公开(公告)号：CN208925986U

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201721620878.0

申请日：2017-11-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 郑明珍 ,  高京门 ,  朴致成 ,  金玟冏 ,  朴哲熙 ,  闵裕镐

IPC: A47J37/07

Abstract: 本实用新型所涉及的烤串装置包括：加热部、与上述加热部对应的冷却部、位于上述加热部的上部的签子、位于上述加热部与上述冷却部之间的热电元件、与上述热电元件连接并由上述热电元件接受电力的马达部、以及将上述马达部与上述签子之间连接并使上述签子旋转的驱动单元。根据本实用新型，即使在野外没有电池等电源也使签子自动旋转。

公开(公告)号：CN109314171B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201880002373.9

申请日：2018-02-12

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  金玟冏 ,  郑明珍 ,  朴致成

IPC: H01L35/16 ,  C01G51/00 ,  H01L35/34 ,  H01L31/0272

Abstract: 本发明提供了可以用于热电材料、太阳能电池等的由以下化学式1表示的新化合物半导体材料、其制备方法、以及使用其的热电转换装置或太阳能电池。[化学式1]NdxSyCo4Sb12‑zQz，其中Q为选自O、Se和Te中的至少一者，条件是0

公开(公告)号：CN109275341B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201780025805.3

申请日：2017-12-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  朴致成 ,  金玟冏

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0272 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L31/18 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及新的化合物半导体及其用途，其中所述新的化合物半导体包含：Co‑Sb方钴矿化合物；包含在所述Co‑Sb方钴矿化合物的内部空隙中的Sn和S；和取代所述Co‑Sb方钴矿化合物的Sb的Q，以及所述新的化合物半导体表示为[化学式1]SnxSyCo4Sb12‑zQz(其中在化学式1中，Q为选自O、Se和Te中的一种或更多种，0

公开(公告)号：CN106688047A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580048621.X

申请日：2015-09-01

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 朴致成 ,  朴哲凞 ,  李哈娜 ,  郑汉娜 ,  金宰贤 ,  田信姬 ,  成恩圭 ,  李秀贞

IPC: H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: H05K1/09 ,  C08J7/123 ,  C08J2369/00 ,  C08K3/22 ,  C08K2003/2248 ,  C08K2003/2293 ,  C23C18/1612 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/2013 ,  C23C18/204 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H05K1/0353 ,  H05K3/105 ,  H05K3/181 ,  H05K2201/032

Abstract: 本发明涉及一种用于形成导电图案的组合物、使用该组合物形成导电图案的方法以及具有该导电图案的树脂结构，所述组合物能够通过非常简单的工艺在各种聚合物树脂产品或树脂层上形成微型导电图案。所述用于形成导电图案的组合物包含：聚合物树脂；以及包含第一金属、第二金属和第三金属的非导电金属化合物，其中，所述非导电金属化合物具有三维结构，该三维结构包括：多个第一层(共边八面体层)，该第一层具有包含第一金属、第二金属和第三金属中的两种金属的彼此共有边的八面体彼此二维连接的结构；以及第二层，该第二层包含与第一层的金属不同类型的金属并且排列在相邻的第一层之间，其中，通过电磁辐射由所述非导电金属化合物形成包含第一金属、第二金属或第三金属或它们的离子的金属核。

公开(公告)号：CN116981718A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280020246.8

申请日：2022-07-13

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 黄大铉 ,  朴致成 ,  朴珉星 ,  全广胜

IPC: C08J5/04

Abstract: 本公开内容涉及聚合物复合材料和包含其的模制品。根据本公开内容，提供了通过包含纤维素纤维作为增强材料而能够在为环境友好的同时表现出优异的机械特性的聚合物复合材料。

公开(公告)号：CN110177759B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201880006756.3

申请日：2018-05-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  金宰贤 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、用于制备其的方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]V1‑xMxSn4‑yPbyBi2Se7‑zTez，在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，y大于0且小于4，以及z大于0且小于或等于1。

公开(公告)号：CN110114305B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201880005390.8

申请日：2018-05-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在低温下、特别是在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数。[化学式1]V1‑xMxSn4Bi2Se7‑yTey在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，以及y大于0且小于或等于1。

公开(公告)号：CN109415208A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201880002728.4

申请日：2018-03-19

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 闵裕镐 ,  金玟冏 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明涉及新的含有硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含有硫属元素的化合物即使在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且具有高的输出因子和热电优值。

公开(公告)号：CN109314171A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201880002373.9

申请日：2018-02-12

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  金玟冏 ,  郑明珍 ,  朴致成

IPC: H01L35/16 ,  C01G51/00 ,  H01L35/34 ,  H01L31/0272

Abstract: 本发明提供了可以用于热电材料、太阳能电池等的由以下化学式1表示的新化合物半导体材料、其制备方法、以及使用其的热电转换装置或太阳能电池。[化学式1]NdxSyCo4Sb12-zQz，其中Q为选自O、Se和Te中的至少一者，条件是0

公开(公告)号：CN109275341A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201780025805.3

申请日：2017-12-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  朴致成 ,  金玟冏

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0272 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L31/18 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明涉及新的化合物半导体及其用途，其中所述新的化合物半导体包含：Co-Sb方钴矿化合物；包含在所述Co-Sb方钴矿化合物的内部空隙中的Sn和S；和取代所述Co-Sb方钴矿化合物的Sb的Q，以及所述新的化合物半导体表示为[化学式1]SnxSyCo4Sb12-zQz(其中在化学式1中，Q为选自O、Se和Te中的一种或更多种，0