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发明公开
一种宽温区压电性能稳定的铌酸钾钠基单晶及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118127633A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410349050.4

申请日：2024-03-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 , 曾雨娇 , 饶光辉 , 李林 , 程帅

IPC: C30B29/30 , C30B1/10

Abstract: 本发明公开了一种宽温区压电性能稳定的铌酸钾钠基单晶，以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Al2O3、Bi2O3和Li2CO3为原料，采用无籽固相晶体生长法，经一次细化球磨、预烧、二次细化球磨和烧结，即可制备Li2O掺杂的铌酸钾钠基单晶；只存在K0.5Na0.5NbO3相，没有杂相；由单晶区和陶瓷区组成，单晶区为单一的致密结构，表面有略微的突起和起伏；晶坯比为38.2％。其制备方法包括以下步骤：1，原料的一次细化球磨；2，一次球磨料的预烧；3，一次预烧料的二次细化球磨；4，二次球磨料的烧结。作为压电材料的应用，其特征在于：所述铌酸钾钠基单晶的压电常数d33为377pC/N，四方相温度范围为138‑423℃。

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