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公开(公告)号：CN115852489B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211683494.9
申请日：2022-12-27
摘要： 本发明提供一种高含铈立方相铈钪镓石榴石磁光晶体制备方法与应用。通过晶体结构设计并合成出化合物Ce3Sc2Ga3O12，采用提拉法生长了该化合物厘米级晶体。该材料属于立方相晶系，Ia#imgabs0#d空间群。晶体中稀土Ce3+离子含量高，且价态稳定，Ce3+体积浓度达到1.15×1022/cm3，使得晶体具有强磁光效应。鉴于Ce3Sc2Ga3O12晶体在磁光性能、透过波段和原料成本上具有一定的相对优势，该晶体有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光开关中获得实现应用。
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公开(公告)号：CN115852489A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211683494.9
申请日：2022-12-27
摘要： 本发明提供一种高含铈立方相铈钪镓石榴石磁光晶体制备方法与应用。通过晶体结构设计并合成出化合物Ce3Sc2Ga3O12，采用提拉法生长了该化合物厘米级晶体。该材料属于立方相晶系，Iad空间群。晶体中稀土Ce3+离子含量高，且价态稳定，Ce3+体积浓度达到1.15×1022/cm3，使得晶体具有强磁光效应。鉴于Ce3Sc2Ga3O12晶体在磁光性能、透过波段和原料成本上具有一定的相对优势，该晶体有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光开关中获得实现应用。
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公开(公告)号：CN117488403A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311175462.2
申请日：2023-09-13
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿型立方相掺杂铁酸钕(Nd1‑x‑zCezBaxFe1‑yTiyO3)磁光晶体材料及其制备方法和应用。本发明采用提拉法体中适量掺杂，通过在NdFeOBa2+3晶和Ti4+，使晶体结构从正交相向立方相转变，消除了NdFeO3晶体的双折射效应并增强了晶体磁性和磁光性能，同时通过引入Ce3+使晶体的磁光效应进一步明显提高，从而制得了厘米级以上高质量单晶。本发明具有晶体生长速度快、成本低，所得晶体与硅晶格匹配度高、矫顽力大等的优点，有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光调制器等器件的制备中获得实际应用。
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公开(公告)号：CN113862786B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111095669.X
申请日：2021-09-18
申请人： 福州大学
摘要： 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb3‑xYxNb1‑yVyO7，其中x＝0.1～1.0，y＝0.10～0.25。该晶体属立方晶系，空间群为Fm‑3m。本发明制得的磁光晶体具有高对称性，光学、磁学性能优良，晶体场作用较强等优点，能产生较好的磁光性能。此外，该磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1850～2000℃，可采用中频感应提拉法生长，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN113862786A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111095669.X
申请日：2021-09-18
申请人： 福州大学
摘要： 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb3‑xYxNb1‑yVyO7，其中x＝0.1～1.0，y＝0.10～0.25。该晶体属立方晶系，空间群为Fm‑3m。本发明制得的磁光晶体具有高对称性，光学、磁学性能优良，晶体场作用较强等优点，能产生较好的磁光性能。此外，该磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1850～2000℃，可采用中频感应提拉法生长，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN110172734A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910462762.6
申请日：2019-05-30
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提供一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用。所述的磁光材料的化学式为Ce1-xSrxFe1-xVxO3，x=0.3~0.7。该材料属立方晶系，空间群为。该材料具有结构新颖，光学、磁学性能优良，磁光效应显著的优点，而且该化合物晶格常数与硅相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。该材料采用射频磁控溅射法制备，因此还具有工艺简单、周期短、重现性好的优点。
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公开(公告)号：CN103834998A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410120913.7
申请日：2014-03-28
申请人： 福州大学
摘要： 本发明公开了一种在可见-近红外光区具有高透过率、高费尔德常数的磷灰石型硅酸铽磁光晶体及其制备方法。该晶体采用熔体提拉法生长，分子式为Tb10-x(SiO4)6O3-1.5x，其中x＝0～2，属六方晶系，空间群为。该磁光晶体具有优良的磁光效应，其费尔德常数（Verdetconstant）高于目前商品化应用的掺铽玻璃及铽镓石榴石（TGG）晶体。同时，该磁光晶体在400～1500nm波段，除485nm附近有Tb3+离子的特征吸收峰外，其他波段均表现出较高的透过率。特别在可见光波段400～650nm处，该磁光晶体的透过率较TGG晶体有明显的增大，其作为磁光材料，在该波段将有更好的应用前景。此外，本发明磁光晶体为一致熔融化合物，可采用中频感应提拉法生长，其生长工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产。
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公开(公告)号：CN102616770B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201210084629.X
申请日：2012-03-28
申请人： 福州大学
摘要： 本发明公开了一种水蒸气刻蚀碳纳米管制备石墨烯纳米带的方法。该方法将多壁碳纳米管放入聚四氟乙烯内衬中，并加入一定量的蒸馏水，振荡使碳纳米管分散均匀，然后将聚四氟乙烯内衬放入反应釜中，加热到150-225℃，恒温5h-20h，使多壁碳纳米管从纵向裂解开，形成高质量的石墨烯纳米带。采用本发明制备的石墨烯纳米带具有褶皱少、不易团聚、层数可控、产率高等优点，同时制备过程简单易操作，可以一步完成，无须采用表面活性剂进行分散，过程无污染，绿色环保。本发明克服了其他方法制备石墨烯的中存在的过程繁琐、污染严重、产率低等缺点。
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公开(公告)号：CN101792926A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010154255.5
申请日：2010-04-24
申请人： 福州大学
摘要： 本发明涉及一种导模提拉法生长铽铝石榴石晶体的方法，该方法将内部带有纵向缝隙的导模模具放入坩埚中，再向坩埚中加入多晶原料，加热坩埚使多晶原料熔化，并使多晶原料的熔融体没过导模模具下部的缝隙，以使多晶原料的熔融体在毛细管效应的作用下沿着导模模具内的纵向缝隙上升到导模模具的上表面，然后下籽晶并提拉成与导模模具形状一致的单晶。本发明能够制备大尺寸铽铝石榴石单晶晶体，同时能够简化晶体的后加工工序，降低制备晶体的成本，且晶体生长速率快，制备的晶体光学均匀性好，解决了提拉法难以制备大尺寸体单晶的问题。
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公开(公告)号：CN113789571A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111095678.9
申请日：2021-09-18
申请人： 福州大学
摘要： 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的具有高费尔德常数的硅酸镧铽磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb10‑xLax(SiO4)6O3，其中x＝0.5～1。该晶体属六方晶系，空间群为。本发明制得的磁光晶体在可见‑近红外波段具有较好的透光性能，同时，具有较高的磁性稀土离子含量和较强的晶体场作用，故有利于产生较好的磁光性能，其费尔德常数（Verdet constant）远高于目前商品化应用的掺铽玻璃及铽镓石榴石（TGG）晶体。此外，该磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1960～2050℃，可采用中频感应提拉法生长，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产。
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