公开(公告)号：CN118910735A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410959660.6

申请日：2024-07-17

Applicant: 安徽工程大学

Inventor： 王宝辰 ,  侯春园 ,  石贤中 ,  王祺晨 ,  姚祖杰

IPC: C30B29/22 ,  C30B7/10 ,  H01L33/26 ,  H01L31/101 ,  C09K11/74

Abstract: 本发明涉及无铅双钙钛矿发光材料技术领域，具体涉及一种无铅双钙钛矿单晶发光材料及其制备方法和应用，本发明以Cs2AgBiCl6为双钙钛矿基质，通过水热法掺杂In得到新型无铅双钙钛矿单晶发光材料，首次报道了具有间接带隙的无铅双钙钛矿的明亮发光，与非掺杂的Cs2AgBiCl6或Cs2AgInCl6相比，Cs2AgIn0.8Bi0.2Cl6的发光强度提高了100倍以上，研究结果表明，适宜的Bi/In比例打开了辐射跃迁的通道，除了带隙类型和跃迁宇称外，跃迁矩阵元也是决定双钙钛矿光电性能的重要因素，在设计用于光电领域的无铅双钙钛矿时，应考虑到跃迁矩阵元对其光电性能的影响。