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公开(公告)号：CN118819227A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410958053.8
申请日：2024-07-17
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 邵博闻
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种快速启动的带隙基准源电路，包含有输出电路、运放电路、电流镜电路；输出电路中包含有第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第十MOS管以及第十一MOS管；第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管的栅极连接在一起并与第十MOS管的漏极连接，形成偏置端；第十MOS管的栅极通过第四电阻连接至电源；第十MOS管的源极接地；第十一MOS管的栅极接输出的基准电压，其漏极接第四电阻，源极接地；调节电路包括；第十二MOS管，第十二MOS管的栅极与第十MOS管的栅极连接，第十二MOS管的漏极连接至电源，第十二MOS管的源极连接至电流镜的栅极电压。本发明能够提高输出电路的输出端电压达到稳定状态的速度，且达到稳定状态后不形成额外功耗。
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公开(公告)号：CN118778759A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410746350.6
申请日：2024-06-11
申请人： 歌尔微电子股份有限公司
发明人： 王逸群
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本公开涉及电路领域，更具体地，本公开涉及一种带隙电压基准电路、及电子设备。包括：零温度系数电压生成电路、NMOS开关管、带有翻转开关的运算放大电路和自举陷阱滤波器；零温度系数电压生成电路与运算放大电路的输入端连接，运算放大电路的输出端与自举陷阱滤波器的输入端连接；自举陷阱滤波器的输出端与NMOS开关管的栅极连接，自举陷阱滤波器用于消除运算放大电路输出的纹波，并升高运算放大电路输出的电压；NMOS开关管的漏级与电源连接，NMOS开关管的源极与零温度系数电压生成电路和带隙电压基准电路的输出端连接。
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公开(公告)号：CN118760336A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411066384.7
申请日：2024-08-05
申请人： 合肥科微芯测科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种使带隙基准快速建立且无过冲的低功耗启动电路，属于模拟电子电路领域，包括自偏置电路、脉冲产生电路、启动电路和带隙基准核心电路；自偏置电路用于提供启动电路在启动过程中的偏置电流；脉冲产生电路在使能信号EN到来时产生一个负脉冲，用于打开启动电路；启动电路的作用是迫使带隙基准核心电路产生大电流，从而快速打破电路的零电流状态。带隙基准核心电路用于产生零温度系数的输出电压，同时该输出电压作为反馈电压返回到启动电路用于关闭启动电路。本发明使带隙基准在上电过程中功能正常，启动电路保证该过程的正常进行。同时要满足芯片发展低功耗，快响应，高可靠性的需求，保证安全性，方便装置的使用。
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公开(公告)号：CN118760333A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410938873.0
申请日：2024-07-12
申请人： 南通大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种可调整边界温度的带隙基准电路，其包括依次连接的PTAT产生电路、启动电路、CTAT产生电路和电流叠加电路；所述启动电路，用于提供偏置电压使基准电压源摆脱简并偏置点；所述PTAT产生电路与所述启动电路连接，用于根据工作于线性区的MOS管，生成正温度系数电流IPTAT；所述CTAT产生电路与所述启动电路连接，用于根据工作于亚阈值区的MOS管，生成负温度系数电流ICTAT；所述电流叠加电路与所述PTAT产生电路、CTAT产生电路连接，用于将所述电流IPTAT和所述电流ICTAT叠加，输出零温度系数电流。使用了PTAT产生电路与CTAT产生电路作为基准，再通过电流叠加电路输出零温度系数电流，可以解决现有温度系数调节灵活性低的技术问题。
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公开(公告)号：CN118760329A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410898216.8
申请日：2024-07-05
申请人： 北京炎黄国芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明涉及一种自学习预判型电压补偿方法及其对应的系统、终端设备和可读存储介质，该方法包括以下步骤：首先在DC‑DC转换电路中部署高灵敏度电流传感器以实时监测电流变化，然后将捕获的电流数据送入采样记录模块进行处理，并利用积分计算模型计算电压累积值和预测电压变化。基于预测结果，系统自动分析电压变化趋势并确定电压补偿需求，通过匹配当前电流变化事件与内部存储的电压补偿策略进行电压调整。本申请通过集成高灵敏度电流传感器、采样记录模块、积分计算模型以及安全评估机制，实现了对DC‑DC转换电路中电流变化的实时监测和分析，并基于自学习算法优化电压补偿策略，从而有效维持输出电压的稳定性。
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公开(公告)号：CN118732770A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410964900.1
申请日：2024-07-18
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明属于集成电路技术领域，涉及一种宽输入电压范围低温漂带隙基准电路。包括预稳压电路、启动电路、偏置电路和带隙基准核心电路；预稳压电路将输入电压转换为预稳压，产生偏置电压；预稳压为启动电路、偏置电路和带隙基准核心电路供电；启动电路接收到预稳压电路的偏置电压后，为带隙基准核心电路提供电流或为抬升电压以启动，在启动完成后，启动电路关闭；偏置电路为带隙基准核心电路的电流镜提供偏置电压，以使得其在正确工作点运行；带隙基准核心电路能进行高阶补偿，产生低温漂系数的带隙基准电压。本发明具有低温漂、低线性调整率、低静态电流、核心结构简单的优点，可为宽输入LDO等电路提供基准电压，适用于基站、汽车电子应用场景。
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公开(公告)号：CN118732769A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410958854.4
申请日：2024-07-17
申请人： 浙江湖州新京昌电子有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明属于集成电路技术领域，公开了一种低温度系数的低压差线性稳压器电路及控制方法，包括带隙基准模块、调整分压和数字控制模块。带隙基准模块通过分段补偿提供具有较低温度系数的基准电压，调整分压模块通过调节电阻分压得到理想的输出电压，数字控制模块通过控制该电路的开启与关断从而降低功耗。本发明能在宽电压范围下工作，具有优秀的温度系数，可广泛适用于各种电源管理相关的电路与系统，解决了现有低压差线性稳压器其温度系数不够优秀的问题。
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公开(公告)号：CN117784874B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311828310.8
申请日：2023-12-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种抗辐射亚阈值带隙基准电流源电路，是一种应用在5V～20V宽电源电压场景下的电路，具体包括自适应启动电路、电路加固温度补偿电路、镜像电流输出级电路及负反馈放大电路。本发明在对温度补偿电路做了电路加固处理的同时，也对MOS器件进行围栅结构设计做器件加固处理。本发明基于电路加固设计、器件加固等多种加固方法，在实现抗辐射抑制的同时，无需过多的电路，能有效减少版图面积，能有效解决在总剂量在总剂量300Krad(Si)以内的辐射环境下的应用场景，提供的电流偏差在5％以内。
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公开(公告)号：CN113885640B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111234236.8
申请日：2021-10-22
申请人： 杭州思泰微电子有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明涉及模拟电路技术领域，具体为一种高精度带隙基准电压源电路，其能够消除传统结构中运算放大器的失调电压对基准电压的影响，大大提高基准电压的精度，其包括电源VDD，所述电源VDD连接MOS管M0的源端，所述MOS管M0的漏端连接电阻R1，所述电阻R1另一端分别连接电阻R2一端和电阻R3一端，所述电阻R2另一端连接电阻R4一端，所述电阻R4另一端连接三极管Q1的发射极、所述电阻R3另一端连接三极管Q2的发射极，所述三极管Q1和所述三极管Q2的集电极、基极均接地。
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公开(公告)号：CN118689275A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410433151.X
申请日：2024-04-11
申请人： 西安理工大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了无电阻式基准电流源电路，包括第一电流产生模块、第二电流产生模块、平方根电路单元模块，平方根电路单元模块分别连接有第一电流产生模块、第二电流产生模块。本发明基于电子和空穴迁移率所表现的不同温度特性，用工作在线性区的NMOS和PMOS分别作电阻来产生两支路基准电流，并将其通过平方根电路输出，得到低温度系数的基准电流且有效减小了芯片面积；同时，利用工作在亚阈值区的MOS管，有效降低了电路功耗。
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