公开(公告)号：CN118317658A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410444145.4

申请日：2024-04-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  仲启轩 ,  纪永强 ,  赵丽宸 ,  龚旗煌

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/60 ,  H10K30/50 ,  H10K30/87 ,  H10K30/15

Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，具体涉及一种改性AgBiS2量子点薄膜及制备方法和应用、光电器件及制备方法。本发明提供的改性AgBiS2量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：将短链配体溶解于含有卤素的极性溶剂中，得到短链配体溶液；将AgBiS2量子点薄膜和所述短链配体溶液混合进行固相配体交换，得到改性AgBiS2量子点薄膜；形成所述AgBiS2量子点薄膜使用的AgBiS2量子点的表面配体为长链配体。以含有卤素的极性溶剂制备短链配体溶液在进行固相配体交换过程中能够很好的诱导短链配体与量子点中长链配体发生交换，所制备的改性量子点薄膜表面含有少量有机配体和缺陷，从而提高其在光电器件应用中的性能。

公开(公告)号：CN117417743A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311270109.2

申请日：2023-09-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  纪永强 ,  仲启轩 ,  赵丽宸 ,  龚旗煌

IPC: C09K11/74 ,  H10K71/00 ,  H10K30/30 ,  H10K85/30 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于液相配体交换的AgBiS2量子点及其太阳能电池的制备方法。本发明通过调节反应条件，实现了尺寸极其均匀的高度单分散AgBiS2量子点，这些高度单分散AgBiS2量子点导致了更高程度的液相配体交换，极大地促进了AgBiS2量子点之间载流子的分离与传输，从而能够构筑高性能的AgBiS2量子点太阳能电池；相比较于传统的层层旋涂固态制膜工艺制备AgBiS2量子点太阳能电池，本发明大大简化了AgBiS2量子点太阳能电池的制膜工艺，降低太阳能电池的构筑成本，并显著提升了AgBiS2量子点薄膜的导电性，极大降低了层层旋涂工艺对薄膜的破坏，能够更好的适应于高性能AgBiS2量子点太阳能电池工业化的生产。

公开(公告)号：CN117042479A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311036753.3

申请日：2023-08-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  李雷 ,  陈鹏 ,  仲启轩 ,  赵丽宸 ,  龚旗煌

IPC: H10K30/82 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明提供了一种高导电性透明导电电极及其制备方法和应用，属于光电功能器件技术领域。本发明提供的高导电性透明导电电极包括透明衬底，所述透明衬底表面具有图案化凹槽；嵌于所述图案化凹槽中的金属栅线，所述金属栅线的高度大于所述图案化凹槽的深度；覆盖所述金属栅线和透明衬底表面的金属联结层；位于所述金属联结层表面的金属氧化物层，所述金属氧化物为所述金属联结层的氧化物。本发明利用金属栅线与金属联结层、金属氧化物层结合的方式极大地提高透明电极的导电性。同时，金属栅线微凸起的结构可以增大入射光在钙钛矿太阳能电池内部的散射以及吸光层的表面积，减小因为栅线遮光导致的光电流损失。