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公开(公告)号：CN117666698A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311659915.9
申请日：2023-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G06E1/02
Abstract: 本发明公开了一种光电计算反相器，包括：衬底；第一感光单元和第二感光单元，形成在衬底上；其中，响应于输入的偏振光信号，第一感光单元和第二感光单元择一导通，输出与偏振光信号对应的反相电压信号，反相电压信号被定义成具有与偏振光信号相反的序列。本发明提供的光电计算反相器，实现感算一体，即同时实现对偏振光的探测和探测信息处理，有利于降低功耗、减少延迟时间。
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公开(公告)号：CN114744059A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210371155.0
申请日：2022-04-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L27/144 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器，包括：衬底(10)，为β相氧化镓，其(001)晶面上形成多个探测单元，探测单元成阵列布置；其中，每个探测单元包括：第一隔离层(11)，形成于衬底(10)中，其上表面与衬底(10)的表面持平；欧姆接触电极(13)、肖特基接触电极(14)，至少部分位于衬底(10)的表面上、至少部分位于第一隔离层(11)的表面上，且欧姆接触电极(13)与肖特基接触电极(14)之间形成光吸收区域。本公开还提供一种基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器的制备方法。本公开的日盲偏振探测器可实现大面积探测，光电探测性能更优。
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公开(公告)号：CN110459632A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910771937.1
申请日：2019-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 一种基于核壳纳米线的柔性偏振光探测器及制备方法，该柔性偏振光探测器包括柔性衬底；核壳纳米线，其位于柔性衬底上，作为柔性偏振光探测器的有源区；以及源电极和漏电极，两者均设置在柔性衬底上且分别设置在核壳纳米线的两端。本发明使用核壳异质结构的纳米线作为有源区，异质结构比普通纳米线在一定程度上提高了偏振比率，提高了柔性偏振探测器件的灵敏度；通过改变核部分和壳部分的厚度可以改变核壳纳米线的线偏振探测器的偏振光探测波长，达到测试波长可调节的效果；工艺上简单操作容易，进一步推动集成化发展。
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公开(公告)号：CN117542922A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311595342.8
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/102
Abstract: 本公开提供一种基于氧化镓的紫外偏振光电器件制备方法，包括：在β‑Ga2O3衬底上制备同质的β‑Ga2O3外延层得到外延片；在外延层上沉积一层铝层或金层后再沉积一层硬掩膜层；通过掩膜材料将硬掩膜层图形化，并基于图形化的硬掩膜层对外延片进行刻蚀，得到长轴延伸方向相互垂直的第一条形台面阵列和第二条形台面阵列；在制备了第一条形台面阵列和第二条形台面阵列的器件表面沉积隔离层；将铝层溶解，并去除第一条形台面阵列和第二条形台面阵列表面的隔离层；按应用需求在第一条形台面阵列和/或第二条形台面阵列上制备电极，并进行封装得到基于紫外偏振光实现运算放大的运算放大器或具有紫外偏振光探测功能的探测器，完成基于氧化镓的紫外偏振光电器件的制备。
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公开(公告)号：CN117038779A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310977949.6
申请日：2023-08-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明的实施例涉及了一种偏振光探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该偏振光探测器包括：作为栅电极的N型衬底；生长在N型衬底上的绝缘层；具有各向异性的锗锑硒三元晶体形成的有源层，有源层将入射至偏振光探测器的偏振光转换为光电流；形成在有源层两端的源电极和漏电极，以输出偏振光探测器的电信号。本发明利用锑部分代替了锗的晶格位点，在保留了硒化亚锗晶体结构的同时，得到的锗锑硒三元晶体拥有相较于硒化亚锗晶体更窄的带隙，从而得到更宽的光谱响应范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114582993B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210206059.0
申请日：2022-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本公开涉及了一种光电传感器及其制备方法、图像传感器中的应用。一种光电传感器包括：衬底；绝缘层，设置于衬底上；探测及成像层，设置于绝缘层上；至少一组源电极和漏电极，设置于探测及成像层上并一个延伸方向上依次设置，源电极和漏电极延伸出探测及成像层的部分与绝缘层接触；其中，探测及成像层的导电率响应于入射的可见光发生变化。通过机械剥离在衬底上得到二维正交相磷化硅纳米带作为探测及成像层，将掩膜覆盖至二维正交相磷化硅表面并沉积源电极和漏电极，构建二维正交相磷化硅光电探测器，实现对可见光的高敏感度探测，并利用这一性质应用于光图像传感器，实现对物体的成像。
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公开(公告)号：CN113629158B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110898961.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18 , G01J3/02 , G01J3/28
Abstract: 本发明提供一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法，宽光谱偏振光探测器包括基底层以及偏振层；基底层具有一成型面；偏振层设于所述成型面上，包括由左至右依次设置的源电极、有源层以及漏电极；其中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯。在本发明提供的技术方案中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯，结构具有各向异性，有利于敏感的偏振光探测；作为N型半导体，其费米能级靠近导带，提高了包括电子从价带到导带的宽能带以及导带内近邻能带的跃迁频率，实现了电子的多通道跃迁，拓宽了光电探测器的光谱探测范围，从日盲区到近红外区。
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公开(公告)号：CN110620164B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910915598.X
申请日：2019-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维层状半导体材料的偏振光探测器、其制备方法及应用，该偏振光探测器包括基底和均设置在基底上的源电极、漏电极以及有源层；所述有源层设置在源电极和漏电极之间。本发明通过使用二维层状半导体材料作为有源层，而源电极、漏电极均为金属材料，选择合适的金属材料金，使半导体和金属的交界面为欧姆接触，保留材料本身的光电性质；本发明使用的二硫化铅锡具有高的光电响应率及偏振性，且光吸收区域覆盖紫外到近红外波段，在偏振光探测中有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN110620164A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910915598.X
申请日：2019-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维层状半导体材料的偏振光探测器、其制备方法及应用，该偏振光探测器包括基底和均设置在基底上的源电极、漏电极以及有源层；所述有源层设置在源电极和漏电极之间。本发明通过使用二维层状半导体材料作为有源层，而源电极、漏电极均为金属材料，选择合适的金属材料金，使半导体和金属的交界面为欧姆接触，保留材料本身的光电性质；本发明使用的二硫化铅锡具有高的光电响应率及偏振性，且光吸收区域覆盖紫外到近红外波段，在偏振光探测中有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN110416348A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910706871.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/032 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y20/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明提供了一种基于肖特基结的线偏振光探测器及其制备方法，属于光探测器的制备技术领域。所述基于肖特基结的线偏振光探测器，包括：漏电极、源电极、二氧化硅衬底以及有源层；所述漏电极、有源层以及源电极从左至右依次位于所述二氧化硅衬底上方；所述有源层的材料为N型半导体纳米线；所述漏电极和源电极的材料均为金属材料。本发明提供的基于肖特基结的线偏振光探测器，通过使用半导体纳米线作为有源层，而源、漏电极均为金属材料，使半导体和金属的交界面为肖特基结，肖特基结可以使有源层本身只能吸收可见光延伸至红外光。
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