发明公开
- 专利标题: 超晶格量子点及其制备方法
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申请号: CN202311020829.3申请日: 2023-08-14
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公开(公告)号: CN117070216A公开(公告)日: 2023-11-17
- 发明人: 魏钟鸣 , 辛凯耀 , 翟慎强 , 杨珏晗 , 刘峰奇
- 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 吴梦圆
- 主分类号: C09K11/74
- IPC分类号: C09K11/74 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00 ; C09K11/02 ; B82Y20/00
摘要:
本发明的实施例涉及了一种超晶格量子点及其制备方法,属于量子点和低维异质结构技术领域。该超晶格量子点包括:具有范德华表面的衬底、量子点核壳层和超晶格外延层。量子点核壳层外延于衬底的范德华表面上,量子点核壳层与衬底的范德华表面通过范德华力结合,量子点核壳层由第一金属和砷组成,第一金属选自III‑V族金属。超晶格外延层外延于量子点核壳层上,超晶格外延层形成叠层结构或超晶格外延层与量子点核壳层形成叠层结构。本发明利用了超晶格量子点与衬底的范德华表面通过范德华力的相互作用,使得超晶格量子点能够形成核壳结构,并且通过超晶格外延层的叠层结构,控制该超晶格量子点的形貌和尺寸。
公开/授权文献
- CN117070216B 超晶格量子点及其制备方法 公开/授权日:2024-09-27