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公开(公告)号：CN119710621A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411885009.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本申请提供一种基于雾化学气相沉积制备镓铟氧化物薄膜的方法，该方法包括配置含有镓离子和铟离子的前驱体溶液，并取适量前驱体溶液放入超声雾化罐中；将一衬底放入管式炉的生长腔中，启动管式炉升温至预设温度，同时向生长腔中通入氮气；待管式炉升温至预设温度后启动超声雾化罐以对前驱体溶液进行雾化，雾化气体从管式炉的进气端进入生长腔，同时向生长腔内通入氮气和氧气的混合气体，生长腔内开始进行气相沉积反应；气相沉积反应一定时间后，管式炉降至室温，衬底上生长得到镓铟氧化物薄膜，化学式为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该方法具有工艺步骤简单、薄膜结晶质量高、可见光透过率好、制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN116504878A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310522786.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种紫外探测器及其制备方法，先在一衬底上通过磁控溅射的方式生长一层能产生光电响应的薄膜层，再将薄膜层放置在刚玉坩埚后放入退火炉中在1100～1500℃下进行超高温退火处理，最后将薄膜层用掩模板遮住以在薄膜层上生长形成电极，制得紫外探测器。该制备方法简单，易操作，可适用于大规模生长处理薄膜，进而有效降低成本。通过该方法制备的紫外探测器，经过超高温处理，可大幅提升薄膜的结晶质量，所制备的器件具有光暗电流比高、响应时间短等优点。
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公开(公告)号：CN112707433B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202011526473.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土铈掺杂氧化镓纳米材料的制备方法，包括如下步骤：准备硅衬底；充分研磨氧化镓、氧化铈和碳粉，获得混合粉末；所述混合粉末放入管式炉内，通入氩气并升温预反应；在氩氧混合气体作用下，冷却后获得稀土铈掺杂氧化镓纳米材料。通过碳热还原法，在不添加表面金属催化剂的条件下，制备稀土铈掺杂的氧化镓纳米材料，该方法工艺步骤简单,成本低廉，设备要求不高，有利于工业化生产，解决了现有技术中的稀土铈掺杂氧化镓纳米材料制备工艺复杂，制作设备要求高的技术问题。
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公开(公告)号：CN119776773A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411877105.5
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法，该镓铟氧化物薄膜通过脉冲激光沉积法基于一衬底制备并包括主外延层和缓冲层，缓冲层连接在衬底与主外延层之间，且主外延层和缓冲层的化学式均为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该制备方法包括：提供一衬底；通过脉冲激光沉积法在衬底上沉积一层镓铟氧化物的缓冲层，得到中间产物；通过脉冲激光沉积法在缓冲层上再沉积一层镓铟氧化物的主外延层，制得镓铟氧化物薄膜。本申请通过在主外延层制备之前先制备一层薄的缓冲层，可提升薄膜的结晶质量，改善薄膜缺陷密度高等问题，减少镓铟氧化物薄膜缺陷，从而获得高质量的镓铟氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN117393645A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311313220.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧光电探测器及其制备方法，该光电探测器是基于云母这种柔性衬底制备的，具有优异的抗弯折性能，即器件能够按一定角度弯折几千次而性能几乎保持不变，可适用于可穿戴光电探测器。本申请使用脉冲激光沉积设备先在云母衬底上生长一层镓铟氧薄膜，并使用高温退火炉在空气中退火，最后使用磁控溅射法利用金属掩膜版在镓铟氧薄膜上生长Ti/Au叉指电极，制得柔性的镓铟氧光电探测器。本申请通过简单的制备方法成功地在柔性的云母衬底上制备出了镓铟氧光电探测器，且制得的产品性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115974134A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310096428.X
申请日：2023-02-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种铟镓氧化物纳米材料的制备方法，通过该方法可制备出性能优异的铟镓氧化物纳米线，可作为日盲波段探测器的材料。该制备方法使用金属Ga和金属In作为反应原料通过化学气相沉积法制备铟镓氧化物纳米材料，降低了反应所需温度，因而降低了制造成本，且制备出的铟镓氧化物纳米材料表面光滑，粗细均匀，且本申请的制备方法简单，可重复性强。
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公开(公告)号：CN112707433A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011526473.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土铈掺杂氧化镓纳米材料的制备方法，包括如下步骤：准备硅衬底；充分研磨氧化镓、氧化铈和碳粉，获得混合粉末；所述混合粉末放入管式炉内，通入氩气并升温预反应；在氩氧混合气体作用下，冷却后获得稀土铈掺杂氧化镓纳米材料。通过碳热还原法，在不添加表面金属催化剂的条件下，制备稀土铈掺杂的氧化镓纳米材料，该方法工艺步骤简单,成本低廉，设备要求不高，有利于工业化生产，解决了现有技术中的稀土铈掺杂氧化镓纳米材料制备工艺复杂，制作设备要求高的技术问题。
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公开(公告)号：CN113913184B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110338689.9
申请日：2021-03-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种稀土共掺杂的氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，属于无机荧光材料技术领域，该荧光材料采用稀土Eu和Ce共掺杂氧化镓，利用水热法制得具有发光性能且发光性能良好的荧光材料。该方法制备工艺简单，成本低廉，对设备要求不高，反应条件温和、绿色环保，使用表面活性剂可避免纳米粒子团聚，制得的产物具有粒度分布均匀，分散性良好，形貌易于控制等优点。其中稀土作用分别是，铕作为发光中心，是激活剂，铈的作用是增强发光，是助激活剂。本发明制备的荧光材料具有发光特点，有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115895649A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211727159.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGdYGa1‑X‑Y)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.05，Y的取值范围为0.01≤Y≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽、硝酸钆和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值，然后将混合溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料。本申请的制备方法较为简单，所制备的荧光材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光强度远远高于稀土铽掺杂氧化镓荧光材料，可广泛应用于发光领域。
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公开(公告)号：CN115820246A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211459965.8
申请日：2022-11-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种稀土铽掺杂氧化镓荧光材料的制备方法及其应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGa1‑X)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值为8～9，然后将溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽掺杂氧化镓荧光材料。本申请的制备方法制备工艺较为简单，所制备材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光效果较好，可广泛应用于发光领域。
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