公开(公告)号：CN119100777A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411229078.0

申请日：2024-09-03

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 秦海明 ,  崔晨 ,  蒋俊 ,  罗朝华

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种高穿透射线探测材料及其制备方法，属于高穿透射线探测材料制备技术领域。本发明在Ce:YAG透明闪烁陶瓷的基础上，共同掺杂Ce3+、Mn2+、Cr3+、Si4+，各个元素之间协同发挥作用，共同改善Ce:YAG的光学性能；其中，Mn2+和其余成分作用，引起Ce3+的非辐射能量转移，发射强度增加，发射峰展宽并逐渐向红外光移动；Cr3+和Ce3+的共掺杂可提升光输出和光吸收强度等闪烁性能；Si4+掺杂可改善微观结构的均匀性，提高光学透明度，达到改善透明闪烁陶瓷的发光性能和探测效果的目的。

公开(公告)号：CN115141628B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202110338921.9

申请日：2021-03-30

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 王金忠 ,  罗朝华 ,  陈礼艳 ,  刘泽华 ,  宋倩倩 ,  蒋俊

IPC: C09K11/74 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请公开了一种无铅卤化物双钙钛矿纳米晶的制备方法，包括以下步骤；(S100)获取前驱体CsX的溶液L1；(S200)获取含有AgY、MZ和卤化氢的溶液L2；(S300)将溶液L1加入到溶液L2中，混合，反应，冷却，得到所述无铅卤化物双钙钛矿纳米晶。该制备方法制得的纳米晶组分均匀，尺寸均一，发光效率显著提高，实现了光谱的调节，发光颜色的转变。

公开(公告)号：CN114835495B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202110138674.8

申请日：2021-02-01

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 熊成龙 ,  石樊帆 ,  王泓翔 ,  谈小建 ,  胡皓阳 ,  刘国强 ,  蒋俊

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  H10N10/852 ,  H10N10/01

Abstract: 本申请公开了一种择优取向的n型碲化铋烧结材料及其制备方法与应用，所述n型碲化铋烧结材料选自具有式Ⅰ所示化学式的化合物中的至少一种。所述择优取向的n型碲化铋烧结材料择优取向明显，且具有良好的电性能和热性能，具有良好的作为热电材料的应用。

公开(公告)号：CN115072671B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202110274145.0

申请日：2021-03-15

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 满娜 ,  熊成龙 ,  刘国强 ,  谈小建 ,  蒋俊

IPC: C01B19/00 ,  C04B35/515 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  H10N10/852 ,  H10N10/01

Abstract: 本申请公开了一种锗铋碲基热电材料及其制备方法，所述锗铋碲基热电材料包括化学式GeAxBi2‑xTe4的化合物。本申请通过改变A、Bi的掺杂比例，特别是在掺杂Sb元素后，改变Bi和Sb的比例，能有效调控材料的载流子浓度，达到最佳范围，获得较大的功率因子。且得到的锗铋碲基热电材料为组织和性能分布均匀的单一相。

公开(公告)号：CN110098310B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201810090519.1

申请日：2018-01-30

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 梁少军 ,  徐静涛 ,  蒋俊 ,  刘永福 ,  乐松 ,  江浩川

IPC: H10N10/852 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明公开了一种SnSe基热电材料取向多晶的制备方法，将熔炼法与多次热压法相结合，首先将配制好的原料熔炼、铸锭，然后将铸锭球磨得到粉体，再将粉体热压得到块体，最后将块体进行多次热压，该方法简单易行，成本低廉。多次热压在塑性变形和重结晶过程中能够增强织构，提高取向性，提高电性能，从而提高SnSe基热电材料的热电优值。

公开(公告)号：CN112390647B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201910740308.2

申请日：2019-08-12

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 丁慧 ,  秦海明 ,  江宏涛 ,  冯少尉 ,  花蕙 ,  杜启萍 ,  蒋俊 ,  江浩川

IPC: C09K11/78 ,  C09K11/80 ,  C09K11/02 ,  C04B35/505 ,  C04B35/20 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明涉及一种紫外激发实现光谱拓展的核壳荧光陶瓷粉体及其制备方法。具体地，本发明公开了一种核壳荧光陶瓷粉体及其制备方法，所述粉体具有优异的发光性能。

公开(公告)号：CN113803920A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010557097.1

申请日：2020-06-17

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 肖昱琨 ,  蒋俊 ,  胡皓阳 ,  陈燕青 ,  孙鹏 ,  刘泽华 ,  尹亦农

IPC: F25C1/00 ,  F25B21/02 ,  F25C3/02

Abstract: 本申请公开了一种基于半导体制冷的制冰装置及真冰滑冰场，属于半导体制冷技术领域，能够解决现有传统滑冰场结冰速度慢、成本高，且对环境造成损害的问题。所述制冰装置包括：载冰单元和设置在载冰单元底部的至少一个制冷单元，载冰单元用于容置制冰用水；制冷单元包括半导体制冷片和水冷子单元；半导体制冷片包括相对设置的冷面和热面，冷面与载冰单元的底面紧贴，热面与水冷子单元紧贴；水冷子单元用于带走热面上的热量；制冰装置还包括电源控制单元，电源控制单元用于向半导体制冷片供电，以控制半导体制冷片制冷。本申请用于滑冰场制冰。

公开(公告)号：CN113328031A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202010905401.7

申请日：2020-09-01

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 胡皓阳 ,  蒋俊 ,  王泓翔 ,  罗国强 ,  肖昱琨 ,  熊成龙 ,  谈小建 ,  石樊帆

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 本申请公开了一种高强高效碲化铋块体，所述碲化铋块体为层片状；所述碲化铋块体为Bi0.5Sb1.5Te3+x的P型层片状碲化铋块体，其中，x取值范围为0～0.05；或为Bi2Te3‑ySey的N型层片状碲化铋块体，其中，y取值范围为0～0.3。本申请所提供的是一种具有特殊层片状结构，并具有高取向度和晶粒细化双重特征的碲化铋块体，所述碲化铋块体，无需切割和/或研磨成粉，可直接用于真空热压烧结或真空热变形烧结，实现快速制备高热电优值、高强度的碲化铋基热电材料。

公开(公告)号：CN108728097B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201710243412.1

申请日：2017-04-14

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 秦海明 ,  冯少尉 ,  蒋俊 ,  江浩川

IPC: C09K11/80 ,  H01L33/50

Abstract: 本申请公开了一种荧光介质材料，包括载体基元和荧光材料；所述荧光材料附着于所述载体基元的表面；所述载体基元的光子直线透过率为10％～95％。该荧光介质在入射光激发下可实现高效发光，能够广泛应用在大功率LED，高效发光照明器件和显示设备中。

公开(公告)号：CN111435698A

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201910030805.3

申请日：2019-01-14

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 王泓翔 ,  熊成龙 ,  罗国强 ,  胡皓阳 ,  雅克·纪尧姆·努丹 ,  蒋俊

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 本申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法。碲化铋基热电材料选自具有如式Ⅰ所示化学式的化合物中的至少一种。制备方法包括a)将含有Bi单质、Te单质、Sb单质或Se单质的混合物料加入储料管中、封管，然后依次进行熔炼、区域熔炼，得到区域铸锭；b)将所述区域铸锭进行热压织构化，即可得到所述碲化铋基热电材料。本申请提供的制备方法，可以有效提升多晶材料的取向性，调控其热电输运特性，优化其热电性能。