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公开(公告)号：CN116661024A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310620408.8
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 几何相位型超表面受光束偏振态的影响,单元结构仅在特定偏振方向发生变化且产生对应的相位延迟,而偏振片的加入会导致入射光能量大大减小,使光学器件的能量利用率偏低。本设计提出一个双层级联结构，在衬底下方排列周期性的金椭圆柱阵列，使之进入的线偏振光转换为圆偏振光，作用相当于四分之一波片；在衬底上方利用几何相位原理排列不同方向角的TiO2矩形块，使转化后的圆偏振光在通过后会聚一点，达到聚焦效果。将该设计和数值孔径相同，但无偏振转换的圆偏振入射的超透镜做对比，有效验证了该集成超表面的偏振转换与聚焦功能。这样的设计思路不仅可以应用于超透镜聚焦，还可以应用在消色差超透镜上。
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公开(公告)号：CN115542563A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211288631.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯等离子体诱导透明的太赫兹偏振分束器，由硅衬底和两层电介质薄膜及三成石墨烯结构组成。基于等离子体诱导透明的原理，本发明可以实现将两个正交的偏振态在空间上进行分离的功能，具有较高的消光比(PER)和较低的插入损耗(IL)；并且基于石墨烯的动态可调性，偏振分束器的工作频点可以通过改变石墨烯的费米能级进行调谐，这为基于石墨烯的可调谐偏振器件提供了可靠的结果。本发明新颖的结构设计和优异的性能，有望广泛应用于今后光电子器件的设计中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116819659A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310626575.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多层石墨烯的多功能偏振选择性吸波器，该滤波器的结构是以金为衬底，二氧化硅介质层和三层不同结构的石墨烯构成，基于耦合模理论(CMT)，利用两个两亮模式和一个暗模式的耦合形成了三峰吸收，本发明可以通过分别施加在三个石墨烯模块的电压改变石墨烯的费米能级，实现完美吸收、电光开关、折射率传感、单一波长TM偏振平面光的完美吸收的功能，各种功能性能均良好，该发明对于光电集成和多功能光学器件有较好的发展前景。
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公开(公告)号：CN115542437A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211287322.X
申请日：2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种嵌入式结构可调短波段共焦纵向双焦点超透镜，首先在实现采样精度高而要求周期小的情况下，对结构单元采用1：1的嵌入式比例，可以降低深宽比的限制。根据广义斯涅尔定律求解出不同空间位置的相位，构建超透镜。数值分析表明在λ＝600nm线偏振光时，焦距偏差约为2.2％，焦点半高全宽(FWHM)打破了衍射极限，具有高精度要求。在650～550nm下，焦距最大误差2.39um，因为焦深的存在，误差可以忽略；在波长550nm处出现明显纵深强度相当的双焦点；在550～490nm处表现处一个数值孔径更大、FWHM仅为0.5um的强度可调的焦点。因此本设计的超透镜可以实现消高宽比、纵向双焦点聚焦、强度可控、短波段共焦的特性，可应用在彩色成像，光路复用，透镜聚焦集成器件上。
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公开(公告)号：CN115480332A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211289423.0
申请日：2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明公开了一种纳米方环‑圆柱体耦合结构阵列全介质颜色滤波器，该滤波器的结构是以二氧化硅材料为衬底及其上为周期的介质纳米阵列单元结构构成的，该结构是由在方环和在方环中心位置内放置一个圆柱体组合所构成，方环的厚度为20nm，介质纳米阵列材料为硅；衬底的形状为矩形高度为60nm，利用光激发硅纳米结构的mie共振和波长和材料尺寸的密切相关性来滤出颜色。本发明可以改变圆柱的半径、改变方环的边长、改变纳米方环和纳米柱的高度和阵列的周期来改变阵列的周期刻蚀矩来调控所滤出的颜色，其滤出的颜色色域宽、具有良好的颜色饱和度。
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公开(公告)号：CN116454642A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310620401.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种可调谐窄带太赫兹吸收器，该吸收器自下而上分别是完美电导体(PEC)衬底，周期性的电介质纳米阵列单元结构，以及覆盖在电介质结构上的二维黑磷薄膜。其中，电介质纳米阵列单元结构由嵌入了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA,n＝1.5)圆柱体的方形硅块(n＝3.42)组成，嵌入的圆柱体与硅块具有相同的高度h。黑磷的电子掺杂浓度为3×1013cm‑2，利用黑磷薄膜与具有折射率差的介质表面发生的等离子体激元共振效应，可以在太赫兹波段内产生共振从而达到完美吸收的效果。本发明可以通过改变电介质圆柱的直径D，电介质层高度h，以及黑磷电子的掺杂浓度，可以在TM、TE偏振下达到高吸收率，并且在66～75μm波段范围内，实现共振吸收峰的动态调控。
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公开(公告)号：CN116299827A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310249284.7
申请日：2023-03-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了基于金棒和金孔阵列复合结构的中红外偏振转换器，由二氧化硅衬底和上层金棒—蜂窝状金孔阵列复合的超表面结构组成的。本发明可以实现线偏振—圆偏振光和圆偏振—圆偏振光的转换，具有较高的偏振转换率(PCR)，这为高性能偏振操纵器件的设计提供了可靠的结果；此外还发现了一些关于金棒旋转角度(θ)与手性之间的规律，为手性传感的设计也提供而一些方法。本发明新颖的结构设计和优异的性能，有望广泛应用于今后微纳偏振操纵器件的设计中。
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