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公开(公告)号:CN116607111A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310443818.X
申请日:2023-04-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种基于柔性衬底生长的铟镓氧化物薄膜及其制备方法,将准备好的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置的生长腔内,设置生长参数,使得柔性衬底上生长一层铟镓氧化物薄膜。通过该方法可制备出高结晶质量的铟镓氧化物薄膜,在氧化镓中掺杂铟离子,可以拓宽带隙范围。该制备方法工艺步骤简单,易操作,进而可有效降低制备成本。
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公开(公告)号:CN117393645A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202311313220.5
申请日:2023-10-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧光电探测器及其制备方法,该光电探测器是基于云母这种柔性衬底制备的,具有优异的抗弯折性能,即器件能够按一定角度弯折几千次而性能几乎保持不变,可适用于可穿戴光电探测器。本申请使用脉冲激光沉积设备先在云母衬底上生长一层镓铟氧薄膜,并使用高温退火炉在空气中退火,最后使用磁控溅射法利用金属掩膜版在镓铟氧薄膜上生长Ti/Au叉指电极,制得柔性的镓铟氧光电探测器。本申请通过简单的制备方法成功地在柔性的云母衬底上制备出了镓铟氧光电探测器,且制得的产品性能优异。
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