公开(公告)号：CN114774114B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202210343092.8

申请日：2022-04-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  纪永强 ,  赵丽宸 ,  龚旗煌

IPC: C09K11/58 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种AgBiS2量子点超晶格的制备方法及其光电探测器。本发明通过调节反应条件获得高质量的AgBiS2量子点，随后通过后处理的工艺方法，赋予AgBiS2量子点“靶向”功能，随后通过自组装策略，将单个AgBiS2量子点自组装成超晶格；能将纳米级的性能转移到更大的尺寸，同时具有优于单个量子点的集体性质；随后将量子点超晶格作为光电探测器的功能层，通过添加界面修饰层，钝化器件的界面缺陷，优化器件的能级结构，最终获得高灵敏度、高信噪比、绿色环保的AgBiS2量子点光电探测器；AgBiS2量子点超晶格光电探测器没有重金属元素，整个器件采用溶液加工的方法，制作成本低，同时具有的高的稳定性以及优异的器件性能，因此具有很好的市场应用前景。

公开(公告)号：CN114774114A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210343092.8

申请日：2022-04-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  纪永强 ,  赵丽宸 ,  龚旗煌

IPC: C09K11/58 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种AgBiS2量子点超晶格的制备方法及其光电探测器。本发明通过调节反应条件获得高质量的AgBiS2量子点，随后通过后处理的工艺方法，赋予AgBiS2量子点“靶向”功能，随后通过自组装策略，将单个AgBiS2量子点自组装成超晶格；能将纳米级的性能转移到更大的尺寸，同时具有优于单个量子点的集体性质；随后将量子点超晶格作为光电探测器的功能层，通过添加界面修饰层，钝化器件的界面缺陷，优化器件的能级结构，最终获得高灵敏度、高信噪比、绿色环保的AgBiS2量子点光电探测器；AgBiS2量子点超晶格光电探测器没有重金属元素，整个器件采用溶液加工的方法，制作成本低，同时具有的高的稳定性以及优异的器件性能，因此具有很好的市场应用前景。

公开(公告)号：CN118317658A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410444145.4

申请日：2024-04-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  仲启轩 ,  纪永强 ,  赵丽宸 ,  龚旗煌

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/60 ,  H10K30/50 ,  H10K30/87 ,  H10K30/15

Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，具体涉及一种改性AgBiS2量子点薄膜及制备方法和应用、光电器件及制备方法。本发明提供的改性AgBiS2量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：将短链配体溶解于含有卤素的极性溶剂中，得到短链配体溶液；将AgBiS2量子点薄膜和所述短链配体溶液混合进行固相配体交换，得到改性AgBiS2量子点薄膜；形成所述AgBiS2量子点薄膜使用的AgBiS2量子点的表面配体为长链配体。以含有卤素的极性溶剂制备短链配体溶液在进行固相配体交换过程中能够很好的诱导短链配体与量子点中长链配体发生交换，所制备的改性量子点薄膜表面含有少量有机配体和缺陷，从而提高其在光电器件应用中的性能。

公开(公告)号：CN117417743A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311270109.2

申请日：2023-09-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  纪永强 ,  仲启轩 ,  赵丽宸 ,  龚旗煌

IPC: C09K11/74 ,  H10K71/00 ,  H10K30/30 ,  H10K85/30 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于液相配体交换的AgBiS2量子点及其太阳能电池的制备方法。本发明通过调节反应条件，实现了尺寸极其均匀的高度单分散AgBiS2量子点，这些高度单分散AgBiS2量子点导致了更高程度的液相配体交换，极大地促进了AgBiS2量子点之间载流子的分离与传输，从而能够构筑高性能的AgBiS2量子点太阳能电池；相比较于传统的层层旋涂固态制膜工艺制备AgBiS2量子点太阳能电池，本发明大大简化了AgBiS2量子点太阳能电池的制膜工艺，降低太阳能电池的构筑成本，并显著提升了AgBiS2量子点薄膜的导电性，极大降低了层层旋涂工艺对薄膜的破坏，能够更好的适应于高性能AgBiS2量子点太阳能电池工业化的生产。

公开(公告)号：CN117169946A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311139369.6

申请日：2023-09-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  邢仲宸 ,  纪永强 ,  边佳伟 ,  刘承恩 ,  杨再宏 ,  李奇特 ,  龚旗煌

IPC: G01T1/202 ,  C09K11/66 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于宇宙射线探测技术领域，提供了一种钙钛矿量子点作为闪烁体在宇宙射线探测中的应用。钙钛矿量子点CsPbnM1‑nX3(其中，X为Cl、Br和I中的一种或多种，M为锶、锌、镍、铜、铁和镁中的一种或多种，n的取值为0＜n≤1)具有立方结构，使其具有高的荧光量子产率、窄的半峰宽高、低的成核温度、成分与尺寸相关的荧光发射峰，使其能够作为闪烁体对高能射线进行探测。同时，通过调节原料中卤素Cl、Br、I的比例，可以使钙钛矿量子点发出的荧光的中心波长在可见光范围内任意调节，使其可以适配各种光电探测器。