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公开(公告)号：CN118932343A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410953606.0
申请日：2024-07-16
申请人： 江苏科沛达半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种全自动锗料清洗机，涉及锗料清洗技术领域，其技术方案要点包括底座、搬运机构和横移机构；底座上固定连接有QDR清洗槽和干燥槽；搬运机构包括电动葫芦、托板、横轴、吊架、夹爪和第一电动缸，通过电动葫芦下放托板，使得两个夹爪下降至钩槽的一侧，再通过两个第一电动缸分别拉动两个吊架，使得两个夹爪分别与料框两侧的钩槽卡接；此时通过电动葫芦带动托板上升，便能够对料框进行抬升；再通过横移机构带动搬运机构进行移动，便能够带动料框依次移动至QDR清洗槽和干燥槽的上方，通过电动葫芦便能够将料框分别下放至QDR清洗槽和干燥槽内，从而完成锗料的自动清洗与干燥，有效解决酸碱药液对于操作人员存在的安全隐患。
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公开(公告)号：CN118910433A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410977334.8
申请日：2024-07-19
申请人： 云南驰宏国际锗业有限公司
摘要： 本申请是关于一种从高品位含锗物料中回收锗的方法，包括以下步骤：(1)抽真空、充氩气置换；(2)维持单晶炉炉内一定的真空度，向单晶炉炉内充入一定量的氩气维持炉内氩气气氛；(3)融化物料；(4)除杂纯化；开启坩埚旋转，从单晶炉上方放下带籽晶的重锤，通过引晶、放肩，生长出结晶块；待结晶块成长至一定尺寸后提升籽晶位置至液面上方一定高度处进行冷却降温，冷却降温一段时间后，降低坩埚转速度，且降低籽晶位置使结晶块底面与聚集在液面上的浮渣接触浮渣就附着在结晶块上，然后提起结晶块至液面上方一定高度处；重复数次上述操作，完成除杂纯化；(5)冷却降温铸锭。该方法采用火法的方式进行处理，流程短、处理过程中不产生任何废液，同时对于锗的回收率较高达到98％以上，去除杂质效果较好。
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公开(公告)号：CN118653211A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410929012.6
申请日：2024-07-11
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 一种锗料的加工方法包括步骤：S1，将作为锗料的锗锭/锗晶体放在液氮槽里；S2，往液氮槽加液氮以将锗料浸没，直到液氮的液面不沸腾后等待一定时间；S3，将锗料从液氮中取出并放在加工架上；S4，如果锗料不是高纯锗，则在对加工架上的锗料进行加工时，打开水龙头，用来自水龙头的水，对锗料加工的部位进行冲洗冷却；如果锗料是高纯锗，则用供给纯水的泵送系统对锗料加工的部位进行冲洗冷却；S5，对加工完的锗料的周面进行观察，如果锗料是高纯锗，则还对加工完的锗料进行取样检测杂质浓度。在锗料是高纯锗时能够降低加工锗料时产生的杂质热扩散，在锗料是锗锭时能够防止加工过程中产生裂纹。
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公开(公告)号：CN118363094A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410266771.9
申请日：2024-03-08
申请人： 云南驰宏国际锗业有限公司
摘要： 本申请涉及一种锗基底7‑14μm波段DLC/AR红外锗窗口片及其制备方法，属于光学材料领域，本申请以单晶锗片为基底，基底的正反面分别镀有正面DLC膜，反面AR膜膜系结构；反面AR膜膜系结构以一面镀好DLC膜的锗片为基底由内至外依次镀制第一层ZnS膜层、第一层Ge膜层、第一层ZnSe膜层、第二层Ge膜层、第二层ZnSe层、第一层YbF3层、第二层ZnS层；本申请制备方法制备得到的红外锗窗口片制作工艺简单，张应力小，膜不容易脱落，在保证透过率≥89％的同时，提高锗窗口片在恶劣环境中的耐用性，有效提高了锗窗口片表面的耐摩擦性能、耐腐蚀性能、耐高温性能和表面硬度，该锗窗口片能通过膜强度环境测试，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN118087031A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410242108.5
申请日：2024-03-04
申请人： 北京大学 , 中国科学院半导体研究所
摘要： 本申请提供一种新型IV‑VI族半导体晶圆级薄膜及其制备方法，涉及半导体材料领域。制备方法包括：在衬底的表面物理气相沉积前驱体膜层，前驱体膜层包括M膜以及分散于M膜中的X颗粒，M包括Ge或Sn，X包括S或Se。在前驱体膜层的表面利用原子层沉积法形成盖层，获得中间体，其中盖层的生长温度≤200℃，盖层与衬底连接并形成容置前驱体膜层的限域空间；在常压惰性氛围下，使中间体先升温至220‑280℃低温热处理1‑5h，接着升温至IV‑VI族半导体的生长温度并高温热处理至少3h，其能够制得厚度可控且均一的晶圆级IV‑VI族半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN108456918B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201810635515.7
申请日：2018-06-20
申请人： 南京晶能半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于半导体硅单晶炉的翻板阀，包括翻板、翻转轴、连接翻转轴及翻板的连接板；其中在翻板内部设置了水道，可以通过引入冷却水的方式在翻板内部的水道流动带走翻板的热量，以达到冷却的效果，同时从翻转轴中的两个轴体分别引入进水通道及排水通道，这样不需要重新再设置其他管道结构，直接利用本身存在的翻转轴即可实现冷却水的引入。
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公开(公告)号：CN114622272B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210196199.4
申请日：2022-03-01
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。
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公开(公告)号：CN114606569B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210203200.1
申请日：2022-03-03
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本发明属于单晶生长技术领域，公开了一种P型低位错锗单晶的制备工艺，具体包括：原料酸法腐蚀、引细颈、放肩、转肩、等径生长、收尾退火、降温冷却，该工艺在放肩阶段保持温度恒定不变，分两个阶段线性降低晶体生长速度，第一阶段：在3~3.5h内，把生长速度从2.0~2.5mm/min降到0.5~1.0mm/min；第二阶段：在5~5.5h内，把生长速度从0.5~1.0mm/min降到0.2~0.25mm/min。本发明在原有的CZ工艺基础上对放肩工艺进行改进，可生长出低位错密度的P型锗单晶，为以后实现零位错、低缺陷太阳能级P型锗单晶打下坚实的基础。
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公开(公告)号：CN116497461A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310411080.9
申请日：2023-04-18
申请人： 广东先导微电子科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，属于半导体技术领域，所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：将锗片浸入腐蚀液中进行腐蚀，干燥，得到低粗糙度锗；所述腐蚀液包括第一过氧化氢溶液和氢氧化钠溶液；所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2～0.3)：1；腐蚀过程中持续加入第二过氧化氢溶液。本申请通过将锗片浸入到含过氧化氢和氢氧化钠的水溶液中进行腐蚀，能够有效的降低锗片的粗糙度，腐蚀后锗片表面光泽度高、粗糙度低，在腐蚀的过程中持续加入第二过氧化氢溶液，使腐蚀液中过氧化氢浓度保持稳定，提高腐蚀效率，同时，过氧化氢分解产生氧气导致氧分压的提高，进一步提高腐蚀效果，降低粗糙度。
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公开(公告)号：CN116377560A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211264980.7
申请日：2022-10-17
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种VGF法生长正方形锗单晶的方法及使用的下坩埚，将一块原料锗多晶加工成横截面为圆角正方形的长方体；将锗单晶籽晶加工成横截面为圆角正方形的长方体；下坩埚的横截面为圆角正方形，下坩埚下部的籽晶井的横截面为圆角正方形；装炉时，圆角正方形横截面的原料锗多晶放置在圆角正方形横截面的下坩埚内，圆角正方形横截面的锗单晶籽晶放置在圆角正方形横截面的籽晶井内，锗多晶料在下坩埚内通过锗单晶籽晶引晶生长成横截面为圆角正方形的锗单晶块。圆角正方形的锗单晶块加工成为正方形抛光片后，作为衬底用于制作空间太阳电池片，在划片过程中可节约材料，减少裁片去除量，进而降低原材料成本。
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