公开(公告)号：CN120018769A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510168290.9

申请日：2025-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张法碧 ,  刘志强 ,  周娟 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  陈赞辉 ,  邓兴 ,  谢仕锋 ,  李跃 ,  杨万里

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本申请提供一种氧化镓忆阻器及其制备方法，采用磁控溅射设备制备底电极和顶电极，采用激光脉冲沉积设备制备氧化镓阻变层。其中，底电极用于施加信号，氧化镓作为阻变层，对底电极和顶电极施加外加电场，在电流作用下阻变层可以转变为两种不同的阻值，通过氧化还原反应在阻变层内部形成导电细丝，进而使器件阻值发生变化，可模拟部分神经突触性能。本申请的制备方法简单，易于操作，且所制备的氧化镓忆阻器具有无电铸、可模拟神经突触性能等特点。

公开(公告)号：CN119744114A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411865412.1

申请日：2024-12-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  谭振强 ,  李建华 ,  李海鸥 ,  陈赞辉 ,  邓兴 ,  张法碧

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件与工艺技术领域，具体涉及一种基于二维材料的异质结忆阻器及其制备方法，器件结构自下而上包括衬底、底电极层、金属封盖层、二维材料层、硅层、氧化物层和顶电极层。所述二维材料层直接原位生长在所述金属封盖层之上，与制备二维材料器件常用的转移法相比，避免了操作步骤繁琐和杂质污染问题，具有工艺简便性、通用性和高集成性。利用所述二维材料层、所述硅层与所述氧化物层所具有的不同离子迁移速率，引导导电细丝的形成和熔断都局域在二维材料层与硅层的界面附近，使得忆阻器具有优异的电学性能。此外，该器件还能有效模拟神经突触的特性，有助于实现开关速度快、高集成度、高稳定性和低功耗的人工突触器件。

公开(公告)号：CN119546176A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411589467.4

申请日：2024-11-08

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  李建华 ,  高瑞祥 ,  蔡平 ,  谭振强 ,  李海鸥 ,  陈赞辉 ,  邓兴 ,  张法碧

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及忆阻器技术领域，具体涉及一种复合材料忆阻器及其制备方法，具体在FTO玻璃基底上依次涂覆聚乙烯醇与Ti3C2Tx复合材料薄膜、氧化锆薄膜，再将银顶电极沉积在氧化锆薄膜上形成四层垂直结构。本发明专为神经形态计算系统设计，以模拟生物突触的可塑性。经试验证实，本发明实现了电压幅度调制精度高达0.1V，确保了对突触权重的精确控制，同时表现出高塑性，能够快速学习和适应变化的输入条件，具有超过5×104秒的优异保持特性和超过200次IV扫描循环的可靠性，解决了现有忆阻器在模拟生物突触功能时存在的电压调制精度、可塑性、以及长期稳定性方面性能不足问题。

公开(公告)号：CN119644616A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411886792.7

申请日：2024-12-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  黄一诚 ,  首美花 ,  廖清 ,  刘兴鹏 ,  陈赞辉 ,  张法碧 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  李琦 ,  王阳培华 ,  肖功利 ,  傅涛 ,  邓兴 ,  邓艳容

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035

Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种下沉式双层电极铌酸锂电光调制器，包括衬底、氧化层、光波导、过渡层和金属电极；所述衬底位于最下方，所述氧化层位于所述衬底的顶部，所述光波导、过渡层和金属电极均设置在所述氧化层的上方，光波导为X型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，金属电极为双层电极结构，包括一层的行波电极与二层的T型结构电极，可有效降低损耗，提高调制效率。为了减少光吸收损耗，使用0.2um的二氧化硅过渡层分隔金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，下沉式双层电极铌酸锂电光调制器在0.14dB/cm的光吸收损耗下实现了1.52V·cm的半波电压长度积，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。