一种锗基底7-14μm波段DLC/AR红外锗窗口片及其制备方法

    公开(公告)号:CN118363094A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410266771.9

    申请日:2024-03-08

    摘要: 本申请涉及一种锗基底7‑14μm波段DLC/AR红外锗窗口片及其制备方法,属于光学材料领域,本申请以单晶锗片为基底,基底的正反面分别镀有正面DLC膜,反面AR膜膜系结构;反面AR膜膜系结构以一面镀好DLC膜的锗片为基底由内至外依次镀制第一层ZnS膜层、第一层Ge膜层、第一层ZnSe膜层、第二层Ge膜层、第二层ZnSe层、第一层YbF3层、第二层ZnS层;本申请制备方法制备得到的红外锗窗口片制作工艺简单,张应力小,膜不容易脱落,在保证透过率≥89%的同时,提高锗窗口片在恶劣环境中的耐用性,有效提高了锗窗口片表面的耐摩擦性能、耐腐蚀性能、耐高温性能和表面硬度,该锗窗口片能通过膜强度环境测试,适合工业生产。