公开(公告)号：CN119505871A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411659993.3

申请日：2024-11-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 于宏宝 ,  张燕妮 ,  于红艳 ,  周宇君 ,  程帅 ,  王亚珍 ,  赵景泰 ,  饶光辉 ,  赵晓芳

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/67

Abstract: 本发明提供了一种橙红色的铌酸钠‑钛酸钙应力发光材料及其制备方法，该材料由荧光粉和树脂混合物组成，所述荧光粉的化学式为：Na0.985‑xCaxPr0.005Nb1‑xTixO3，x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.09。其制备方法为：1)将Na2CO3、Pr6O11、CaCO3、TiO2、Nb2O5为原料按照化学式进行配料，球磨，干燥，第一次烧制，第一次研磨，第二次烧制，第二次研磨，即得荧光粉；2)将环氧树脂与脂环胺按配比混匀，得到树脂混合物；3)将荧光粉和将树脂混合物，静置，烘干，脱模，即得应力发光材料。本发明制得的应力发光材料发光性能优良。

公开(公告)号：CN119350024A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411487645.2

申请日：2024-10-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  宋健纬 ,  李林 ,  程帅 ,  饶光辉

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种钽铌铋酸钾锂储能陶瓷及其制备方法和应用，属于储能陶瓷领域，其化学组成通式为(K1‑xLix)[(Ta0.63Nb0.37)1‑xBix]O3，其中0＜x≤0.01。本发明通过加入Bi5+(Bi3+)、Li+使其获得较高的储能密度以及储能效率。本发明通过固溶置换、离子掺杂的手段，可以在提高其击穿场强的同时获得较大的饱和极化强度和较小的剩余极化强度，从而提高其储能性能。

公开(公告)号：CN115093212B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202210912503.0

申请日：2022-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 程帅 ,  王鑫 ,  杨华斌 ,  关士博 ,  王雪婷

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种使用温度超过300℃的高性能铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其低温液相烧结制备方法，其组成通式为：(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3+1.0mol％MnCO3+x[Bi0.5(NatLi0.5‑t)]TiO3+yB2O3，其中u、x、y和t表示摩尔分数，[Bi0.5(NatLi0.5‑t)]TiO3及B2O3为烧结助剂，且0.25≤u≤0.40，0＜x≤0.01，0＜y≤0.05，0≤t≤0.5。本发明利用具有低容忍因子的[Bi0.5(NatLi1‑t)]TiO3，在降低(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3陶瓷烧结温度的同时，又提高了该陶瓷的高温压电性能和高温稳定性，获得了在高温下具有优异压电性能的无铅压电陶瓷，使用温度超过300℃，在T＞300℃时，其压电性能可达400pC/N以上，最高原位退极化温度点达到360℃，相比于现有压电陶瓷，高温压电性能得到了大幅提升。

公开(公告)号：CN118127633A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410349050.4

申请日：2024-03-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  曾雨娇 ,  饶光辉 ,  李林 ,  程帅

IPC: C30B29/30 ,  C30B1/10

Abstract: 本发明公开了一种宽温区压电性能稳定的铌酸钾钠基单晶，以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Al2O3、Bi2O3和Li2CO3为原料，采用无籽固相晶体生长法，经一次细化球磨、预烧、二次细化球磨和烧结，即可制备Li2O掺杂的铌酸钾钠基单晶；只存在K0.5Na0.5NbO3相，没有杂相；由单晶区和陶瓷区组成，单晶区为单一的致密结构，表面有略微的突起和起伏；晶坯比为38.2％。其制备方法包括以下步骤：1，原料的一次细化球磨；2，一次球磨料的预烧；3，一次预烧料的二次细化球磨；4，二次球磨料的烧结。作为压电材料的应用，其特征在于：所述铌酸钾钠基单晶的压电常数d33为377pC/N，四方相温度范围为138‑423℃。

公开(公告)号：CN115229144B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210935793.0

申请日：2022-08-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马垒 ,  朱伟豪 ,  饶光辉 ,  何木芬 ,  袁昌来 ,  王治群 ,  程帅 ,  赵景泰

IPC: B22D11/06 ,  C22C1/02 ,  C22C28/00 ,  H01F1/01 ,  H01F1/147 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种TbDyHoEr薄带及其制备方法和应用，涉及磁性功能材料技术领域。本发明提供的TbDyHoEr薄带的制备方法，包括以下步骤：将Tb、Dy、Ho和Er混合，进行熔炼，得到合金铸锭；将所述合金铸锭进行加热，得到液态合金；将所述液态合金进行甩带处理，得到TbDyHoEr薄带。本发明制备的TbDyHoEr薄带具有极宽工作温度区间，制冷能力优异。

公开(公告)号：CN115093212A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210912503.0

申请日：2022-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 程帅 ,  王鑫 ,  杨华斌 ,  关士博 ,  王雪婷

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种使用温度超过300℃的高性能铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其低温液相烧结制备方法，其组成通式为：(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3+1.0mol％MnCO3+x[Bi0.5(NatLi0.5‑t)]TiO3+yB2O3，其中u、x、y和t表示摩尔分数，[Bi0.5(NatLi0.5‑t)]TiO3及B2O3为烧结助剂，且0.25≤u≤0.40，0＜x≤0.01，0＜y≤0.05，0≤t≤0.5。本发明利用具有低容忍因子的[Bi0.5(NatLi1‑t)]TiO3，在降低(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3陶瓷烧结温度的同时，又提高了该陶瓷的高温压电性能和高温稳定性，获得了在高温下具有优异压电性能的无铅压电陶瓷，使用温度超过300℃，在T＞300℃时，其压电性能可达400pC/N以上，最高原位退极化温度点达到360℃，相比于现有压电陶瓷，高温压电性能得到了大幅提升。

公开(公告)号：CN110877978B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201911336342.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈泽星 ,  蒙柳方 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1‑x)/2：(1‑x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。

公开(公告)号：CN119698225A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411765600.7

申请日：2024-12-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎淸宁 ,  袁昌来 ,  程帅 ,  许积文 ,  饶光辉

IPC: H10N30/097 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/80 ,  H10N30/853 ,  H10N30/50 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种一体化非对称三明治结构无铅压电陶瓷及其制备方法，本发明制备的一体化非对称三明治结构无铅压电陶瓷材料为1‑3复合、0‑3复合及2‑2层状复合的多种复合结构非对称三明治结构，这种复合结构同时产生界面扩散梯度组成与梯度结构，有效提高力学性能和压电性能及温度稳定性。产品经实验测量，同时具有非常优异的断裂韧性，压电性能及宽温区稳定性，断裂韧性KIC＝4.1MPa·m1/2，压电常数d33＝206pC/N，在25‑262℃的温度范围内△d33/d33低于10％，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产，从而解决了现有的陶瓷材料力学性能和压电性能不能兼顾，温度稳定性较差的问题。

公开(公告)号：CN119505900A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411659992.9

申请日：2024-11-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 于宏宝 ,  耿雪莹 ,  于红艳 ,  程帅 ,  陆绍宁 ,  韩缙 ,  赵景泰 ,  饶光辉 ,  赵晓芳

IPC: C09K11/67

Abstract: 本发明提供了一种基于镨掺杂铌酸钠‑钛酸钡应力发光材料，该材料由荧光粉和高分子材料组成，所述荧光粉的化学式为：Na0.991‑xBaxPr0.003Nb1‑xTixO3，x表示摩尔分数，0.005≤x≤0.02。其制备方法为：1)将Na2CO3、BaCO3，Pr6O11、TiO2、Nb2O5按照化学式进行配料，球磨，干燥，第一次烧制，第一次研磨，第二次烧制，第二次研磨，即得荧光粉；2)将环氧树脂与聚醚胺混匀，得到高分子材料；3)往模具中依次倒入配方量的荧光粉和高分子材料，静置，烘干，脱模，即得应力发光材料。本发明制得的应力发光材料发光性能优良。

公开(公告)号：CN119430915A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411646776.0

申请日：2024-11-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎淸宁 ,  袁昌来 ,  程帅 ,  许积文 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C04B35/80

Abstract: 本发明涉及无铅压电陶瓷材料技术领域，具体涉及一种具有汉堡结构的无铅压电陶瓷及其制备方法，包括下层、中层和上层，上层和下层的组成是1‑3复合型0.82(Bi0.5Na0.5)0.85Ba0.15TiO3/0.28CBN纤维，中层为(Bi0.5Na0.5)0.93Ba0.07TiO3陶瓷；结合外加陶瓷块施加重力辅助烧结制备，形成0‑3复合及2‑2层状复合的汉堡结构，同时产生界面扩散梯度组成与梯度结构。产品经实验测量，同时具有非常优异的功能特性、热稳定性和力学性能，压电常数可达d33＝220pC/N，退极化温度Td＝275℃，维氏硬度HV＝9.85GPa，断裂韧性KIC＝4.5MPa·m1/2，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。