公开(公告)号：CN114582993B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210206059.0

申请日：2022-02-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 侯世俊 ,  魏钟鸣 ,  杨珏晗 ,  刘岳阳 ,  文宏玉

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开涉及了一种光电传感器及其制备方法、图像传感器中的应用。一种光电传感器包括：衬底；绝缘层，设置于衬底上；探测及成像层，设置于绝缘层上；至少一组源电极和漏电极，设置于探测及成像层上并一个延伸方向上依次设置，源电极和漏电极延伸出探测及成像层的部分与绝缘层接触；其中，探测及成像层的导电率响应于入射的可见光发生变化。通过机械剥离在衬底上得到二维正交相磷化硅纳米带作为探测及成像层，将掩膜覆盖至二维正交相磷化硅表面并沉积源电极和漏电极，构建二维正交相磷化硅光电探测器，实现对可见光的高敏感度探测，并利用这一性质应用于光图像传感器，实现对物体的成像。

公开(公告)号：CN114582993A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210206059.0

申请日：2022-02-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 侯世俊 ,  魏钟鸣 ,  杨珏晗 ,  刘岳阳 ,  文宏玉

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开涉及了一种光电传感器及其制备方法、图像传感器中的应用。一种光电传感器包括：衬底；绝缘层，设置于衬底上；探测及成像层，设置于绝缘层上；至少一组源电极和漏电极，设置于探测及成像层上并一个延伸方向上依次设置，源电极和漏电极延伸出探测及成像层的部分与绝缘层接触；其中，探测及成像层的导电率响应于入射的可见光发生变化。通过机械剥离在衬底上得到二维正交相磷化硅纳米带作为探测及成像层，将掩膜覆盖至二维正交相磷化硅表面并沉积源电极和漏电极，构建二维正交相磷化硅光电探测器，实现对可见光的高敏感度探测，并利用这一性质应用于光图像传感器，实现对物体的成像。