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公开(公告)号：CN119644616A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411886792.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种下沉式双层电极铌酸锂电光调制器，包括衬底、氧化层、光波导、过渡层和金属电极；所述衬底位于最下方，所述氧化层位于所述衬底的顶部，所述光波导、过渡层和金属电极均设置在所述氧化层的上方，光波导为X型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，金属电极为双层电极结构，包括一层的行波电极与二层的T型结构电极，可有效降低损耗，提高调制效率。为了减少光吸收损耗，使用0.2um的二氧化硅过渡层分隔金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，下沉式双层电极铌酸锂电光调制器在0.14dB/cm的光吸收损耗下实现了1.52V·cm的半波电压长度积，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN117740718A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311735830.4
申请日：2023-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3581
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称劈裂环(ASR)/对称劈裂环(SSR)双环法诺共振的高灵敏度太赫兹传感器。本发明采用了一种两层结构，上层为金属双劈裂环结构，其中外环是非对称结构，内环是对称结构。设计的传感器劈裂环用金属银材料。下层衬底为长方体结构，所用材料为二氧化硅。由平面光垂直入射并在波导中传输、耦合到环形谐振腔时，当满足共振条件，可以产生一个尖锐的Fano共振峰，其灵敏度高达10.78THz/RIU、Q值达到21.78。该发明在Thz波段具有较高的灵敏度，且结构简单，制备工艺简易，在非线性光学、激光和生物传感等领域具有重要的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN108306622B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201810384680.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。
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公开(公告)号：CN116736421A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310772946.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多波段可调谐偏振无关吸波器。该吸波器由两个平行于x轴的黑磷纳米带、二氧化硅介质层、两个平行于y轴的黑磷纳米带、二氧化硅衬底和金属层组成。当只有两个平行于y轴的黑磷纳米带、二氧化硅衬底和金属层时，所提出的结构可以实现偏振相关的各向异性吸收。通过改变右侧黑磷纳米带的宽度，可以实现可调谐的三波段吸收，并且证明改变黑磷纳米带的电子掺杂浓度，可以实现吸收光谱的调节。此外，在完整的结构下可以实现偏振无关的吸收。该发明提供了一种在多波段可调谐偏振无关吸波器件中具有极大应用潜力的结构。
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公开(公告)号：CN116590660A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310524470.7
申请日：2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种能够增强氧化镓紫外吸光度的制备方法及根据该方法制备的氧化镓材料，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生紫外吸收的氧化镓薄膜，对氧化镓薄膜进行退火处理，再将氧化镓薄膜通过磁控溅射的方式生长一层铜薄膜，然后进行快速退火，使得铜薄膜受热量作用而裂成铜纳米粒子。该制备方法利用铜纳米粒子来增强氧化镓的紫外吸光性能，工艺步骤简单，易操作，进而有效降低制备成本，且通过该制备方法制备的氧化镓材料紫外吸光度提升效果显著。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116454642A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310620401.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种可调谐窄带太赫兹吸收器，该吸收器自下而上分别是完美电导体(PEC)衬底，周期性的电介质纳米阵列单元结构，以及覆盖在电介质结构上的二维黑磷薄膜。其中，电介质纳米阵列单元结构由嵌入了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,n＝1.5)圆柱体的方形硅块(n＝3.42)组成，嵌入的圆柱体与硅块具有相同的高度h。黑磷的电子掺杂浓度为3×1013cm‑2，利用黑磷薄膜与具有折射率差的介质表面发生的等离子体激元共振效应，可以在太赫兹波段内产生共振从而达到完美吸收的效果。本发明可以通过改变电介质圆柱的直径D，电介质层高度h，以及黑磷电子的掺杂浓度，可以在TM、TE偏振下达到高吸收率，并且在66～75μm波段范围内，实现共振吸收峰的动态调控。
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公开(公告)号：CN116299827A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310249284.7
申请日：2023-03-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了基于金棒和金孔阵列复合结构的中红外偏振转换器，由二氧化硅衬底和上层金棒—蜂窝状金孔阵列复合的超表面结构组成的。本发明可以实现线偏振—圆偏振光和圆偏振—圆偏振光的转换，具有较高的偏振转换率(PCR)，这为高性能偏振操纵器件的设计提供了可靠的结果；此外还发现了一些关于金棒旋转角度(θ)与手性之间的规律，为手性传感的设计也提供而一些方法。本发明新颖的结构设计和优异的性能，有望广泛应用于今后微纳偏振操纵器件的设计中。
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公开(公告)号：CN106783613B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201710026316.1
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本发明具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
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公开(公告)号：CN112130238B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202011057874.2
申请日：2020-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关，解决的是法诺共振频率不可控和通过几何参数调节法诺共振时出现的可调自由度小的技术问题，从而使得光开关能够在不改变结构几何参数的情况下实现共振峰的连续动态可调，实现多阈值光开关，通过采用包括厚度小于工作波长的超表面，超表面为规则的几何形状，超表面内平行等间距分布有至少3个等离子体柱；等离子体柱的材质为包层石英管和填充的惰性气体；利用米氏散射理论获得单个等离子体柱的米氏散射系数以确定米式共振频率，再阵列等离子体柱获得布拉格散射，使米氏散射与布拉格散射相干涉产生法诺共振现象的技术方案，较好的解决了该问题，可用于光开关领域中。
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公开(公告)号：CN111552014B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010416222.7
申请日：2020-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明为一种横向MIM格点阵等离激元吸收器，由介质基底和具有周期性的金属纳米颗粒阵列构成，每组金属纳米颗粒由两个相对的金长方体块及其中间所夹的介质层构成。入射光为磁场方向平行于介质基底平面的TM平面波，其波矢k与竖直方向有一定夹角，从而可以在金属纳米颗粒阵列中激发OLP形式的格点阵等离激元，且相邻的纳米金属单元之间会产生较强的共振耦合，在特定的结构参数和入射角下就会对入射光产生特定的吸收峰。并且相比于与其它基于阵列的等离激元吸收器具有很高的品质因数和很好的调谐性，该横向MIM格点阵等离激元吸收器在微纳光学集成器件领域具有着良好的应用前景。
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