- 专利标题： 一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1-xTi1-xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法
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申请号： CN201510301633.0申请日： 2015-06-05
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公开(公告)号： CN104944952B公开(公告)日： 2017-12-19
- 发明人: 袁昌来 , 周星星 , 冯琴 , 杨涛 , 周昌荣 , 许积文 , 黎清宁 , 陈国华
- 申请人： 桂林电子科技大学
- 申请人地址： 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 专利权人： 桂林电子科技大学
- 当前专利权人： 桂林电子科技大学
- 当前专利权人地址： 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
- 代理机构： 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司
- 代理商 罗玉荣
- 主分类号： C04B35/50
- IPC分类号： C04B35/50 ; C04B35/475 ; C04B35/622
摘要：
本发明涉及一种具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷及其制备方法，其中0.02≤x≤0.2，Re为La，Sm，Nd，Gd，Dy，Er，Y中的一种，R为Nb、Ta中的一种。先采用传统粉体合成技术合成Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3粉体，然后采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷。本发明制备的具有高储能密度的Rex/3(Ba0.06Bi0.47Na0.47)1‑xTi1‑xRxO3无铅反铁电陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度介于0.5~1.5 J/cm3之间。
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