公开(公告)号：CN109216497A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811036994.7

申请日：2018-09-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  周子琦 ,  胡伟达 ,  龙明生 ,  王晓亭 ,  文宏玉 ,  李京波

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032

Abstract: 本公开提供了一种基于二维各向异性材料的片上光探测器及其制造方法，片上光探测器自下而上包括：重掺杂电极、薄层绝缘层、二维薄层材料和两个金属电极；二维薄层材料嵌设在薄层绝缘层和两个金属电极间；二维薄层材料为具有低面内对称性的二维材料。本公开光探测器使用的是全新的二维材料，由于材料本身的各向异性等特点，使得光探测器可以探测多角度的线偏振光，应用范围更加广泛，从根本上改变了探测器的性质。

公开(公告)号：CN117666698A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311659915.9

申请日：2023-12-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  胡寅 ,  胡鉴闻 ,  周子琦 ,  杨珏晗 ,  刘端阳 ,  文宏玉

IPC: G06E1/02

Abstract: 本发明公开了一种光电计算反相器，包括：衬底；第一感光单元和第二感光单元，形成在衬底上；其中，响应于输入的偏振光信号，第一感光单元和第二感光单元择一导通，输出与偏振光信号对应的反相电压信号，反相电压信号被定义成具有与偏振光信号相反的序列。本发明提供的光电计算反相器，实现感算一体，即同时实现对偏振光的探测和探测信息处理，有利于降低功耗、减少延迟时间。

公开(公告)号：CN118087031A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410242108.5

申请日：2024-03-04

Applicant: 北京大学 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘开辉 ,  周子琦 ,  魏钟鸣 ,  刘灿

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/08 ,  C30B29/02 ,  C30B29/20 ,  C30B28/14 ,  C30B33/02

Abstract: 本申请提供一种新型IV‑VI族半导体晶圆级薄膜及其制备方法，涉及半导体材料领域。制备方法包括：在衬底的表面物理气相沉积前驱体膜层，前驱体膜层包括M膜以及分散于M膜中的X颗粒，M包括Ge或Sn，X包括S或Se。在前驱体膜层的表面利用原子层沉积法形成盖层，获得中间体，其中盖层的生长温度≤200℃，盖层与衬底连接并形成容置前驱体膜层的限域空间；在常压惰性氛围下，使中间体先升温至220‑280℃低温热处理1‑5h，接着升温至IV‑VI族半导体的生长温度并高温热处理至少3h，其能够制得厚度可控且均一的晶圆级IV‑VI族半导体薄膜。

公开(公告)号：CN117219695A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310945254.X

申请日：2023-07-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  周子琦 ,  邓惠雄

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种偏振光探测器，包括：硅基二氧化硅衬底；感光层，形成在硅基二氧化硅衬底上，感光层包括由面内各向异性材料形成的多个沿第一方向延伸的纳米线，多个沿第一方向延伸的纳米线形成周期性阵列；第一电极和第二电极，形成在感光层的两端，第一电极和第二电极沿与第一方向相垂直的第二方向延伸；其中，周期性阵列的周期为百纳米级，第一方向为面内各向异性材料的晶格低对称轴方向。