-
公开(公告)号:CN115093212B
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202210912503.0
申请日:2022-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种使用温度超过300℃的高性能铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其低温液相烧结制备方法,其组成通式为:(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3+1.0mol%MnCO3+x[Bi0.5(NatLi0.5‑t)]TiO3+yB2O3,其中u、x、y和t表示摩尔分数,[Bi0.5(NatLi0.5‑t)]TiO3及B2O3为烧结助剂,且0.25≤u≤0.40,0<x≤0.01,0<y≤0.05,0≤t≤0.5。本发明利用具有低容忍因子的[Bi0.5(NatLi1‑t)]TiO3,在降低(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3陶瓷烧结温度的同时,又提高了该陶瓷的高温压电性能和高温稳定性,获得了在高温下具有优异压电性能的无铅压电陶瓷,使用温度超过300℃,在T>300℃时,其压电性能可达400pC/N以上,最高原位退极化温度点达到360℃,相比于现有压电陶瓷,高温压电性能得到了大幅提升。
-
公开(公告)号:CN115073160B
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202210912506.4
申请日:2022-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 一种具有微纳米电畴结构的铁酸铋‑钛酸钡陶瓷的热压烧结制备方法,其组成通式为:(1‑u)BiFe1‑xGaxO3‑uBaTiO3+0.35mol%MnCO3+nCuO+pBi(Ti1/2Zn1/2)O3+mLi2CO3+yBi(Zn2/3Nb1/3)O3,其中u、x、n、p、m和y表示摩尔分数,Li2CO3和CuO为低温烧结助剂,且0.20≤u≤0.45,0≤x≤0.05,0≤n≤0.01,0<p≤0.20,0<m≤0.01,0≤y≤0.02。本发明利用烧结助剂和热压反复“捶打”工艺,降低了烧结温度,减少了Bi元素的挥发和降低了晶格缺陷浓度,提高了陶瓷的致密度,大幅降低了该体系的介电损耗。利用驰豫铁电材料Bi(Zn2/3Nb1/3)O3减小了陶瓷的电畴尺寸,提高了陶瓷的压电性能;利用Bi(Ti0.5Zn0.5)O3提高了陶瓷的居里温度,提高了陶瓷在高温下的温度稳定性,最高使用温度可达到350℃以上。
-
公开(公告)号:CN115073159A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210912495.X
申请日:2022-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种具有高居里温度及高压电性能的铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其低温含氧热压烧结制备方法,所述陶瓷的组成通式为:(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3+1.0mol%MnCO3+xmol%(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3+ymol%Ba(W1/2Cu1/2)O3+zmol%B2O3,其中u、x、y和z表示摩尔分数,(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3、Ba(W0.5Cu0.5)O3及B2O3为低温烧结助剂,且0.20≤u≤0.45,0<x≤2.0,0≤y≤5.0,0≤z≤5.0。本方法通过添加烧结助剂,可在820℃‑920℃及25Mpa压力、在含氧气氛下条件下热压烧结成瓷。本发明降低了铁酸铋‑钛酸钡陶瓷的烧结温度、减少了Bi元素的挥发、提高了陶瓷的致密度和降低了陶瓷的介电损耗,获得了高压电性能、高居里温度及低介电损耗的无铅压电陶瓷。
-
公开(公告)号:CN115073159B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN202210912495.X
申请日:2022-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种具有高居里温度及高压电性能的铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其低温含氧热压烧结制备方法,所述陶瓷的组成通式为:(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3+1.0mol%MnCO3+xmol%(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3+ymol%Ba(W1/2Cu1/2)O3+zmol%B2O3,其中u、x、y和z表示摩尔分数,(Bi0.5Na0.25Li0.25)TiO3、Ba(W0.5Cu0.5)O3及B2O3为低温烧结助剂,且0.20≤u≤0.45,0<x≤2.0,0≤y≤5.0,0≤z≤5.0。本方法通过添加烧结助剂,可在820℃‑920℃及25Mpa压力、在含氧气氛下条件下热压烧结成瓷。本发明降低了铁酸铋‑钛酸钡陶瓷的烧结温度、减少了Bi元素的挥发、提高了陶瓷的致密度和降低了陶瓷的介电损耗,获得了高压电性能、高居里温度及低介电损耗的无铅压电陶瓷。
-
公开(公告)号:CN118479874A
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202410742789.1
申请日:2024-06-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及一种具有高温热稳定性的BF‑BT‑BKT‑BNT无铅压电陶瓷及其制备方法,旨在提供一种在高温环境下具有高温热稳定性和高压电性能的无铅压电陶瓷。本发明利用BNT的驰豫特性,以及BNT、BKT的A位复合价态阳离子,打断BF‑BT的长程有序性,获得具有靠近MPB成分附近、具有四方相、以及复合畴结构的BF‑BT‑BNT‑BKT陶瓷。在Tdr=382℃时,原位d33=687pC/N,同时Tc>450℃,具有较高的居里温度。
-
公开(公告)号:CN118479871A
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202410744599.3
申请日:2024-06-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种兼具高温稳定性和高压电性能的五元系BF‑BT基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1‑y)[(1‑x)BiFeO3‑xBaTiO3)]‑y[0.8(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.2(Bi0.5K0.5)TiO3]‑zBi(Zn0.5Ti0.5)O3+uMnO2+vLi2CO3,x、y、z、u和v表示摩尔分数,0.30≤x≤0.40,0
-
公开(公告)号:CN115093212A
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202210912503.0
申请日:2022-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种使用温度超过300℃的高性能铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其低温液相烧结制备方法,其组成通式为:(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3+1.0mol%MnCO3+x[Bi0.5(NatLi0.5‑t)]TiO3+yB2O3,其中u、x、y和t表示摩尔分数,[Bi0.5(NatLi0.5‑t)]TiO3及B2O3为烧结助剂,且0.25≤u≤0.40,0<x≤0.01,0<y≤0.05,0≤t≤0.5。本发明利用具有低容忍因子的[Bi0.5(NatLi1‑t)]TiO3,在降低(1‑u)BiFeO3‑uBaTiO3陶瓷烧结温度的同时,又提高了该陶瓷的高温压电性能和高温稳定性,获得了在高温下具有优异压电性能的无铅压电陶瓷,使用温度超过300℃,在T>300℃时,其压电性能可达400pC/N以上,最高原位退极化温度点达到360℃,相比于现有压电陶瓷,高温压电性能得到了大幅提升。
-
公开(公告)号:CN115073160A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210912506.4
申请日:2022-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 一种具有微纳米电畴结构、高使用温区的高性能铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其热压烧结制备方法,其组成通式为:(1‑u)BiFe1‑xGaxO3‑uBaTiO3+0.35mol%MnCO3+nCuO+pBi(Ti1/2Zn1/2)O3+mLi2CO3+yBi(Zn2/3Nb1/3)O3,其中u、x、n、p、m和y表示摩尔分数,Li2CO3和CuO为低温烧结助剂,且0.20≤u≤0.45,0≤x≤0.05,0≤n≤0.01,0<p≤0.20,0<m≤0.01,0≤y≤0.02。本发明利用烧结助剂和热压反复“捶打”工艺,降低了烧结温度,减少了Bi元素的挥发和降低了晶格缺陷浓度,提高了陶瓷的致密度,大幅降低了该体系的介电损耗。利用驰豫铁电材料Bi(Zn2/3Nb1/3)O3减小了陶瓷的电畴尺寸,提高了陶瓷的压电性能;利用Bi(Ti0.5Zn0.5)O3提高了陶瓷的居里温度,提高了陶瓷在高温下的温度稳定性,最高使用温度可达到350℃以上。
-
-
-
-
-
-
-