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公开(公告)号：CN117024353A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310939331.0
申请日：2023-07-28
申请人： 济南大学
摘要： 本发明公开了一种无机‑有机铋碘杂化半导体及其制备方法和应用。所述的杂化半导体分子式为(Me2biz)BiI4，式中的(Me2biz)+是带有一个正电荷的甲基化苯并咪唑阳离子，该材料中的(BiI4)–是由三价铋离子和碘离子配位形成的一维阴离子链。通过选择碘化铋、苯并咪唑、甲醇、丙酮和氢碘酸为反应原料和溶剂，在溶剂热反应条件下获得了化合物(Me2biz)BiI4的单晶，具有很好的稳定性和光催化CO2还原催化活性。
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公开(公告)号：CN117143043A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310939369.8
申请日：2023-07-28
申请人： 济南大学
IPC分类号： C07D277/62 , C02F1/30 , B01J31/02
摘要： 本发明公开了一种铋溴基无机‑有机杂化半导体及其制备方法和应用。所述的杂化半导体分子结构式为((Etbtz)Etbtz2+)2是带有两个正电荷Bi2Br10，式中的的乙基化的苯并噻唑阳离子，该材料中的(Bi2Br10)4–阴离子则是三价铋离子和溴离子配位形成的零维阴离子结构。通过选择溴化铋、硫酸锰、苯并噻唑、乙醇和氢溴酸为反应原料，在溶剂热的条件下获得了化合物(Etbtz)2Bi2Br10的单晶，可以用于光催化盐酸四环素降解。
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公开(公告)号：CN116924971A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310939460.X
申请日：2023-07-28
申请人： 济南大学
IPC分类号： C07D213/38 , C07C279/02 , C07C277/00 , G01J1/42 , H10K85/30
摘要： 本发明公开了一种零维铋基有机‑无机杂化半导体的制备方法及其应用。所述的杂化半导体分子式为(H2amp)(G)BiI6，式中的(H2amp)2+是双质子化的4‑(氨基甲基)吡啶阳离子，G+为质子化的胍离子，该材料中的(BiI6)–阴离子是由三价铋离子和碘离子配位形成的零维阴离子。通过选择氧化铋、4‑(氨基甲基)吡啶、碳酸胍、氢碘酸为反应原料，采用溶液法获得化合物(H2amp)(G)BiI6的单晶，可以用于光电探测领域。
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公开(公告)号：CN116947655A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310939428.1
申请日：2023-07-28
申请人： 济南大学
IPC分类号： C07C211/64 , H10K30/60 , H10K85/50 , C07C209/00 , C09K11/06 , C09K11/66
摘要： 本发明公开了一种二维铅基有机‑无机杂化光电半导体材料及其制备方法。所述的发光半导体分子结构式为(Br‑Hpy)2PbI4，该材料具有二维有机‑无机杂化类型的结构，其中二维无机层由PbI6八面体组成，每个八面体共用四个赤道面的I原子连接为沿bc平面无限延伸的(PbI4)2‑无机阴离子层，(Br‑Hpy)+阳离子作为有机间隔层与无机钙钛矿层交替排列。通过选择乙酸铅，对溴苯胺，乙胺和氢碘酸为反应原料，采用溶液法获得了化合物(Br‑Hpy)2PbI4的单晶，可以用于光电探测材料领域。
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公开(公告)号：CN116836127A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310939565.5
申请日：2023-07-28
申请人： 济南大学
IPC分类号： C07D277/24 , C09K9/02
摘要： 本发明公开了一种无机‑有机铋氯杂化材料及其制备方法和应用。所述的杂化材料分子式为(Hhpt)3(BiCl6)，式中的(Hhpt)+是带有一个正电荷的质子化的2‑(4‑羟基苯基)噻唑。通过选择BiCl3、2‑(4‑羟基苯基)噻唑、HCl、乙醇为反应原料，在溶剂热的条件下获得了化合物(Hhpt)3(BiCl6)的单晶，具有高效的可逆光致变色性能，用于制作光控开关。
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