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公开(公告)号：CN118910735A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410959660.6
申请日：2024-07-17
申请人： 安徽工程大学
IPC分类号： C30B29/22 , C30B7/10 , H01L33/26 , H01L31/101 , C09K11/74
摘要： 本发明涉及无铅双钙钛矿发光材料技术领域，具体涉及一种无铅双钙钛矿单晶发光材料及其制备方法和应用，本发明以Cs2AgBiCl6为双钙钛矿基质，通过水热法掺杂In得到新型无铅双钙钛矿单晶发光材料，首次报道了具有间接带隙的无铅双钙钛矿的明亮发光，与非掺杂的Cs2AgBiCl6或Cs2AgInCl6相比，Cs2AgIn0.8Bi0.2Cl6的发光强度提高了100倍以上，研究结果表明，适宜的Bi/In比例打开了辐射跃迁的通道，除了带隙类型和跃迁宇称外，跃迁矩阵元也是决定双钙钛矿光电性能的重要因素，在设计用于光电领域的无铅双钙钛矿时，应考虑到跃迁矩阵元对其光电性能的影响。
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公开(公告)号：CN118853153A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410512634.9
申请日：2024-04-26
申请人： 隆达电子股份有限公司
摘要： 提供光转换材料及包括其的发光装置与显示装置。光转换材料以下式(I)表示：MmNnAaCcEeBb:Rr(I)，其中，M为Ca、Sr或Ba；N为Zn、Cd或其组合；A为B、Al或Ga；C为Si；E为O、S或Se；B为N、P、As、Sb或Bi；R为Eu、Sm或Yb；0.5≤m≤2；1≤n≤4；0≤a≤2；0.1≤c≤3.5；0≤e≤4；0.5≤b≤5.5；及0.1≤r≤1。
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公开(公告)号：CN118620606A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410485018.9
申请日：2024-04-22
申请人： 苏州大学
IPC分类号： C09K11/02 , H10K50/115 , C09K11/74 , C09K11/70 , C09K11/88 , C09K11/56 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N21/359 , G01N21/64 , G01N21/27
摘要： 本发明提供了一种具有核‑壳结构的短波近红外发射光的大尺寸砷化铟量子点及其制备方法与应用。该量子点包括砷化铟量子点核和带隙匹配的多个壳层结构。本发明通过向砷化铟种子溶液中注入砷化铟纳米簇控制砷化铟量子点核的大小，克服了奥斯瓦尔德熟化现象，砷化铟纳米簇的注入速度为0.1‑5ml/h，注入时间为60‑600分钟，体系反应温度为260‑300℃，之后向砷化铟量子点核中注入包壳所需前驱体，最终完成大尺寸核壳结构的砷化铟量子点。该量子点的荧光发射波长在1300‑3000纳米内连续可调，且粒径均匀，吸收谱的峰谷比大于1.2。基于砷化铟量子点制备的近红外发光二极管，起亮电压小于3V。因此在近红外发光器件、光电探测器或荧光探测器领域的实际应用潜力巨大。
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公开(公告)号：CN118461135A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310081507.3
申请日：2023-02-08
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种Mn掺杂Bi4Ge3O12闪烁材料及其制备方法和应用。所述Mn掺杂Bi4Ge3O12闪烁材料多晶粉末的化学通式为Bi4‑xGe3O12:xMn；其中，Mn离子的摩尔数x取值范围为0＜x≤10.0％，优选为0.1％≤x≤10.0％，更优选为0.5％≤x≤6.0％。
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公开(公告)号：CN118006320A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410154218.6
申请日：2024-02-02
申请人： 陕西科技大学
IPC分类号： C09K11/02 , C09D133/12 , C09D7/61 , C09K11/74 , C01G29/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , B05D1/28
摘要： 本发明公开了钙钛矿防伪材料，包括94.5～95.0％PMMA，0.11％～0.15％溴化铯，0.21％～0.25％溴化银，0.21％～0.25％溴化铋，0.1～0.15％辛胺，3.8～4.0％蓖麻油，其余为甲苯；还公开了制备方法：步骤1、制备PMMA甲苯溶液；步骤2、制备前驱体溶液；步骤3、取前驱体溶液滴加到PMMA甲苯溶液中，得钙钛矿防伪材料；还公开了基于该材料的不可克隆器件及其制备方法：步骤1、对皮革进行清洗；步骤2、制备钙钛矿防伪材料溶液；步骤3、将钙钛矿防伪溶液刷涂至皮革表面，干燥后得不可克隆器件。本发明提供的钙钛矿防伪材料，解决了现有技术不可克隆物理实体制造工艺复杂及适用性有限的问题。
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公开(公告)号：CN117965164A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311519295.9
申请日：2023-11-15
申请人： 西昌学院
摘要： 本发明公开了一种掺杂铈和铽的稀土铋酸盐发光材料及其制备方法，该发光材料的化学结构式为NaBiO3Cez:Tbw。该发光材料中存在能量传递，具体是从Ce3+传递到Tb3+，机理主要是偶极‑偶极产生相互作用，在Tb3+中，F能级与D能级存在较大能带，在545nm位置，Tb3+产生强绿光发射，在388nm紫外光激发下，含Ce3+的荧光粉呈现出蓝光发射，在378nm紫外光激发下，含Tb3+的荧光粉呈现绿光发射。本发明的发光材料的制备方法简单，仅通过简单的混合搅拌、离心、洗涤、干燥便可得到，工艺条件简单，节能降耗，并且获得的产品为沉淀，易于控制，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN117417743A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311270109.2
申请日：2023-09-28
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种基于液相配体交换的AgBiS2量子点及其太阳能电池的制备方法。本发明通过调节反应条件，实现了尺寸极其均匀的高度单分散AgBiS2量子点，这些高度单分散AgBiS2量子点导致了更高程度的液相配体交换，极大地促进了AgBiS2量子点之间载流子的分离与传输，从而能够构筑高性能的AgBiS2量子点太阳能电池；相比较于传统的层层旋涂固态制膜工艺制备AgBiS2量子点太阳能电池，本发明大大简化了AgBiS2量子点太阳能电池的制膜工艺，降低太阳能电池的构筑成本，并显著提升了AgBiS2量子点薄膜的导电性，极大降低了层层旋涂工艺对薄膜的破坏，能够更好的适应于高性能AgBiS2量子点太阳能电池工业化的生产。
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公开(公告)号：CN117229775A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311179931.8
申请日：2023-09-13
申请人： 浙江工业大学
IPC分类号： C09K11/66 , C09K11/74 , C09K11/61 , C01G21/00 , C01G29/00 , C01G19/00 , C01G3/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , G01N21/64
摘要： 本发明公开了一种无铅卤化物钙钛矿纳米晶体及在检测油脂过氧化值中的应用，所述无铅卤化物钙钛矿纳米晶体按如下步骤制备：将前体物质、油胺、油酸在N,N‑二甲基甲酰胺中，搅拌得到澄清的前体溶液；取前体溶液，加入氨水溶液，在1500rpm下剧烈搅拌1‑5min，得到加入氨水的前体溶液；取加入氨水的前体溶液快速加入到干燥溶剂中，重复离心1‑3次，收集最后离心的沉淀，即为无铅卤化物钙钛矿纳米晶体；本发明利用低毒、绿色的无铅卤化物钙钛矿纳米晶体在能提高荧光量子效率的溶剂中测定食用油过氧化值，提高检测方法的环境友好性，实现对食用油过氧化值检测的可视化、高灵敏度、低检测限等优点。
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公开(公告)号：CN117070216A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311020829.3
申请日：2023-08-14
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明的实施例涉及了一种超晶格量子点及其制备方法，属于量子点和低维异质结构技术领域。该超晶格量子点包括：具有范德华表面的衬底、量子点核壳层和超晶格外延层。量子点核壳层外延于衬底的范德华表面上，量子点核壳层与衬底的范德华表面通过范德华力结合，量子点核壳层由第一金属和砷组成，第一金属选自III‑V族金属。超晶格外延层外延于量子点核壳层上，超晶格外延层形成叠层结构或超晶格外延层与量子点核壳层形成叠层结构。本发明利用了超晶格量子点与衬底的范德华表面通过范德华力的相互作用，使得超晶格量子点能够形成核壳结构，并且通过超晶格外延层的叠层结构，控制该超晶格量子点的形貌和尺寸。
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公开(公告)号：CN117024353A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310939331.0
申请日：2023-07-28
申请人： 济南大学
摘要： 本发明公开了一种无机‑有机铋碘杂化半导体及其制备方法和应用。所述的杂化半导体分子式为(Me2biz)BiI4，式中的(Me2biz)+是带有一个正电荷的甲基化苯并咪唑阳离子，该材料中的(BiI4)–是由三价铋离子和碘离子配位形成的一维阴离子链。通过选择碘化铋、苯并咪唑、甲醇、丙酮和氢碘酸为反应原料和溶剂，在溶剂热反应条件下获得了化合物(Me2biz)BiI4的单晶，具有很好的稳定性和光催化CO2还原催化活性。
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