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公开(公告)号：CN119698216A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411795528.2
申请日：2024-12-09
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林传感材料科技有限公司
IPC: H10N10/01 , H10N10/852 , C01B19/00
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，公开了一种掺Se的Zintl相热电材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、首先将Ba锭进行熔炼；S2、按照比例1：2：1.96：0.04，称取Ba锭、Cu条、Te块和Se粉的，放入反应容器中；S3、进行固相反应；S4、取样，研磨，得到细腻的粉末；S6、将粉末放入坩埚中，再放入玻璃管中；S7、放入马弗炉中进行退火；S8、取样，研磨，得到细腻的黑色粉末，将粉末烧结成固体，得到BaCu2Te1.96Se0.04；本发明通过在热电材料BaCu2Te2材料的Te位掺杂Se元素，提升材料的功率因子，进一步降低材料的热导率，从而优化材料的热电性能，增加热电转换效率。
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公开(公告)号：CN118572306A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410623996.5
申请日：2024-05-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M50/449 , H01M50/417 , H01M50/414 , H01M50/403 , H01M50/497 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种卟啉聚合物改性隔膜及其制备方法和应用，包括PP隔膜，所述PP隔膜表面涂覆有PTCLPPCo复合材料，具体是将PTCLPPCo分散在溶剂中，并在真空下干燥24小时获得功能性PTCLPPCo隔膜，所述PTCLPPCo复合材料是由四对氯苯基卟啉钴通过福克烷基化反应得到的聚合物，本发明公开的卟啉聚合物改性隔膜及其制备方法和应用具有通过利用含有金属离子的超高交联度卟啉聚合物改性隔膜，大程度优化隔膜性能的效果。
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公开(公告)号：CN116574505B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202310464322.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种镓酸盐弹性应力发光材料的制备方法，涉及应力发光材料技术领域，其技术方案要点是：使用SrCO3(99.95％)、CaCO3(99.99％)、Ga2O3(99.99％)和Tb4O7(99.99％)为原料通过高温固相法制备绿色荧光粉。所得样品的x射线衍射峰强且十分尖锐，表明样品有良好的结晶度。本发明公开的发光材料性能优异，在紫外激发下，产生特征绿色发射，并且具有优异的长余辉和应力发光性能。无毒无害，制备简单，在空气中烧结即可获得；样品稳定性好，不易潮解，制备两个月后仍然为纯相；原料价格低廉，可规模化批量生产。在照明显示、信息防伪、可视化力学传感、结构监测以及遗传学检测等领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117534961A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311234850.3
申请日：2023-09-22
IPC: C08L83/04 , C08L63/00 , C08K9/00 , C08K3/22 , C08K3/08 , G21K4/00 , B01F21/10 , B01J19/00 , G01T1/202
Abstract: 本发明提供了一种ZnO：Sc微米晶及其聚合物闪烁屏的制备方法和应用，属于辐射探测与成像技术领域技术领域，它解决了现有技术中制备闪烁屏的过程复杂、成本高昂、制备周期长等技术问题。本发明利用水热反应法制备ZnO：Sc微米晶，通过添加聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone，PVP)控制ZnO：Sc形态，首次制备出呈双层饼状的ZnO：Sc微米晶，然后将制备的微米晶与PDMS或RTV复合制备成ZnO：Sc大尺寸聚合物柔性闪烁屏，或者与EP复合成超厚硬性闪烁屏，不仅可降低ZnO：Sc自身的自吸收问题提高发光效率，而且可以制备成任意形状与尺寸。ZnO：Sc聚合物闪烁转换屏不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短，而且具有良好的闪烁发光性能以及制备出大尺寸和超厚的闪烁转换屏的优势。
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公开(公告)号：CN116554866A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310462095.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种红色应力发光荧光粉及其制备方法，涉及无机发光材料技术领域，其技术要点为：所述稀土离子Sm3+掺杂Ca5Ga6O14红色应力发光荧光粉的化学表达式为Ca5‑xGa6O14:xSm3+，其中0.01≤x≤0.09。本发明还公开了红色应力发光荧光粉的制备方法，包括以下几个步骤：按各元素Ca:Ga:Sm的摩尔比称取原料，将称取原料放入玛瑙研钵中并加入适量的无水乙醇进行研磨，混合均匀后放入刚玉坩埚在马弗炉中进行煅烧，冷却到室温后再次进行研磨粉碎，即可得到上述应力发光荧光粉。本发明制备的应力发光荧光粉化学稳定性好，成本低廉，在不同机械刺激下都能在黑暗环境下观察到发光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115636434A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211192295.8
申请日：2022-09-28
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林传感材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备无铅钙钛矿像素化闪烁薄膜的方法，采用反溶剂法制备了一维无铅CsCu2I3粉末，研究了其形貌粒径以及发光性能，该粉末在330nm紫外激发下发射强烈的黄光，斯托克斯位移大(245nm)，无自吸收；为克服已有铅基薄膜技术的不足，采用模板辅助法和负压填充法制备了可控尺寸的像素化CsCu2I3柔性可弯曲闪烁薄膜，此薄膜可以避免闪烁光的横向色散，提高闪烁屏的空间分辨率。例如，将0.5‑3微米尺寸的粉末填充到40μm的PDMS模板中，获得像素化闪烁薄膜，此薄膜无毒且制备工艺简单，可用于高能X射线探测及成像。本发明相关研究内容为高能X射线探测领域提供了一种新的粉末闪烁材料制备像素化闪烁屏的设计，对其制备和性能研究具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN115240941A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210929600.0
申请日：2022-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种零场冷室温交换偏置永磁材料，由两种稀土元素Pr和Gd，以及Co元素组成，先经过熔炼得到铸态Pr‑Gd‑Co化合物，再经甩带处理得到Pr‑Gd‑Co薄带，即零场冷室温交换偏置永磁材料；原子配比满足1:3，化学式为Pr1‑xGdxCo3，x的取值范围为0.2≤x≤0.8；居里温度的范围为‑400 K‑550 K之间；相结构为菱方相的PuNi3型的晶体结构。其制备方法包括：1，铸态Pr‑Gd‑Co化合物的制备；2，零场冷室温交换偏置永磁材料的制备。作为永磁材料的应用，在室温条件下，当外磁场为2 T时，矫顽力为1.37‑12.88 kOe；交换偏置场为0.2‑5.38 kOe；在10 K条件下，当外磁场为5 T时，矫顽力为16.47‑36.23 kOe；交换偏置场为2.73‑14.92 kOe。本发明的优点为，具有矫顽力大，零场冷条件下交换偏置场强，温度稳定性好，工艺简单的特点。
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公开(公告)号：CN111778425A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010637783.X
申请日：2020-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单相铑基合金磁制冷材料，化合物通式为R3Rh2，其中R为稀土元素Ho或Er元素中的任意一种，其成分为单相；所述单相为Y3Rh2型的晶体结构。其制备方法包括以下步骤：1）铑基合金磁制冷合金锭的熔炼；2）铑基磁制冷材料的退火处理。作为磁制冷材料的应用，为二级相变材料，不存在热滞；磁熵变值在0-5 T磁场下的范围为14-20 J kg-1K-1，制冷量为达380-390 J/kg。本发明具有以下优点：单相性好；是单一的二级相变材料，且磁转变温度附近只发生磁结构转变，不存在热滞；是非常理想的低温区磁制冷材料；并且工艺简单，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111719076A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010698014.0
申请日：2020-07-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种GdTbHoEr高饱和磁化强度材料，以Gd、Tb、Ho和Er为原料，经电弧熔炼制备得化学式为GdTbHoEr，具有单一密排六方的晶体结构的高饱和磁化强度材料；元素成分还包含La或Y中的一种或两种。作为磁性材料的应用，具有磁相转变特性，在低于奈尔温度时，饱和磁化强度达到290-300 emu/g；以高熵合金GdTbHoEr为基体，通过加入La与Y，在190K到120K范围内调控合金的磁转变温度，在600 Oe到1706 Oe范围内调控合金的矫顽力。本发明高饱和磁化强度材料具有：磁化强度大且存在温区宽，成分可调，奈尔温度可调，工艺简单且多样化，总体制备成本低的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN119505900A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411659992.9
申请日：2024-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明提供了一种基于镨掺杂铌酸钠‑钛酸钡应力发光材料，该材料由荧光粉和高分子材料组成，所述荧光粉的化学式为：Na0.991‑xBaxPr0.003Nb1‑xTixO3，x表示摩尔分数，0.005≤x≤0.02。其制备方法为：1)将Na2CO3、BaCO3，Pr6O11、TiO2、Nb2O5按照化学式进行配料，球磨，干燥，第一次烧制，第一次研磨，第二次烧制，第二次研磨，即得荧光粉；2)将环氧树脂与聚醚胺混匀，得到高分子材料；3)往模具中依次倒入配方量的荧光粉和高分子材料，静置，烘干，脱模，即得应力发光材料。本发明制得的应力发光材料发光性能优良。
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