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公开(公告)号：CN119776773A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411877105.5
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法，该镓铟氧化物薄膜通过脉冲激光沉积法基于一衬底制备并包括主外延层和缓冲层，缓冲层连接在衬底与主外延层之间，且主外延层和缓冲层的化学式均为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该制备方法包括：提供一衬底；通过脉冲激光沉积法在衬底上沉积一层镓铟氧化物的缓冲层，得到中间产物；通过脉冲激光沉积法在缓冲层上再沉积一层镓铟氧化物的主外延层，制得镓铟氧化物薄膜。本申请通过在主外延层制备之前先制备一层薄的缓冲层，可提升薄膜的结晶质量，改善薄膜缺陷密度高等问题，减少镓铟氧化物薄膜缺陷，从而获得高质量的镓铟氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN119536451A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411720875.9
申请日：2024-11-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种自偏置低温漂的带隙基准电压源，通过引入预稳压电路将电源电压与自偏置运算放大器以及带隙基准核心电路隔离，使得带隙基准电压源的偏置电流和输出电压不依赖电源电压的变化，提高了带隙基准电压源的低频电源抑制比；利用自偏置技术简化了运算放大器的偏置电路，并为预稳压电路提供受温度漂移影响较小的参考电压；考虑带隙基准核心电路输出一阶基准电压温度漂移系数较大，采用一种结构简单的低功耗分段补偿电路，在设定的高、低温温度区间内输出不同大小的高低温补偿电流，实现对一阶基准电压的高阶补偿，在拓宽基准电压温度范围的同时，大幅降低了基准电压温度漂移系数，提升了输出基准电压精度。
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公开(公告)号：CN119277181A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411661445.4
申请日：2024-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林艾瑞科技有限公司
Abstract: 本申请涉及基于超透镜的高清X射线成像系统，包括闪烁体、成像透镜组和成像模块；所述闪烁体将入射的X射线转换成可见光，所述可见光经过所述成像透镜组进行聚焦，所述成像模块进行图像采集；所述成像透镜组包括透镜组、超透镜和反光镜；所述闪烁体的发光峰的半高全宽在所述超透镜的工作波长±10nm范围内；通过引入具有小型化、轻量化、可集成和多功能化特征的超透镜，能过够获得更高空间分辨成像的同时方便集成，解决了现有技术存在的困难，对推进超透镜的实用化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118890957A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410921181.5
申请日：2024-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于微电子存储技术领域，公开了一种基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器及其制备方法，该基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器由下至上依次为云母基底层、SrTiO3缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3底电极层、BiFeO3铁电功能氧化物层和Pt上电极层；其制备方法包括：S1、去除云母表面杂质，等待薄膜生长；S2、制备缓冲层；S3、制备底电极层；S4、原位退火；S5～S6、制备BiFeO3铁电功能氧化物层；S7、原位退火；S8、制备Pt上电极层。本发明利用云母作为基底材料、SrTiO3作为缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3作为底电极、BiFeO3作为铁电功能氧化物、Pt金属作为上电极，形成多层叠堆结构，使其能够在柔性器件中实现数据的读取和存储功能。本发明适用于可穿戴设备、柔性人工突触等领域。
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公开(公告)号：CN118112790A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410468389.6
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种基于偏振和拉伸控制的焦距可调超透镜设计方法。当x偏振和y偏振入射时，拉伸可调谐范围分别为11.4～20.6um、20.7～36.4um，动态聚焦范围为最小焦距的213.8％。以同样的条件，我们还构造了一个仅偏振控制和一个仅拉伸控制超透镜。对比表明，双控制的方案有效地克服了传统偏振复用超透镜不能连续变焦问题。此外，与单一控制的可调谐超透镜相比，该设计拥有可观的焦距可调谐范围。因此，在VR/AR显示技术、全息成像等方面，它具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117748947A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410089791.3
申请日：2024-01-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种宽输入电压范围高泵浦效率快速启动电荷泵电路，该电路由环形振荡器、差分缓冲电路、正负时钟产生电路、时钟倍增电路和电荷泵主体电路构成。电荷泵主体电路通过反相器结构实现由内部升压得到的高压对PMOS管的栅极进行反向动态控制，能够有效的控制PMOS管通断，有利于减小PMOS晶体管的导通损耗。在PMOS晶体管关断时提高其栅极电压，从而增大其VGS使得PMOS管更有效的关断，达到减小其反向电荷的目的。同时，采用正负时钟产生电路用以对电荷泵中NMOS管在导通和关断时进行动态的衬底偏置，在NMOS晶体管导通时降低其阈值电压有利于减小NMOS晶体管的导通损耗，在NMOS晶体管关断时提高其阈值电压可以更有效的减小其反向电荷。PMOS晶体管衬底通过控制信号进行体偏置实现同样的效果，从而减小了电荷泵的功耗，提升了泵浦效率。
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公开(公告)号：CN117631735A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311683665.2
申请日：2023-12-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种模拟数字双环LDO电路，采用数字环路和模拟环路双环的形式，将功率管分为模拟功率管和数字功率管，这样在相同功率管尺寸情况下，负载电流更大；另外，由于模拟数字双环LDO的数字功率管负担了一部分电流，模拟功率管负载电流变化为总电流的一部分，使得模拟数字双环LDO的模拟功率管尺寸小于单模拟环路LDO中承担全部负载电流的功率管尺寸，这样模拟功率管栅极寄生电容更小，充放电速度更快，有效改善了电路的瞬态响应，栅极处极点位置更高频，环路容易补偿，同时模拟功率管负载电流变化为总电流的一部分，输出端极点位置变化也较小，环路更易补偿。
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公开(公告)号：CN117393645A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311313220.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧光电探测器及其制备方法，该光电探测器是基于云母这种柔性衬底制备的，具有优异的抗弯折性能，即器件能够按一定角度弯折几千次而性能几乎保持不变，可适用于可穿戴光电探测器。本申请使用脉冲激光沉积设备先在云母衬底上生长一层镓铟氧薄膜，并使用高温退火炉在空气中退火，最后使用磁控溅射法利用金属掩膜版在镓铟氧薄膜上生长Ti/Au叉指电极，制得柔性的镓铟氧光电探测器。本申请通过简单的制备方法成功地在柔性的云母衬底上制备出了镓铟氧光电探测器，且制得的产品性能优异。
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公开(公告)号：CN117270095A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310620407.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开一种基于正弦结构的宽带多功能偏振转换器，该转换器由底部金板、中间介电质层和顶部正弦金板三层结构组成。本发明可以实现在7.4到8.3THz频率范围内的宽带多功能偏振转换，偏振转换比(PCR)大于0.8；在7.2到7.4THz的频率范围内可以实现近乎完美的线到左旋圆偏振转换；在7.7到8.2THz的频率范围内可以实现交叉偏振转换。这为高性能的宽带、多功能偏振转换器设计提供了一定的理论和数据支撑。该发明结构新颖、性能优越，有望在未来高性能、多功能的偏振器件设计方面得到广泛运用。
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公开(公告)号：CN117241590A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311191610.X
申请日：2023-09-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于微电子存储器技术领域，公开了一种基于柔性衬底的铁电存储器及其制备方法，铁电存储器包括云母基底层、缓冲层、底电极层、BaTiO3铁电功能氧化物层和Pt上电极层；其制备方法包括：S1、去除云母表面杂质，等待生长薄膜；S2～S3、制备缓冲层；S4、原位退火；S5～S7、制备底电极层和BaTiO3铁电功能氧化物层；S8、原位退火；S9、制备Pt上电极层。本发明利用云母作为基底材料、SrTiO3和La0.65Sr0.35MnO3作为缓冲层、1.1％Nb掺杂的SrTiO3作为底电极、BaTiO3作为铁电功能氧化物、Pt金属作为上电极，形成多层叠堆结构，使其能够在柔性设备中实现高性能的数据存储和读取功能，同时保持对弯曲和形变的适应性。
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