公开(公告)号：CN104944952A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510301633.0

申请日：2015-06-05

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er，Y中的一种，R为Nb、Ta中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3粉体，然后采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷。本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。

公开(公告)号：CN103956266A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410146863.X

申请日：2014-04-14

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 袁昌来 ,  刘勇 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  陈国华 ,  许积文 ,  周星星 ,  张小文

IPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/08

摘要： 本发明涉及一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器及其制备方法，包括衬底硅片上溅射金属下电极、溅射Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜中间层、薄膜上溅射金属上电极形成三层结构。Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层具体由(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3（0.01≤x≤0.1）组成；金属上、下电极材料为金属Ag、Au、Pt中的一种。先制备(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3陶瓷靶材，然后采用磁控溅射工艺将其溅射到已溅射有金属下电极的硅片衬底上形成Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层；再在薄膜上使用溅射工艺制备金属上电极。本发明制备的高储能密度薄膜电容器体积小，薄膜层厚度0.5~1.5μm，其储能密度为20~45J/cm3。

公开(公告)号：CN104891986A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510245228.1

申请日：2015-05-14

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  刘笑 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中，Me为Al3+、Co3+、Cr3+、(Zn0.5Ti0.5)3+、(Mg0.5Ti0.5)3+、(Ni0.5Ti0.5)3+中的一种，且0.1≤x≤0.3。先采用传统粉体合成技术合成Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3粉体，然后采用两步烧结技术制备Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备的高储能密度陶瓷电容器的储能密度为0.7~1.8？J/cm3，储能密度大小基于成分和工艺可调。

公开(公告)号：CN104944952B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201510301633.0

申请日：2015-06-05

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er，Y中的一种，R为Nb、Ta中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3粉体，然后采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷。本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。

公开(公告)号：CN104891988B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510244660.9

申请日：2015-05-14

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 袁昌来 ,  周星星 ,  刘笑 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中：0.03≤x≤0.3，M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为 Mg、Zn、Ni中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6 J/cm3。

公开(公告)号：CN104891989A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510244734.9

申请日：2015-05-14

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  刘笑 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1-xMxTi1-xO3高储能密度陶瓷及其制备方法，制备方法采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1-xMxTi1-xO3高储能密度陶瓷，其中：0.05≤x≤0.3，M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。本发明制备的高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.9~2.4？J/cm3，可承受最高交流电压介于115~210？kV/cm之间。

公开(公告)号：CN104944944B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201510301889.1

申请日：2015-06-05

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 冯琴 ,  袁昌来 ,  周星星 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，0≤y≤0.1，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er中的一种，Me为Zr、Sn中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3粉体，然后用放电等离子烧结（SPS）技术制备Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xMeyTi1‑yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备方法简单高效，基于电滞回线计算的储能密度介于0.7~1.6 J/cm3之间。

公开(公告)号：CN104891989B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510244734.9

申请日：2015-05-14

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  刘笑 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷及其制备方法，制备方法采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷，其中：0.05≤x≤0.3，M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。本发明制备的高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.9~2.4 J/cm3，可承受最高交流电压介于115~210 kV/cm之间。

公开(公告)号：CN104944944A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510301889.1

申请日：2015-06-05

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 冯琴 ,  袁昌来 ,  周星星 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，0≤y≤0.1，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er中的一种，Me为Zr、Sn中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3粉体，然后用放电等离子烧结（SPS）技术制备Re2x/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xMeyTi1-yO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备方法简单高效，基于电滞回线计算的储能密度介于0.7~1.6J/cm3之间。

公开(公告)号：CN104891988A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510244660.9

申请日：2015-05-14

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 袁昌来 ,  周星星 ,  刘笑 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中：0.03≤x≤0.3，M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为？Mg、Zn、Ni中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6？J/cm3。