公开(公告)号：CN208925986U

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201721620878.0

申请日：2017-11-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 郑明珍 ,  高京门 ,  朴致成 ,  金玟冏 ,  朴哲熙 ,  闵裕镐

IPC: A47J37/07

Abstract: 本实用新型所涉及的烤串装置包括：加热部、与上述加热部对应的冷却部、位于上述加热部的上部的签子、位于上述加热部与上述冷却部之间的热电元件、与上述热电元件连接并由上述热电元件接受电力的马达部、以及将上述马达部与上述签子之间连接并使上述签子旋转的驱动单元。根据本实用新型，即使在野外没有电池等电源也使签子自动旋转。

公开(公告)号：CN109314171B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201880002373.9

申请日：2018-02-12

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  金玟冏 ,  郑明珍 ,  朴致成

IPC: H01L35/16 ,  C01G51/00 ,  H01L35/34 ,  H01L31/0272

Abstract: 本发明提供了可以用于热电材料、太阳能电池等的由以下化学式1表示的新化合物半导体材料、其制备方法、以及使用其的热电转换装置或太阳能电池。[化学式1]NdxSyCo4Sb12‑zQz，其中Q为选自O、Se和Te中的至少一者，条件是0

公开(公告)号：CN109275341B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201780025805.3

申请日：2017-12-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  朴致成 ,  金玟冏

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0272 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L31/18 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及新的化合物半导体及其用途，其中所述新的化合物半导体包含：Co‑Sb方钴矿化合物；包含在所述Co‑Sb方钴矿化合物的内部空隙中的Sn和S；和取代所述Co‑Sb方钴矿化合物的Sb的Q，以及所述新的化合物半导体表示为[化学式1]SnxSyCo4Sb12‑zQz(其中在化学式1中，Q为选自O、Se和Te中的一种或更多种，0

公开(公告)号：CN110268107B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201880010712.8

申请日：2018-09-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C30B29/46 ,  C30B33/02 ,  H01L35/14

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]MyV1‑ySnxSb2Tex+3在上式1中，V为空位，M为碱金属，x≥6，以及0＜y≤0.4。

公开(公告)号：CN110268107A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201880010712.8

申请日：2018-09-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C30B29/46 ,  C30B33/02 ,  H01L35/14

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]MyV1-ySnxSb2Tex+3在上式1中，V为空位，M为碱金属，x≥6，以及0＜y≤0.4。

公开(公告)号：CN110088924A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201880004598.8

申请日：2018-06-05

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供了由以下化学式1表示的新的含硫属元素化合物、用于制备其的方法以及包含其的热电元件，其中所述含硫属元素化合物即使在低温下、特别是在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且由于其独特的晶格结构引起的优异的电导率和低的热导率还表现出显著更优的功率因数和热电性能指数：[化学式1]V1-2xSn4Bi2-xAg3xSe7，在上式1中，V为空位，0

公开(公告)号：CN110177759B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201880006756.3

申请日：2018-05-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  金宰贤 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、用于制备其的方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]V1‑xMxSn4‑yPbyBi2Se7‑zTez，在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，y大于0且小于4，以及z大于0且小于或等于1。

公开(公告)号：CN110114305B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201880005390.8

申请日：2018-05-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在低温下、特别是在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数。[化学式1]V1‑xMxSn4Bi2Se7‑yTey在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，以及y大于0且小于或等于1。

公开(公告)号：CN109415208A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201880002728.4

申请日：2018-03-19

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 闵裕镐 ,  金玟冏 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明涉及新的含有硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含有硫属元素的化合物即使在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且具有高的输出因子和热电优值。

公开(公告)号：CN109314171A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201880002373.9

申请日：2018-02-12

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  金玟冏 ,  郑明珍 ,  朴致成

IPC: H01L35/16 ,  C01G51/00 ,  H01L35/34 ,  H01L31/0272

Abstract: 本发明提供了可以用于热电材料、太阳能电池等的由以下化学式1表示的新化合物半导体材料、其制备方法、以及使用其的热电转换装置或太阳能电池。[化学式1]NdxSyCo4Sb12-zQz，其中Q为选自O、Se和Te中的至少一者，条件是0