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公开(公告)号：CN118957733A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411458399.8
申请日：2024-10-18
申请人： 光科真空科技(泰兴)有限公司
摘要： 本发明涉及单晶炉清理装置相关领域，尤其涉及一种用于清理单晶炉圆筒式上炉室的装置，包括外连接外部升降设备的支撑固定架、循环摆动机构和刮扫机构，循环摆动机构安装于支撑固定架上，循环摆动机构底部连接刮扫机构；本发明通过设置了循环摆动机构，在第一电机带动下，转动柄转动同步带动摆动架摆动，并配合侧固定架的固定支撑，使摆动杆摆动，同步的带动底部刮扫机构，由刮扫机构循环摆动可以有效的对单晶炉上炉室内壁进行刮扫工作，使单晶炉上炉室内壁清理更为彻底，也提高了清理效率。
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公开(公告)号：CN118773733A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411036138.7
申请日：2024-07-31
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种单晶炉和晶棒，涉及半导体技术领域，所述单晶炉，包括：炉体，以及，设置于所述炉体内的坩埚和导流装置；所述导流装置设置于所述坩埚上方，且位于所述坩埚的内壁面和所述单晶炉生成的晶棒之间；其中，通过所述晶棒与所述导流装置之间的空隙、所述导流装置与所述坩埚上方之间的空隙，以及，所述坩埚的外侧壁与所述炉体的内壁面之间的空隙形成气流通道，所述气流通道用于流通保护气体。本发明，通过气流通道导通保护气体，避免保护气体在单晶炉出现涡流现象，进一步避免涡流现象产生的沉积物。
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公开(公告)号：CN115852489B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211683494.9
申请日：2022-12-27
摘要： 本发明提供一种高含铈立方相铈钪镓石榴石磁光晶体制备方法与应用。通过晶体结构设计并合成出化合物Ce3Sc2Ga3O12，采用提拉法生长了该化合物厘米级晶体。该材料属于立方相晶系，Ia#imgabs0#d空间群。晶体中稀土Ce3+离子含量高，且价态稳定，Ce3+体积浓度达到1.15×1022/cm3，使得晶体具有强磁光效应。鉴于Ce3Sc2Ga3O12晶体在磁光性能、透过波段和原料成本上具有一定的相对优势，该晶体有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光开关中获得实现应用。
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公开(公告)号：CN118516749A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311801024.2
申请日：2023-12-25
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种晶体直径的控制方法、装置以及设备、晶体拉晶生长系统，涉及晶体拉制技术领域，以提供一种减小晶体的提拉速度的波动范围，同时提高晶体质量的技术方案，包括以下步骤：基于所述晶体的当前直径以及所述晶体的目标直径，确定所述晶体的直径一致性差异；基于所述晶体的直径一致性差异，通过控制所述晶体的生长环境参数，对所述晶体的当前直径进行调整，以使所述晶体的当前直径满足所述晶体的目标直径。
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公开(公告)号：CN118461118A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410923972.1
申请日：2024-07-11
申请人： 暨南大学
摘要： 本发明公开了一种蓝绿光激光增益介质材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：按化学式(NdxRyCa1‑x‑y)F2+x+y‑2zOz称量原料，其中R为铈、钇或镥离子；x为钕离子占总阳离子的摩尔百分数，x=0.30%~0.55%；y为R离子占总阳离子的摩尔百分数，y=4%~6%；z为氧离子占总阴离子的摩尔百分数，x=z；原料由氟化钙、氧化钕和含R离子的氟化物组成；将原料充分研磨、混合；在保护气氛或真空条件下进行晶体生长，晶体生长完成后缓慢降至室温，得到含氧掺钕氟化钙晶体。本发明显著提高了晶体在0.9微米波段的发射强度和荧光分支比，有利于0.9微米波段激光倍频产生高功率、高效率和超快蓝绿光激光。
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公开(公告)号：CN118390152A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410360358.9
申请日：2024-03-27
申请人： 北京旭灿半导体科技有限公司 , 东旭科技集团有限公司 , 东旭集团有限公司
摘要： 本申请提供一种晶体生长装置。涉及晶体生长技术领域。晶体生长装置包括：坩埚；坩埚盖，坩埚盖盖设在坩埚上方；多个隔热片，多个隔热片同心设置，且层叠设置在坩埚盖上方，每个隔热片的中心均具有开孔，多个隔热片的开孔直径从远离坩埚盖至靠近坩埚盖沿轴向依次减小，以形成阶梯状结构。从而使得籽晶在生长过程中不需要因为旋转以及提拉就能够使得晶体生长温度均匀，进而能够避免籽晶因旋转和提拉而产生的螺旋，使得晶体能够长大，从而提高晶体的质量。
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公开(公告)号：CN118127610B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410538221.8
申请日：2024-04-30
申请人： 西安聚能超导磁体科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种晶体预热系统及晶体预热方法，涉及晶体制造技术领域，其中晶体预热系统包括：超导磁体；装料筒，设置在超导磁体的外部一侧；加热芯，设置在装料筒内部，加热芯为金属材质，装料筒和加热芯之间的空间用于放置待预热的晶体；旋转主机，与加热芯连接，旋转主机驱动加热芯转动，加热芯在超导磁体的磁场作用下产生热量，进而对晶体进行加热。本申请采用超导磁体生产时外部的磁场对晶体进行预热，使晶体能够在拉晶生产的同时进行预热，大大缩短了单晶炉加热晶体的时间，而且提高了生产的效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN116926669B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210337194.9
申请日：2022-03-31
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种蓝宝石装甲板制备模具、制备装置及制造工艺。该制备模具包括：第一模板以及第二模板；第一模板与第二模板相对设置，第一模板的第一表面与第二模板的第二表面位置相对，第一表面与第二表面之间具有间隙，第一表面与第二表面均为弧面，且第一表面的弯曲方向与第二表面的弯曲方向相同，第一模板与第二模板可拆卸连接；第一模板的一端在间隙的出口处具有第一晶体成型面，第二模板的一端在间隙的出口处具有第二晶体成型面，第一晶体成型面与第二晶体成型面位置相对。
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公开(公告)号：CN118087042A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410166681.2
申请日：2024-02-05
申请人： 中国科学院福建物质结构研究所
摘要： 本申请公开了一种镝离子掺杂铝酸钆镧锶黄光激光晶体及其制备方法与应用，属于激光晶体材料领域。所述镝离子掺杂铝酸钆镧锶黄光激光晶体，其分子式为Dy2xLa2yGd2‑2x‑2ySrAl2O7，其中，0
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