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公开(公告)号：CN117525205A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311562464.7
申请日：2023-11-20
申请人： 武汉纺织大学 , 岳阳渔美康生物科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/208 , H01L31/0272 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K71/00 , H10K99/00
摘要： 本发明公开了一种微波辅助旋涂法制备硒薄膜太阳能电池的方法，包括以下步骤，在透明基底上依次制备透明电极层、二氧化钛致密层和二氧化钛介孔层，制备完毕后将其置于匀胶机的吸盘上，将硒溶液滴加在二氧化钛介孔层上旋涂，待溶剂挥发后在二氧化钛介孔层表面得到均匀铺展的非晶硒薄膜；进行微波辐照后该非晶硒薄膜在二氧化钛介孔层上生成多晶硒薄膜，得到硒光伏吸光层；在硒光伏吸光层上沉积空穴传输层；在空穴传输层上蒸镀金属电极，得到硒薄膜太阳能电池。本发明采用上述步骤，通过控制微波辐照功率和时间来获得物相单一、结晶晶粒大且排列致密的高质量三方晶系硒薄膜，进而提高硒基太阳能电池的器件性能。
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公开(公告)号：CN111732435B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202010280227.1
申请日：2020-04-10
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L31/0272 , H01L31/0288 , H01L31/028 , H01L31/0264 , C04B35/547 , C04B35/622
摘要： 围内的最高热电优值系数ZT为1.41～1.50的本发明提供了一种电力大功率器件用热电 BiTe基热电材料。制冷用的BiTe基热电材料，所述BiTe基热电材料包括；(Bi+Sb)：Te＝2：3，Mn占全部初始原料总量的摩尔百分比数
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公开(公告)号：CN110178233B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201780083182.5
申请日：2017-12-20
申请人： 株式会社LG化学
IPC分类号： H10N10/85 , H10N10/853 , H10N10/852 , H10N10/01 , H01L31/0272 , C01G51/00
摘要： 本发明提供了由化学式1：SxCo4Sb12‑y‑zQySnz表示的新的化合物半导体。在化学式1中：Q包括O、Se和Te中的至少一者；x、y和z意指各元素的摩尔比，并且0＜x≤l、0＜y＜12、0＜z＜12、0＜y+z＜12且y≥3x。此外，本发明涉及新的化合物半导体材料及其制备方法，所述新的化合物半导体材料具有优异的电导率以及增强的热电性能指数，从而能够用于各种用途，例如热电转换装置、太阳能电池等的热电转换材料。
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公开(公告)号：CN111850556B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010651962.9
申请日：2020-07-08
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/34 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/58 , C23C16/30 , H01L21/02 , H01L31/0272 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于二维硒化钴薄膜的室温宽光谱光电探测器及制备方法，利用双离子束溅射技术在衬底上溅射生长一定厚度的钴膜，在此基础上，以氯化钴粉末、硒粉为反应源，以氩气为载气，利用化学气相沉积法制备硒化钴薄膜。在硒化钴薄膜上设置与其欧姆接触的金属电极为源漏电极，构成二维硒化钴薄膜基光电探测器。所得的硒化钴薄膜基光电探测器在室温下首次可实现450纳米到10.6微米激光的宽光谱响应波段，其响应率高达2.58瓦/安。本发明提供了一种新型高性能二维材料基室温宽光谱光电探测器，拓展了二维硒化钴材料在光电领域及磁光领域的应用。
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公开(公告)号：CN113644146A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110906752.4
申请日：2021-08-09
申请人： 重庆文理学院
IPC分类号： H01L31/0272 , H01L31/0304 , H01L31/042 , H01L31/0749 , H01L31/18
摘要： 一种用于太阳能电池的薄膜，其成分的化学表达为AgInxSbS(2+3x/2)(Se)，其中x=0.25~1.0；本发明中AgInxSbS(2+3x/2)(Se)薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，本发明方法降低了Se对薄膜结构损害，制备的薄膜致密性、均匀性优异，以该薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgInxSbS(2+3x/2)(Se)/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到20.65mA cm‑2，FF达到42.8%，PEC达到最大值为1.98%，EQE达到70%；均有优异的稳定性。
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公开(公告)号：CN110828602B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911028902.5
申请日：2019-10-28
申请人： 暨南大学
IPC分类号： H01L31/073 , H01L31/0272 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法，该硒化锑薄膜太阳电池在生长p型硒化锑吸收层之前插入p型硒化锑种子层，并且采用单一连续热过程生长p型硒化锑种子层以及p型硒化锑吸收层，促进晶粒外延和连续性生长，实现具有择优取向的高质量硒化锑薄膜，从而有效的促进电子的抽取和运输，进而提升硒化锑太阳电池器件的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN111384213B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010118719.0
申请日：2020-02-26
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/108 , H01L31/0272 , B82Y40/00 , B82Y15/00
摘要： 本发明公开了一种硒纳米线光电检测器及制备方法，所述光电检测器可用于检测可见光、紫外光。制备方法包括以下步骤：硒纳米线的合成、选取与转移、沉积等过程，制备出可应用于传感器、光电元件、量子导线、微激光器、电子探针、微型机械臂的硒纳米线，以及制备出对可见光、紫外光有灵敏响应的光电检测器。该器件的制备方法简单易行且成本低，为紫外可见光的检测提供极大的便利，十分具有产业利用价值。
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公开(公告)号：CN111864006A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010575624.1
申请日：2020-06-22
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0272 , H01L31/18
摘要： 本发明公开一种基于引入氧缺陷的多层二维过渡金属硫化物(TMDs)高性能光电器件及制备，属于材料应用技术领域。本发明包括：P型硅衬底、二氧化硅绝缘层、多层TMDs、漏极和源极；所述的源极、漏极、多层TMDs均位于二氧化硅/硅(SiO2/Si)衬底上，其中Si为栅极。本发明还公开了一种简易地增强上述光电器件性能的方法。该光电探测器件实现具有更强响应率并且和较快响应速度的性能。
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公开(公告)号：CN111850556A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010651962.9
申请日：2020-07-08
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/34 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/58 , C23C16/30 , H01L21/02 , H01L31/0272 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于二维硒化钴薄膜的室温宽光谱光电探测器及制备方法，利用双离子束溅射技术在衬底上溅射生长一定厚度的钴膜，在此基础上，以氯化钴粉末、硒粉为反应源，以氩气为载气，利用化学气相沉积法制备硒化钴薄膜。在硒化钴薄膜上设置与其欧姆接触的金属电极为源漏电极，构成二维硒化钴薄膜基光电探测器。所得的硒化钴薄膜基光电探测器在室温下首次可实现450纳米到10.6微米激光的宽光谱响应波段，其响应率高达2.58瓦/安。本发明提供了一种新型高性能二维材料基室温宽光谱光电探测器，拓展了二维硒化钴材料在光电领域及磁光领域的应用。
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公开(公告)号：CN109461789B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201811336879.1
申请日：2018-11-12
申请人： 郑州大学
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了基于二维二硒化钯纳米薄膜与锗的自驱动异质结型红外光电探测器及其制备方法，是在锗基底表面平铺有二维二硒化钯纳米薄膜，在二维二硒化钯纳米薄膜和锗基底上分别设置有与其呈欧姆接触的金属电极，二硒化钯与锗形成异质结、两金属电极作为两输出级，即构筑成为自驱动异质结型红外光电探测器。本发明的自驱动异质结型红外光电探测器，制备工艺简单，在室温下实现了宽响应波段、高响应度、高探测率和快响应速度，为高性能宽波段红外探测器设计提供了一种途径。
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