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公开(公告)号:CN116496088B
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN202310290656.0
申请日:2023-03-23
Applicant: 闪电箭邺(上海)激光科技有限公司
Inventor: 邓鸣慜
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种n型碲化铋基热电材料及其制备方法,涉及热电材料领域。本发明包括成分配置,高能球磨,SPS烧结等工艺步骤,采用碲化铋基体材料加入一定比重第二相材料的方式,所制备的热电材料为n型碲化铋基热电材料为Bi2Te2.7Se0.3+0.5wt%MgAgSb;通过阴离子位合金化以及加入制备的MgAgSb第二相调整载流子浓度,增加晶界,通过高能球磨结合SPS烧结工艺,获得不同尺度的微纳米粉末,有效增强对长短波波长声子的散射,获得较低的热导率,所制备的热电材料在中低温范围内有着较好的应用前景。
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公开(公告)号:CN118812265A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410838974.0
申请日:2024-06-26
Applicant: 福建理工大学 , 中国科学院兰州化学物理研究所
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , H10N10/852
Abstract: 本发明公开了一系列Misfit高熵层状结构化合物及其制备方法,属于无机非金属材料技术领域。本发明提供的Misfit高熵层状结构化合物的化学式如式(I)、式(II)或式(III)所示:[MX]1+δ[(HEMT)X2]n式(I);[(HEMM)X]1+δ[TX2]n式(II);[(HEMM)X]1+δ[(HEMT)X2]n式(III);其中,HEMM选自Sn、Pb、Bi、Sb、In、Ge或稀土元素中的四种或四种以上;HEMT选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd或Pt中的四种或四种以上;X选自S、Se或Te中的一种或多种;δ=0.08~0.28;n=1、2或3。本发明上述化合物具有层状错配结构以及高熵结构的特性,所得到的化合物烧结成块体后展现出一定的热电性能,在低热导、热电材料等应用领域具有较大潜力。同时,制备方法简易,反应周期短,成本低,可以获得高纯度的产物。
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公开(公告)号:CN118359437B
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202410802015.3
申请日:2024-06-20
Applicant: 深圳众诚达应用材料股份有限公司
IPC: C04B35/547 , H01L31/032 , H01L31/042 , C04B35/622 , C04B35/76 , C23C14/06 , C23C14/35
Abstract: 本申请涉及靶材技术领域,提供了一种铜铟镓硒靶材及其制备方法和太阳能电池,该铜铟镓硒靶材的制备方法包括:制备铜铟镓硒浆料;将所述铜铟镓硒浆料注入铜骨架中,进行抽滤处理,形成坯体;将所述坯体进行脱脂处理,然后进行真空烧结处理,得到铜铟镓硒靶材。本申请提供的铜铟镓硒靶材的制备方法,通过制备铜铟镓硒浆料并注入铜骨架中抽滤形成坯体,防止硒挥发和低熔点元素损失,从而能精准控制靶材成分配比,提高原料利用率。并且,油性溶剂可以保护铜银镓合金颗粒以防氧化,以降低靶材氧含量,减小电阻,而且可使用粒径更小的铜银镓合金颗粒,从而具有更大的比表面积和更多的接触点,在烧结过程中更易与硒粉粘结和团聚,提升靶材组织均匀性。
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公开(公告)号:CN118290151A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410295861.0
申请日:2024-03-15
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本申请属于靶材制备技术领域,公开了一种碲硒镉靶材的制备方法,该方法先将硒化镉、碲化镉按5~7:3的摩尔比混合,制得粉体,再将粉体装模、预压、真空压结,得到素坯,最后将素坯真空烧结、冷却,得到碲硒镉靶材,上述方法通过提升原料中硒化镉的相对添加量,使制得的碲硒镉靶材中富含游离物,而因为上述游离物的存在,使得碲硒镉靶材获得比碲化镉更高的载流子寿命,同时再加上硒还具有钝化碲硒镉中的缺陷的作用,进而降低了碲硒镉靶材内部的缺陷数量,并且在一定程度上提升了靶材的相对密度,此外,本申请还公开了一种碲硒镉靶材、碲硒镉粉末及其制备方法。
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公开(公告)号:CN114551992B
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202210266876.5
申请日:2022-03-17
Applicant: 蜂巢能源科技(无锡)有限公司
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525 , C04B35/547 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种硫化物固态电解质及其制备方法和应用,所述硫化物固态电解质的化学式为LiaSibSbcSdI1‑xBrx,其中,6≤a≤7,0.5≤b≤0.7,0.3≤c≤0.5,4.5≤d≤5.5,0
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公开(公告)号:CN117836253A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202280056686.9
申请日:2022-08-16
Applicant: 康宁公司
IPC: C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/12 , C04B35/44 , C04B35/447 , C04B35/462 , C04B35/495 , C04B35/547 , C04B35/626 , C04B35/632 , H01M4/00 , H01M4/04 , H01M4/1391
Abstract: 一种形成烧结组成物的方法,包括提供包含基于锂、钠、或镁的化合物的浆料前体;对浆料前体进行薄带成形以形成未加工薄带;及在500℃至1350℃范围内的温度下,将未加工薄带烧结历经少于60min范围内的时间以形成烧结组成物,其中浆料前体进一步包含溶剂及分散剂。分散剂可包括胺化合物、羧酸化合物、或其组合、混合物、或盐。
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公开(公告)号:CN117776724A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311729908.1
申请日:2023-12-15
Applicant: 先导薄膜材料(广东)有限公司
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本发明属于半导体领域,具体涉及一种导电In2Se3靶材的制备方法,包括如下方法:步骤1:将Cu2Se粉末和In2Se3粉末混合,得到混合粉末;步骤2:将混合粉末进行模压,得到靶坯;步骤3:在真空炉中,于真空状态下升温至700~800℃,然后真空状态下,保温30~60min;接着将炉内压力升高到35~40MPa,保温60~90min;保温结束后降压并停止加热得到靶材;所述Cu2Se粉末占Cu2Se粉末和In2Se3粉末总重量的2~10%。该方法通过控制Cu2Se的掺杂量,同时通过变压恒温的方式,可以得到相对密度大于96%,优选大于97%、阻率小于1250KΩ/cm,优选小于900KΩ/cm的产品。此外,本发明还提供了一种导电In2Se3靶材。
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公开(公告)号:CN111712958B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN201880089209.6
申请日:2018-03-26
Applicant: 丰田自动车欧洲公司
IPC: H01M10/052 , C01B25/08 , C01B25/14 , C01B17/20 , C04B35/547 , H01M10/0562
Abstract: 一种用于制造全固态电池用的固体电解质的方法(100),该固体电解质具有以下化学式XM2(PS4)3,其中P是磷,S是硫,X是锂(Li)、钠(Na)、银(Ag)或镁(Mg0.5),并且M是钛(Ti)、锆(Zr)、锗(Ge)、硅(Si)、锡(Sn)或X与铝的混合物(X+Al),并且该方法包括:混合粉末以获得粉末混合物;用该粉末混合物压制部件;和将部件烧结等于或大于100小时的时间段以获得固体电解质(16)。该固体电解质在使用CuKα线进行的X射线衍射测量中表现出以下位置处的峰:2θ=13.64°(±1°),13.76°(±1°),14.72°(±1°),15.36°(±1°),15.90°(±1°),16.48°(±1°),17.42°(±1°),17.56°(±1°),18.58°(±1°)和22.18°(±1°),其中IA是在13.64°(±1°)处的峰的以任意单位计的强度,并且IB是在23.34°(±1°)处的峰的以任意单位计的强度,(IA‑IB)/(IA+IB)>0。本公开还涉及制造固体电解质的方法。
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公开(公告)号:CN114835495B
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202110138674.8
申请日:2021-02-01
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本申请公开了一种择优取向的n型碲化铋烧结材料及其制备方法与应用,所述n型碲化铋烧结材料选自具有式Ⅰ所示化学式的化合物中的至少一种。所述择优取向的n型碲化铋烧结材料择优取向明显,且具有良好的电性能和热性能,具有良好的作为热电材料的应用。
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公开(公告)号:CN117430422A
公开(公告)日:2024-01-23
申请号:CN202311379276.0
申请日:2023-10-23
Applicant: 成都中建材光电材料有限公司
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请公开了一种碲化镉锭的制备方法,涉及材料合成技术领域。采用石英反应器进行碲化镉锭的制备,石英反应器包括石英内坩埚、石英外坩埚和石墨坩埚,石英内坩埚设置于石英外坩埚内,石英外坩埚设置于石墨坩埚内,石英内坩埚外侧套设有石英盖,石墨坩埚上设有石墨盖;碲化镉锭的制备方法,包括以下步骤:将碲锭和镉锭置于石英内坩埚,盖上石英盖,并在石英盖与石英外坩埚之间放置氧化硼颗粒,盖上石墨盖;通过梯级升温加热的方式对装有碲锭和镉锭的石英反应器进行压力烧结后,冷却,获得碲化镉锭。本申请所制备的碲化镉锭,产品收率高,品质稳定,可充分利用产品原料,经过单次合成的碲化镉锭质量较高,降低了工艺危险性,可实现连续化生产。
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