一种CuInSe2超小量子点及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112239670B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202011062060.8

    申请日:2020-09-30

    摘要: 本发明公开了一种CuInSe2超小量子点及其制备方法和应用,其制备方法步骤为:S1:制备三聚硫氰酸或巯基配位的Cu和In离子前驱体溶液以及硒前驱体溶液;制备CuInSe2量子点前驱体溶液;制备小分子硫氰酸根或巯基包裹的超小CuInSe2量子点水溶液,采用水相一锅法以较简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物,所得CuInSe2量子点是立方相的超小的纳米晶由小分子硫氰酸根或巯基包裹,近红外发光,本发明的量子点墨水经印制后能够得到稳定的量子点发光层,具有较长的寿命,且具有较好的发光性能。将所述量子点墨水用于印刷制备太阳能电池能够有效提升电池的光学性能和电学性能,量子点具有优异的光催化性能。

    一种基于类太赫兹频率梳检测生物分子的方法

    公开(公告)号:CN113945536A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111137733.6

    申请日:2021-09-27

    IPC分类号: G01N21/3586

    摘要: 本发明公开了一种基于类太赫兹频率梳检测生物分子的方法,通过构造类太赫兹频率梳的方法来检测生物分子的种类和浓度,首先构造类太赫兹频率梳,随后测试类太赫兹频率梳空载时的空载光谱,再测试类太赫兹频率梳表面覆盖样品时的覆盖光谱,将所述覆盖光谱与所述空载光谱相减获得样品吸收谱,最后将所述样品吸收谱与常见生物分子的指纹谱库对比识别生物分子的种类;进一步地,对比所述空载光谱与所述覆盖光谱,得到各吸收峰的频移量,再通过计算比较获得生物分子浓度,此方法准确性高、操作简单、不需要标记物,解决了现有技术中的依赖标记检测生物分子的技术问题。

    一种多孔铜粉载体负载银基的抗菌材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112021334A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010947840.4

    申请日:2020-09-10

    摘要: 本发明公开了一种多孔铜粉载体负载银基的抗菌材料及其制备方法,属于抗菌材料领域技术领域。包括将甘蔗汁水解,溶于甲醇得混合液A;将铜盐溶液和分散剂混合,加热,调节pH得混合液B;将溶液A和B混合超声处理,加入致孔剂,得混合液C;倒入反应釜加热处理后,冷却至室温,离心洗涤,干燥得多孔载体前驱体;将多孔载体前驱体,加热保温,再持续通入氨气至冷却至室温,洗涤干燥后即得多孔铜粉载体;再经进一步处理得多孔材料负载的银基抗菌材料。本发明利用生物源甘蔗汁制备超细多孔铜粉作为载体,并负载银纳米粒子制备抗菌材料。该材料高效保留了抗菌长效性,且制备流程简单,反应温和,设备投资小,利于产业化。

    一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN111584764A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010436151.7

    申请日:2020-05-21

    IPC分类号: H01L51/54 H01L51/50 H01L51/56

    摘要: 本发明公开了一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法,倒置结构OLED器件包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极,强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌-碳酸铯层,制备方法为碳酸铯-乙醇溶液、氧化锌-甲醇溶液的制备及混合溶液的制备、ITO透明阴极的处理和倒置结构OLED器件的制备,本发明选择碳酸铯和氧化锌复合作为强电子注入层,基于TAZ发光层,OLED器件表现出优异的短波长发射,具有2.42 mW/cm2的最大辐射度和0.85%的EQE,提高了工作耐久性,XPS分析表明,氧化锌-碳酸铯层表现出优异的电子性能并有助于电子注入,从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。

    一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN111211249A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN202010049437.X

    申请日:2020-01-16

    IPC分类号: H01L51/54 H01L51/50 H01L51/56

    摘要: 本发明公开了一种基于强电子注入层的倒置结构OLED器件及其制备方法,该倒置结构OLED器件包括从左至右的ITO透明阴极、强电子注入层、BPhen电子传输层、TAZ发光层、CBP空穴传输层、三氧化钼空穴注入层和Al阳极,强电子注入层包括氧化锌层和碳酸铯层中的一种或两种或氧化锌-碳酸铯层,制备方法包括碳酸铯-乙醇溶液、氧化锌-甲醇溶液的制备及混合溶液的制备、ITO透明阴极的处理和倒置结构OLED器件的制备,本发明优选的选择碳酸铯和氧化锌复合作为强电子注入层,基于TAZ发光层,OLED器件表现出优异的短波长发射,具有2.42 mW/cm2的最大辐射度和0.85%的EQE,并提高了工作耐久性,XPS分析表明,s-ZnO+Cs2CO3表现出优异的电子性能并有助于电子注入,从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。

    一种负载硒缓释可降解薄膜包覆的多孔材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110590451A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910943291.0

    申请日:2019-09-30

    IPC分类号: C05G3/00

    摘要: 本发明公开了一种负载硒缓释可降解薄膜包覆的多孔材料的制备方法,包括以下步骤:以生物源秸秆为原料,粉碎后浸泡在破壁剂、增孔剂中,用蒸馏水冲洗,然后进行氨化、碳化,即得多孔材料;将动物尿液加入到发酵后的农家肥中,搅拌,浸泡,取上清液与氯化钾、EDTA-4Na、亚硒酸钠混合,然后蒸发浓缩,然后将制备的多孔材料浸泡其中,得负载富硒复合肥的多孔材料;称取麦皮、淀粉水浴加热,加入改性助剂糊化,然后加入成膜助剂、蒸馏水、增塑剂、负载富硒复合肥的多孔材料,搅拌,再用喷雾干燥机干燥,过筛,得到目标产物。本发明做到了即刻释放与缓释相结合的效果,缓释膜外层附着的肥料及时释放,后缓释膜控制多孔载体缓慢释放肥料。

    具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110165064A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910456855.8

    申请日:2019-05-29

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56

    摘要: 本发明涉及半导体发光器件技术领域,尤其涉及具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件,包括依次叠接的阳极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、发光层、电子注入层和金属阴极,所述第一空穴注入层为PEDOT:PSS或者PEDOT:PSS+V2O5复合材料,第二空穴注入层为C3N4薄膜,发光层为TPBi,电子注入层为LiF,金属阴极为Al。本发明的具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件,利用V2O5掺杂PEDOT:PSS的复合薄膜PEDOT:PSS+V2O5和二维材料C3N4的各自优点,利用其合适的能级结构有效地构筑具有梯度能级的空穴注入传输体系,从而调节了载流子平衡,器件具有良好的性能。