t表示摩尔分数，且0.65≤x≤0.85,0.15≤y≤0.35,0.05

公开(公告)号：CN104891986A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510245228.1

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  刘笑 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中，Me为Al3+、Co3+、Cr3+、(Zn0.5Ti0.5)3+、(Mg0.5Ti0.5)3+、(Ni0.5Ti0.5)3+中的一种，且0.1≤x≤0.3。先采用传统粉体合成技术合成Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3粉体，然后采用两步烧结技术制备Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备的高储能密度陶瓷电容器的储能密度为0.7~1.8？J/cm3，储能密度大小基于成分和工艺可调。

公开(公告)号：CN110128127B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201910582275.3

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙媛媛 ,  杨华斌 ,  黄蔚然 ,  陈巧红 ,  江民红 ,  刘笑 ,  张秀云

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种具有高压电性能及高温稳定性的铁酸铋‑钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBiFeO3‑yBaTiO3+uBi(Ti0.5Zn0.5)O3+mP+tMnCO2，其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、Ba(Cu1/3Nb2/3)O3、B2O3、Li2CO3、V2O5中的一种或多种烧结助剂的组合；x、y、u、m、t表示摩尔分数，且0.65≤x≤0.85,0.15≤y≤0.35,0.05

公开(公告)号：CN110937886A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201911336343.4

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  韩飞 ,  刘笑 ,  刘飞 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/26

Abstract: 本发明公开了一种具有光伏效应的K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：K1-xLnxNb1-xFexO3，其中Ln为Ba、Sr、Mg、Zn中的一种，0.01≤x≤0.2；该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(0.5-0.5x)：(0.5-0.5x)：0.5x：x的摩尔比例称取高纯度的K2CO3、Nb2O5、Fe2O、LnO/LnCO3粉体原料，将原料混合均匀，于在高能球磨机中充分球磨，取出烘干，过筛，再煅烧合成K1-xLnxNb1-xFexO3粉体；2）将K1-xLnxNb1-xFexO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体置于马弗炉中，经过600℃保温2h排除PVA，再高温烧结，冷却至室温后，制得K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷。K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷具有优良的宏观铁电特征、低的光学带隙和稀磁特性，且具有显著光伏效应的稀磁铁电半导体特征的功能。

公开(公告)号：CN110877978A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201911336342.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈泽星 ,  蒙柳方 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1-x)/2：(1-x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。

公开(公告)号：CN110272270B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201910582277.2

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  刘笑 ,  黄蔚然 ,  孙媛媛 ,  陈巧红 ,  江民红 ,  张秀云

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187 ,  H01L41/257 ,  H01L41/29 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明公开了一种具有低介电损耗及高温稳定性的铁酸铋‑钛酸钡基高温无铅压电陶瓷及其制备方法，其配方组成通式为(Bi1‑wMw)(Fe1‑tMe'''t)O3‑xBaTiO3+yBi(Me'0.5Me''0.5)O3+zBi(Zn0.5Ti0.5)O3+uNdCoO3+mP+nMnCO3，其中x、y、z、u、m、n、t、w表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN110128126B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201910582274.9

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 黄蔚然 ,  杨华斌 ,  刘笑 ,  张秀云 ,  孙媛媛 ,  陈巧红

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸钡‑锌钛酸铋‑铝酸铋高温无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBiFeO3‑yBaTiO3‑zBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tBiAlO3+mP+nMnCO3+2.5％Bi2O3，其中x、y、z、t、m，n表示摩尔分数，且0.6≤x≤0.8,0.15≤y≤0.3,0.05≤z≤0.15,0

公开(公告)号：CN110272270A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910582277.2

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  刘笑 ,  黄蔚然 ,  孙媛媛 ,  陈巧红 ,  江民红 ,  张秀云

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187 ,  H01L41/257 ,  H01L41/29 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明公开了一种具有低介电损耗及高温稳定性的铁酸铋-钛酸钡基高温无铅压电陶瓷及其制备方法，其配方组成通式为(Bi1-wMw)(Fe1-tMe'''t)O3-xBaTiO3+yBi(Me'0.5Me''0.5)O3+zBi(Zn0.5Ti0.5)O3+uNdCoO3+mP+nMnCO3，其中x、y、z、u、m、n、t、w表示摩尔分数，0