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公开(公告)号：CN113991419B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111232392.0
申请日：2021-10-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上制作填充窗口；将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面，形成沟槽并填充掩埋材料；通过腐蚀形成辅助脊；第一掺杂层和辅助脊上生长第二二氧化硅层；通过腐蚀在第二二氧化硅层上制备发光脊；在发光脊和辅助脊上分别制作沉积金属窗口；在该窗口内生长欧姆接触并制作第一正面金属电极；经处理之后，在衬底底部制作背面金属电极，解理处理后，得到芯片本体；在第一热沉材料表面制作第二正面金属电极；将芯片本体倒置烧结到第一热沉材料上；将带有芯片本体的第一热沉材料烧结到第二热沉材料上，得到掩埋异质结器件。
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公开(公告)号：CN116936623A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311011249.8
申请日：2023-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本公开提出了一种基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管，包括衬底、沟道层、栅介质层、栅极、源极和漏极。其中，沟道层为二维范德华沟道材料，以在外加电场的作用下产生载流子；栅介质层形成于沟道层之上，为二维范德华氟晶云母材料，与沟道层通过范德华力结合；栅极形成于栅介质层之上，用于向栅介质层施加栅压，使得栅介质层中产生用于调控沟道层中载流子迁移以形成电流的电场；源极和漏极分别形成于栅介质层的两侧，用于传输电流。
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公开(公告)号：CN114006267B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111310275.1
申请日：2021-11-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开实施例提供了一种波长6微米的激光器的有源区和激光器。该有源区包括：多个周期级联的子有源区；其中，每个周期的子有源区包括：第一注入区，第一注入区包括第一注入势垒；发光区，发光区包括：至少五个第一量子阱，位于上方的第一量子阱与第一注入区连接；以及至少四个第二注入势垒，相邻的两个第一量子阱之间至少设置一个第二注入势垒；第二注入区，第二注入区包括：至少四个沿预设方向依次连接的子注入区，子注入区包括沿预设方向连接的第三注入势垒和第二量子阱；其中，位于相对上方的子注入区的第三注入势垒与位于下方的第一量子阱连接，第二量子阱的厚度小于第一量子阱的厚度，第三注入势垒的厚度大于第二注入势垒的厚度。
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公开(公告)号：CN112670160B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011533170.8
申请日：2020-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种分子束外延兼容的二维材料衬底的制备方法，该制备方法包括制备第一过渡转移片；将二维材料放置在两个第一过渡转移片中间，其中，两个第一过渡转移片的金属薄膜层均与二维材料接触；加热第一过渡转移片，使部分二维材料融化嵌入金属薄膜层中，冷却后将两个第一过渡转移片分离，得到附有二维材料的第二过渡转移片；将第二过渡转移片附有二维材料的一面与待转移的衬底接触；加热衬底使二维材料附着在衬底上，降温后将第二过渡转移片与衬底分离，得到附有二维材料的衬底。本发明所述方法无需使用胶带等有机粘性物质，即可实现二维材料的解理、减薄、并转移至常规分子束外延衬底，所得衬底晶体质量高、无污染，超高真空兼容。
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公开(公告)号：CN113097861B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110344373.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开实施例提供了一种量子级联激光器芯片及制备方法。该量子级联激光器芯片包括：衬底；双沟脊结构，双沟脊结构设置于衬底上；第一电极，第一电极设置于双沟脊结构的目标表面上；两个半绝缘填充层，两个半绝缘填充层分别设置于双沟脊结构的两个侧面开设的凹槽中，形成针对半绝缘填充层的半绝缘掩埋结构；两个辅助脊结构，每个辅助脊结构设置于衬底上，两个辅助脊结构分别设置于双沟脊结构的相对两侧；以及两个第二电极，两个第二电极分别设置于两个辅助脊结构上，第一电极的目标表面与第二电极的目标表面之间的高度差小于或等于第一距离阈值。该量子级联激光器芯片能在提高响应速率的同时改善散热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110993709B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201911313339.6
申请日：2019-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/111
Abstract: 本公开提供一种应变补偿型量子级联探测器，包括：衬底；下接触层，外延生长于衬底之上；周期性应变补偿量子级联功能层，外延于下接触层之上，包括多个级联周期；上接触层，外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上；下接触电极，位于刻蚀上接触层和周期性应变补偿量子级联功能层结构而露出的下接触层表面；以及上接触电极，位于上接触层的表面；其中，每个所述级联周期由下至上包括：吸收区和弛豫区；所述吸收区为与衬底晶格匹配的材料；所述弛豫区包括多层交替的应变补偿的势垒层和势阱层组成多量子阱结构，均为与衬底晶格不匹配的材料。
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公开(公告)号：CN113097861A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110344373.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开实施例提供了一种量子级联激光器芯片及制备方法。该量子级联激光器芯片包括：衬底；双沟脊结构，双沟脊结构设置于衬底上；第一电极，第一电极设置于双沟脊结构的目标表面上；两个半绝缘填充层，两个半绝缘填充层分别设置于双沟脊结构的两个侧面开设的凹槽中，形成针对半绝缘填充层的半绝缘掩埋结构；两个辅助脊结构，每个辅助脊结构设置于衬底上，两个辅助脊结构分别设置于双沟脊结构的相对两侧；以及两个第二电极，两个第二电极分别设置于两个辅助脊结构上，第一电极的目标表面与第二电极的目标表面之间的高度差小于或等于第一距离阈值。该量子级联激光器芯片能在提高响应速率的同时改善散热。
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公开(公告)号：CN106816805B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201510873247.9
申请日：2015-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种太赫兹量子级联激光器的液氮冷却系统及采用其的激光器，该液氮冷却系统包括：一液氮杜瓦瓶，所述液氮杜瓦瓶的内壳为“L”形结构；一管芯安装座，所述管芯安装座位于所述液氮杜瓦瓶内壳拐角一端的端部，与所述内壳为一体结构，且所述管芯安装座上设有一容纳所述激光器管芯热沉的凹槽和一方台，用于固定安装所述激光器管芯的热沉。本发明提供的液氮制冷工作太赫兹量子级联激光器的封装结构可以实现太赫兹量子级联激光器工作过程中的充分散热，实现器件在液氮温度下工作，同时利用光锥、透镜等光学元件充分收集出射光，并对光束进行整形，保证最终获得足够大的光功率和良好的光束质量。
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公开(公告)号：CN110993709A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911313339.6
申请日：2019-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/111
Abstract: 本公开提供一种应变补偿型量子级联探测器，包括：衬底；下接触层，外延生长于衬底之上；周期性应变补偿量子级联功能层，外延于下接触层之上，包括多个级联周期；上接触层，外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上；下接触电极，位于刻蚀上接触层和周期性应变补偿量子级联功能层结构而露出的下接触层表面；以及上接触电极，位于上接触层的表面；其中，每个所述级联周期由下至上包括：吸收区和弛豫区；所述吸收区为与衬底晶格匹配的材料；所述弛豫区包括多层交替的应变补偿的势垒层和势阱层组成多量子阱结构，均为与衬底晶格不匹配的材料。
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公开(公告)号：CN106816805A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510873247.9
申请日：2015-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种太赫兹量子级联激光器的液氮冷却系统及采用其的激光器，该液氮冷却系统包括：一液氮杜瓦瓶，所述液氮杜瓦瓶的内壳为“L”形结构；一管芯安装座，所述管芯安装座位于所述液氮杜瓦瓶内壳拐角一端的端部，与所述内壳为一体结构，且所述管芯安装座上设有一容纳所述激光器管芯热沉的凹槽和一方台，用于固定安装所述激光器管芯的热沉。本发明提供的液氮制冷工作太赫兹量子级联激光器的封装结构可以实现太赫兹量子级联激光器工作过程中的充分散热，实现器件在液氮温度下工作，同时利用光锥、透镜等光学元件充分收集出射光，并对光束进行整形，保证最终获得足够大的光功率和良好的光束质量。
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