一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路

    公开(公告)号:CN118939069A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411257461.7

    申请日:2024-09-09

    申请人: 重庆大学

    发明人: 甘平 张璐 唐枋

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本发明公开了一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路,涉及集成电路技术领域,包括启动电路、带隙核心电路和反馈电路;所述启动电路包括PMOS管:PM3、PM4与PM5、NMOS管:NM1、NM2、NM3与NM4和电阻:R7、R8、R9与R10,所述基准核心电路包括PMOS管:PM1、PM2,NPN管:Q1、Q2和电阻:R1、R2、R3与R4,所述反馈电路包括PMOS管:PM6、PM7、PM8、PM9与PM10,NMOS管:NM5、NM6、NM7、NM8和电阻:R5与R6。该面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路,具有功耗低、精度高和版图面积小的优点,可以为宽输入电压范围LDO提供高精度的基准电压和稳定的低压电源轨。

    一种电压参考电路及电压校准方法

    公开(公告)号:CN118939068A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411181072.0

    申请日:2024-08-27

    发明人: 闵闯

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本申请实施例提供一种电压参考电路及电压校准方法,包括:第一补偿模块和第二补偿模块,第一补偿模块至少包括第一运算放大器、采样保持电路、校准电路和调节电阻,第一运算放大器通过采样保持电路与校准电路相连,校准电路通过调节电阻与第一运算放大器相连;且校准电路还与第二补偿模块相连,第二补偿模块还包括第二运算放大器和第五电阻;第一补偿模块通过第五电阻与第二补偿模块相连;其中,第一补偿模块用于对输出参考电压的温度系数进行一阶补偿,第二补偿模块用于对输出参考电压的温度系数进行二阶补偿,通过对三极管发射极‑基极电压曲率进行二阶补偿,进一步降低输出参考电压温度系数。

    一种简易可调的惠斯通电桥稳压电路

    公开(公告)号:CN115454193B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202210983323.1

    申请日:2022-08-16

    IPC分类号: G05F1/565 G05F1/567

    摘要: 本发明提出一种简易可调的惠斯通电桥稳压电路,通过设置比较器检测惠斯通电桥顶部A点与底部D的电压,并将比较信号输出至控制器,控制器根据比较信号向开关模块输出控制信号控制开关模块的关断和导通,从而控制电压VA增大或减小,实现了惠斯通电桥两端供电电压始终保持浮动稳定;通过设置第一调节电路和第二调节电路,实现了当惠斯通电桥中电阻R1和电阻R2因环境温度或待测流量变化造成阻值变化时,惠斯通电桥供电端D与惠斯通电桥供电端A之间的电压差完全由供电电源VCC、第一调节电路或第二调节电路决定,与其他因素无关,可以轻松地调节惠斯通电桥两端供电电压。

    电流调节装置、方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN114879802B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202210724979.1

    申请日:2022-06-23

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本发明实施例提供了一种电流调节装置、方法、装置、电子设备及计算机存储介质,该电流调节装置包括:至少两个电流调节电路,至少两个电流调节电路之间并联连接;至少两个电流调节电路中的每个电流调节电路包括:第一支路和参考电压输出电路,第一支路为热敏电阻和第一电阻串联形成的支路,第一支路两端的电压为金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电压;其中,热敏电阻的电阻值与金属氧化物半导体场效应晶体管的温度值成正相关,参考电压输出电路用于向热敏电阻的两端提供直流参考电压。

    一种抗干扰和快建立的基准电压缓冲电路

    公开(公告)号:CN118838466A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202411313451.0

    申请日:2024-09-20

    发明人: 高一凡

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本发明公开了一种抗干扰和快建立的基准电压缓冲电路,属于集成电路技术领域。该基准电压缓冲电路包括闭环参考电压产生电路和开环输出驱动电路;所述闭环参考电压产生电路包括滤波电路、运算放大器A1、源级跟随器、电流镜电路和断电开关,所述滤波电路的一端电连接于参考电压输入VREFN_IN、另一端电连接于所述运算放大器A1的输入端,所述运算放大器A1的输出端电连接于所述电流镜电路,所述电流镜电路与所述断电开关电连接;所述开环输出驱动电路包括电容阵列,所述电容阵列的一端分别与源级跟随器和电流镜电路电连接、另一端与参考电压输出VREFN_OUT电连接。本发明能够有效提高基准电压缓冲电路的抗干扰能力和加快基准电压缓冲电路的恢复建立速度。

    一种基于高精度ADC与负反馈闭环的电源控制器输出电压控制方法及装置、计算设备、计算机程序产品

    公开(公告)号:CN118838464A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202410807490.X

    申请日:2024-06-21

    发明人: 江志 赵立杰

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本发明公开了一种基于高精度ADC与负反馈闭环的电源控制器输出电压控制方法及装置、计算设备、计算机程序产品,包括:通过模数转换器ADC实时采集电源的输出电压信号并将其转换为数字信号;根据温度补偿算法对模数转换器ADC和数模转换器DAC读数进行调整并转换得到数字信号,比较生成误差信号;将误差信号输入模糊自适应PID控制算法生成控制信号;根据模拟电压信号调整电源输出电压,直至实际输出电压与预设参考电压值之间的误差达到预设阈值范围内。本发明采用模糊自适应PID控制算法对误差信号进行处理,实现对输出电压的快速控制。对控制信号传输过程中的噪声和干扰进行抑制,进一步保证电源输出电压的控制精度。

    快速启动的带隙基准源电路
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118819227A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410958053.8

    申请日:2024-07-17

    发明人: 邵博闻

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本发明提供一种快速启动的带隙基准源电路,包含有输出电路、运放电路、电流镜电路;输出电路中包含有第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第十MOS管以及第十一MOS管;第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管的栅极连接在一起并与第十MOS管的漏极连接,形成偏置端;第十MOS管的栅极通过第四电阻连接至电源;第十MOS管的源极接地;第十一MOS管的栅极接输出的基准电压,其漏极接第四电阻,源极接地;调节电路包括;第十二MOS管,第十二MOS管的栅极与第十MOS管的栅极连接,第十二MOS管的漏极连接至电源,第十二MOS管的源极连接至电流镜的栅极电压。本发明能够提高输出电路的输出端电压达到稳定状态的速度,且达到稳定状态后不形成额外功耗。

    带隙电压基准电路及电子设备
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118778759A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410746350.6

    申请日:2024-06-11

    发明人: 王逸群

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本公开涉及电路领域,更具体地,本公开涉及一种带隙电压基准电路、及电子设备。包括:零温度系数电压生成电路、NMOS开关管、带有翻转开关的运算放大电路和自举陷阱滤波器;零温度系数电压生成电路与运算放大电路的输入端连接,运算放大电路的输出端与自举陷阱滤波器的输入端连接;自举陷阱滤波器的输出端与NMOS开关管的栅极连接,自举陷阱滤波器用于消除运算放大电路输出的纹波,并升高运算放大电路输出的电压;NMOS开关管的漏级与电源连接,NMOS开关管的源极与零温度系数电压生成电路和带隙电压基准电路的输出端连接。

    一种使带隙基准快速建立且无过冲的低功耗启动电路

    公开(公告)号:CN118760336A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202411066384.7

    申请日:2024-08-05

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本发明公开了一种使带隙基准快速建立且无过冲的低功耗启动电路,属于模拟电子电路领域,包括自偏置电路、脉冲产生电路、启动电路和带隙基准核心电路;自偏置电路用于提供启动电路在启动过程中的偏置电流;脉冲产生电路在使能信号EN到来时产生一个负脉冲,用于打开启动电路;启动电路的作用是迫使带隙基准核心电路产生大电流,从而快速打破电路的零电流状态。带隙基准核心电路用于产生零温度系数的输出电压,同时该输出电压作为反馈电压返回到启动电路用于关闭启动电路。本发明使带隙基准在上电过程中功能正常,启动电路保证该过程的正常进行。同时要满足芯片发展低功耗,快响应,高可靠性的需求,保证安全性,方便装置的使用。

    一种可调整边界温度的带隙基准电路

    公开(公告)号:CN118760333A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410938873.0

    申请日:2024-07-12

    申请人: 南通大学

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本发明公开了一种可调整边界温度的带隙基准电路,其包括依次连接的PTAT产生电路、启动电路、CTAT产生电路和电流叠加电路;所述启动电路,用于提供偏置电压使基准电压源摆脱简并偏置点;所述PTAT产生电路与所述启动电路连接,用于根据工作于线性区的MOS管,生成正温度系数电流IPTAT;所述CTAT产生电路与所述启动电路连接,用于根据工作于亚阈值区的MOS管,生成负温度系数电流ICTAT;所述电流叠加电路与所述PTAT产生电路、CTAT产生电路连接,用于将所述电流IPTAT和所述电流ICTAT叠加,输出零温度系数电流。使用了PTAT产生电路与CTAT产生电路作为基准,再通过电流叠加电路输出零温度系数电流,可以解决现有温度系数调节灵活性低的技术问题。