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公开(公告)号：CN118880440A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410768287.6
申请日：2024-06-14
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 一种探测器级高纯锗单晶的制备方法包括提拉过程，其中，提拉过程包括引晶、缩颈、细颈、多次的放肩收肩、以及收尾。在根据本公开的探测器级高纯锗单晶的制备方法中，通过缩颈细颈先将晶体位错密度控制，然后通过多次的放肩收肩，实现位错的增生，容易控制晶体位错密度，保证晶体位错密度情况稳定，便于实现产业化。通过多次的放肩收肩，能够在一个晶体中获得不同位错密度等级的13N锗合格段，适应不同探测器制备的需求。即，一根晶体能够为多种探测器提供合格产品。
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公开(公告)号：CN118756318A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410768297.X
申请日：2024-06-14
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 一种p型高纯锗的制备方法包括步骤：S1，将腐蚀好的纯度5N以上的锗锭和纯度5N以上的p型掺杂剂以质量比1000:(1‑2)装入区熔炉中；S2，通过进气口通入9N以上高纯氮气并开启排气口维持流动式压力为常压，持续2h；S3，在步骤S2完成后，使进气口切换通入纯度9N以上高纯氢气2h，维持排气口排气，以保持流动式压力为常压；S4，采用功率为70‑85Kw的感应线圈加热升温进行化料区熔，区熔速度为200‑300mm/h，区熔30‑40次；S5，步骤S4完成后，停止感应线圈加热，使进气口切换至通入9N以上高纯氮气并维持排气口排气以保持常压，直到冷却完成从区熔炉中取出区熔高纯锗锭；S6，对区熔高纯锗锭进行检测并选取p型纯度＜2E11/cm3的部分作为提拉生长料，进行提拉生长晶体，得到p型高纯锗单晶。
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公开(公告)号：CN118360657A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410378685.7
申请日：2024-03-29
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 一种锗单晶的生长方法包括步骤：S1，将锗原料装入坩埚内，坩埚包括石墨坩埚以及石墨坩埚的内表面镀覆的pBN薄膜，pBN薄膜的厚度不低于0.1mm；S2，抽真空，关闭提抽真空接口和气接入口；S3，升温融化坩埚内的锗原料；S4，在锗原料完全融化形成熔体后，再次开启气接入口，充氮气‑氢气混合气，以使压力达到0.01‑0.05MPa并维持1‑5h、维持坩埚的温度不变；S5，在步骤S4之后，关闭气接入口打开抽真空接口抽真空至1×10‑3Pa，关闭抽真空接口；S6，步骤S5之后，固定有籽晶的拉晶杆从熔体表面浸入熔体，之后直拉进行晶体生长以形成晶棒；S7，晶体生长完成后，停止加热、降温、再次置换提拉法晶体生长设备内的气体为氮气后，打开提拉法晶体生长设备，将晶棒从拉晶杆上剪下。
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公开(公告)号：CN118087019A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410296310.6
申请日：2024-03-15
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 一种锑化铟晶体的生长方法包括步骤：将InSb多晶料破碎，清洗冲洗烘干备用；将Sb料破碎，腐蚀冲洗中烘干备用；将 向的InSb籽晶棒装入镀碳的石英坩埚的鼻部，之后，依次装入烘干备用的Sb料和烘干备用的InSb多晶料，装入的InSb多晶料和Sb料的重量比为InSb:Sb＝1:(0.05‑0.15)，连接法兰；装入移动加热法晶体生长设备的移动加热器内并定位在支撑件上；先抽真空之后再置换石英坩埚内的气体后再通入流动H2，H2的流量为0.1‑0.5L/min；维持 向的InSb籽晶附近温度梯度为5‑10℃/cm；移动加热器升高Sb料所处的区域的温度至510‑530℃，保温1‑3天后，使移动加热器向上移动，移动速率5‑15cm/d，直至晶体生长结束，移动加热器的功率为3000‑4000W；停止移动加热器及其加热，自然冷却，氮气置换H2，打开法兰，倒出晶体。
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公开(公告)号：CN117737467A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311836797.4
申请日：2023-12-28
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本发明属于冶金技术领域，公开了一种锗的回收方法。包括以下步骤：将锗料进行碱腐蚀；将碱腐蚀后的锗料进行第一次区域熔炼，得锗锭，选取电阻率＞10Ω•cm的锗段；采用氢氟酸溶液和硝酸溶液的混合酸溶液对选取的电阻率＞10Ω•cm的锗段进行酸腐蚀；将酸腐蚀后的锗段进行第二次区域熔炼，得高纯锗多晶。本发明通过采用碱溶液对碎锗无死角腐蚀，可先去除碎锗中80~90%的氧化物及脏物，锗的损失量少，再将碎锗进行第一次区熔，进行定型和提纯，然后对锗锭进行挑选，将电阻率＞10Ω•cm的部分进行酸腐蚀，酸腐蚀较剧烈，把第一次区熔漂浮在锗锭表面的杂质腐蚀掉，再将锗段进行二次区熔提纯，得到高纯锗多晶。
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公开(公告)号：CN117464857A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311720890.9
申请日：2023-12-14
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种锗晶体切割取片夹具及方法，包括：安装座和固定座，安装座上开设有用于放置圆柱状晶体的圆弧形凹槽，圆弧形凹槽的一端封闭，另一端开口；圆弧形凹槽内可拆卸安装有用于对圆柱状晶体进行固定的弹性封堵件，弹性封堵件与圆弧形凹槽过盈配合，固定座包括U型底座和多个倒U栏，安装座可拆卸安装在U型底座上，倒U栏可拆卸安装在U型底座的顶部，用于对圆柱状晶体顶面进行固定；倒U栏的两侧对称螺纹连接有用于对圆柱状晶体两侧进行点固定的圆头螺钉。本发明拆装方便，能够对圆柱状晶体进行有效固定，并防止切割部分滑落飞出，更加安全可靠。
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公开(公告)号：CN113718257B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110980367.4
申请日：2021-08-24
申请人： 安徽光智科技有限公司
IPC分类号： C23F1/24
摘要： 本公开提供一种锗锭的腐蚀方法，包括以下步骤：步骤一，去离子水将锗锭清洗干净，用氮气吹干；步骤二，配置体积比为2～3∶1的硝酸和氢氟酸的浓酸腐蚀液，配置体积比为硝酸∶氢氟酸∶水＝2～3∶1∶4～6稀酸腐蚀液；步骤三，将浓酸腐蚀液放置在腐蚀槽中，将盛有浓酸的腐蚀槽放置在通风橱的纯水槽中，水浴温度设定为18℃～25℃，盛有稀酸的腐蚀槽放置在通风橱上；步骤四，将锗锭升温；步骤五，将升温后的锗锭放入浓酸中腐蚀1min～3min，浓酸腐蚀后再快速将锗锭放入盛有稀酸的腐蚀槽中腐蚀1min～2min；步骤六，将腐蚀后的锗锭放入纯水槽中反复冲洗，氮气吹干；步骤七，将吹干的锗锭放入pp盘且用盖子盖好；所述步骤一～步骤七需在百级洁净房内操作。
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公开(公告)号：CN115478320A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211160531.8
申请日：2022-09-22
申请人： 安徽光智科技有限公司
摘要： 本发明公开了坩埚、制作方法和用其生长二氧化碲晶体的方法，涉及一种坩埚以及晶体制备方法技术领域，一种坩埚，包括铂金埚体，所述铂金埚体内壁上设置有PtTe2膜。本发明的有益效果是：通过铂金坩埚内表面增加了一层PtTe2膜，避免了铂金与TeO2反应，减小了生长晶体过程中对于铂金的损耗，也降低了铂金对TeO2的污染，通过本发明制得的坩埚，减小了生长晶体过程中对于铂金的损耗，降低了TeO2晶体生长的生产成本，同时使用PtTe2代替Pt，避免了Pt与TeO2反应所产生黑色包裹体和气泡，提高了晶体质量，且生长得到的二氧化碲晶体无色，晶体直径为80mm、长度为80mm，晶体无开裂、气泡、夹杂、散射等缺陷。
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