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公开(公告)号：CN118814268A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411201430.X
申请日：2024-08-29
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
发明人： 潘浩
摘要： 本申请提供了氧含量可控的单晶硅和硅晶圆、单晶硅生长方法及系统，所述方法包括：在单晶硅的生长过程中，获取石英坩埚的实际加热时长；根据所述实际加热时长和目标加热时长之间的差值所在的差值范围，确定控制参数集及其配置参数值；所述控制参数集包括晶体转速和/或坩埚转速，不同的差值范围对应的控制参数集不同；基于所述控制参数集的配置参数值，自动配置相应的控制参数，以使所述单晶硅的氧含量和目标氧含量之间的氧含量偏差为‑10％～10％。本申请通过监控实际加热时长与目标加热时长的差值，允许分阶段自动调整晶体和坩埚的转速，有效控制氧元素在单晶硅中的分布，减少晶体生长异常和石英坩埚加热时间过长对单晶硅氧含量的影响。
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公开(公告)号：CN118668288A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410697633.6
申请日：2024-05-31
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
发明人： 潘浩
摘要： 本发明提供了一种单晶炉的加料方法及装置，属于半导体制造技术领域。单晶炉的加料装置包括：石英坩埚；多组传感单元，每组传感单元包括超声波探测器和超声波接收器，超声波探测器被配置为按照预设周期发送超声波信号，接收超声波接收器反射的超声波信号，并将接收到的超声波信号发送给数据处理单元；数据处理单元接收超声波探测器的超声波信号，根据超声波信号确定石英坩埚内固体多晶硅的体积；控制单元根据石英坩埚内固体多晶硅的体积生成控制信号，并将控制信号发送给加料单元；加料单元根据控制信号向石英坩埚内投放固体多晶硅。本发明的技术方案能够准确判断投放固体多晶硅的时机，保证拉晶品质。
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公开(公告)号：CN118653206A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410856485.8
申请日：2024-06-28
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
发明人： 潘浩
摘要： 本申请提供了单晶生长方法及系统，该方法包括：在转肩过程中，获取单晶肩部的测量直径；根据测量直径和目标直径之间的差值所在的数值范围，确定控制参数集及其配置参数值；控制参数集包括拉速和/或加热功率，不同的数值范围对应的控制参数集不同；基于控制参数集的配置参数值，自动配置相应的控制参数，以使单晶转肩至目标直径。本申请降低了因人为错误导致的生产事故和不良品率，实现从shoulder阶段到body阶段的平缓过渡，减少因转肩较大引起的测量模块信号不良导致长晶失败的情况，采用梯级主动增益的计算逻辑，基于差值所在的数值范围，精确控制转肩过程中的控制参数，提高生长效率。
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公开(公告)号：CN118639310A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410697652.9
申请日：2024-05-31
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
发明人： 陈凡
摘要： 本公开提供一种导流筒组件及单晶炉，所述导流筒组件包括：导流筒，具有轴向贯通的中空腔，所述导流筒包括轴向相对的顶部和底部；导流筒套筒，套设于所述导流筒的底部，且与所述导流筒轴向贯通；及防污染套筒，所述防污染套筒呈中空筒状、且套设于所述导流筒的中空腔中，所述防污染套筒为石英材质。本公开实施例提供的导流筒组件及单晶炉，能够减少晶棒污染，提高晶棒品质和良率。
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公开(公告)号：CN118471788A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410542755.8
申请日：2024-04-30
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
发明人： 潘浩
摘要： 本发明实施例公开了一种用于对晶棒的晶向进行标示的方法、装置及晶圆，该方法可以包括：测量所述晶棒在所述晶棒的第一纵向位置处的第一晶向，所述第一纵向位置在所述晶棒的等径部分中的除了头部以外的部位处；测量所述晶棒在所述晶棒的第二纵向位置处的第二晶向，所述第二纵向位置在所述晶棒的等径部分的头部处；当所述第一晶向与所述第二晶向之间的晶向差异小于等于设定阈值时，生成用于对所述第二纵向位置与所述晶棒的等径部分的尾部之间的第一晶棒节段的晶向进行指示的第一标记。通过在晶棒的两个纵向位置测量晶向，并在两点的晶向差异小于等于预设阈值时生成标记，有效解决了以往单点测量导致的晶向与实际晶向不一致问题。
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公开(公告)号：CN118461132A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410542165.5
申请日：2024-04-30
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
摘要： 本公开提供一种外延工艺处理设备及其清洁方法，该设备包括装载锁闭腔室、缓冲腔室、外延反应腔室、尾气监测机构及控制机构，尾气监测机构用于分别获取装载锁闭腔室、缓冲腔室和外延反应腔室中各腔室的尾气信息，并基于尾气信息，判断装载锁闭腔室、缓冲腔室和外延反应腔室各个腔室的腔室环境状态，尾气信息包括颗粒物尺寸、尾气组成成分、尾气温度中的至少一项；控制机构用于基于腔室环境状态，按照预设的预处理操作标准，控制对各腔室进行对应的预处理操作。本公开提供的外延工艺处理设备及其清洁方法，能够及时监控外延工艺处理设备各个单元的颗粒状态，并做出调整，以减少损失。
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公开(公告)号：CN118448244A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410542361.2
申请日：2024-04-30
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
摘要： 本公开实施例公开了一种外延晶圆的电阻率检测方法、装置及外延晶圆，外延晶圆的电阻率检测方法可以包括：对外延晶圆进行加热解吸处理；调整外延晶圆进入气相沉积腔室的角度，以使得外延晶圆表面温度较低的一侧靠近气相沉积腔室的进气口，并在外延晶圆表面沉积氧化层。本公开实施例能够解决现有技术对外延晶圆电阻率的测量精度不足的问题。
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公开(公告)号：CN118081611A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410523631.5
申请日：2024-04-28
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
发明人： 魏洋
摘要： 本公开提供了一种晶圆上下料的系统、方法及计算机存储介质。该系统包括：设置于研磨设备上料口处的上料中转缓存机构、用于存放经研磨设备研磨后的晶圆且装盛有去离子水的下料水槽缓存机构、上料机械臂以及下料机械臂；其中，上料机械臂，被配置成从上料中转缓存机构将待研磨晶圆转移至研磨设备的载盘；下料机械臂，被配置成在上料机械臂从上料中转缓存机构将待研磨晶圆转移至研磨设备的载盘的过程中，同步将研磨设备中研磨后的晶圆从研磨设备的载盘转移至下料水槽缓存机构。
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公开(公告)号：CN117265654A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311384529.3
申请日：2023-10-24
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
摘要： 本公开实施例公开了一种外延生长方法及外延晶圆；所述外延生长方法包括：在烘烤阶段结束后使外延炉的反应腔室降温至设定的温度；在所述设定的温度下的第一时刻，开始向所述反应腔室通入刻蚀气体并持续设定的刻蚀时间段；在所述设定的刻蚀时间段内的第二时刻，开始向所述反应腔室通入掺杂气体并持续至第三时刻。
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公开(公告)号：CN116403956A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310398090.3
申请日：2023-04-14
申请人： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安欣芯材料科技有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明提供了一种设备前端运输装置及方法，涉及半导体制造技术领域。该装置包括：承载部、载台以及壳体；所述壳体的至少一侧面设置有第二开口；所述承载部设置于所述壳体内部，且设置于所述壳体底部；所述载台设置于所述壳体的外部，且所述载台与所述壳体转动连接，所述载台包括第一状态和第二状态，所述载台处于第一状态的时，所述载台的第一承载面覆盖所述第二开口，所述载台处于第二状态的时，所述载台的第一承载面与所述承载部的顶面平行，所述载台通过转动在所述第一状态和所述第二状态之间切换。针对标准设备和不具备搬运模块的非标设备，本发明的设备前端运输装置均能够实现对工厂设备自动搬送的辅助，提高了工厂设备搬送的自动化水平。
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