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公开(公告)号：CN110416348A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910706871.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/032 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y20/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明提供了一种基于肖特基结的线偏振光探测器及其制备方法，属于光探测器的制备技术领域。所述基于肖特基结的线偏振光探测器，包括：漏电极、源电极、二氧化硅衬底以及有源层；所述漏电极、有源层以及源电极从左至右依次位于所述二氧化硅衬底上方；所述有源层的材料为N型半导体纳米线；所述漏电极和源电极的材料均为金属材料。本发明提供的基于肖特基结的线偏振光探测器，通过使用半导体纳米线作为有源层，而源、漏电极均为金属材料，使半导体和金属的交界面为肖特基结，肖特基结可以使有源层本身只能吸收可见光延伸至红外光。
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公开(公告)号：CN110459632A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910771937.1
申请日：2019-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 一种基于核壳纳米线的柔性偏振光探测器及制备方法，该柔性偏振光探测器包括柔性衬底；核壳纳米线，其位于柔性衬底上，作为柔性偏振光探测器的有源区；以及源电极和漏电极，两者均设置在柔性衬底上且分别设置在核壳纳米线的两端。本发明使用核壳异质结构的纳米线作为有源区，异质结构比普通纳米线在一定程度上提高了偏振比率，提高了柔性偏振探测器件的灵敏度；通过改变核部分和壳部分的厚度可以改变核壳纳米线的线偏振探测器的偏振光探测波长，达到测试波长可调节的效果；工艺上简单操作容易，进一步推动集成化发展。
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公开(公告)号：CN111430536B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010309260.2
申请日：2020-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用，该同质结磁阻器件包括硅层；二氧化硅层，其设置在硅层上，与硅层共同作为栅极和绝缘层；第一纳米片和第二纳米片，均设置在二氧化硅层上，第一纳米片和第二纳米片部分重叠，该重叠区域形成垂直结构，第一纳米片和第二纳米片均为过渡金属磁性原子掺杂非磁性二维半导体材料；以及源极和漏极，分别位于第一纳米片和第二纳米片之上。本发明中元素的掺杂是一种调控二维材料性质的有效手段，利用过渡金属原子对非磁性材料的掺杂从而在非磁性材料中引入磁性，这种方式为自旋电子学的发展提供了更多选择。
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公开(公告)号：CN110190154A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910495256.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种硫化锡单晶、其制备方法、准一维硫化锡纳米线、偏振光探测器及晶体管。该硫化锡单晶的制备方法包括：将硫粉和锡粉混合，得到混合物；将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到所述硫化锡单晶。本发明基于准一维硫化锡纳米线，制备的光电探测器由于高稳定性、高响应度、可探测多角度线偏振光等特点，具有广泛的应用前景；采用高温管式炉烧结即可简单直接地获得，得到的晶体结晶质量高，成本低，性能优异，能够大规模可重复地生产，对环境无污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113488552A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110779857.8
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种偏振光探测器及其制备方法，其中，该偏振光探测器包括：衬底；源电极和漏电极，设置于衬底上；一维硒硫化锑(Sb2(SxSe1‑x)3)合金纳米线，作为偏振光探测器的有源层，设置于衬底上的源电极和漏电极之间，其中，硒硫化锑(Sb2(SxSe1‑x)3)合金纳米线中组分比例可调节，x介于0～1之间。
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公开(公告)号：CN110190154B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910495256.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种硫化锡单晶、其制备方法、准一维硫化锡纳米线、偏振光探测器及晶体管。该硫化锡单晶的制备方法包括：将硫粉和锡粉混合，得到混合物；将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到所述硫化锡单晶。本发明基于准一维硫化锡纳米线，制备的光电探测器由于高稳定性、高响应度、可探测多角度线偏振光等特点，具有广泛的应用前景；采用高温管式炉烧结即可简单直接地获得，得到的晶体结晶质量高，成本低，性能优异，能够大规模可重复地生产，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN110459632B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910771937.1
申请日：2019-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 一种基于核壳纳米线的柔性偏振光探测器及制备方法，该柔性偏振光探测器包括柔性衬底；核壳纳米线，其位于柔性衬底上，作为柔性偏振光探测器的有源区；以及源电极和漏电极，两者均设置在柔性衬底上且分别设置在核壳纳米线的两端。本发明使用核壳异质结构的纳米线作为有源区，异质结构比普通纳米线在一定程度上提高了偏振比率，提高了柔性偏振探测器件的灵敏度；通过改变核部分和壳部分的厚度可以改变核壳纳米线的线偏振探测器的偏振光探测波长，达到测试波长可调节的效果；工艺上简单操作容易，进一步推动集成化发展。
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公开(公告)号：CN110416348B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910706871.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/032 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y20/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明提供了一种基于肖特基结的线偏振光探测器及其制备方法，属于光探测器的制备技术领域。所述基于肖特基结的线偏振光探测器，包括：漏电极、源电极、二氧化硅衬底以及有源层；所述漏电极、有源层以及源电极从左至右依次位于所述二氧化硅衬底上方；所述有源层的材料为N型半导体纳米线；所述漏电极和源电极的材料均为金属材料。本发明提供的基于肖特基结的线偏振光探测器，通过使用半导体纳米线作为有源层，而源、漏电极均为金属材料，使半导体和金属的交界面为肖特基结，肖特基结可以使有源层本身只能吸收可见光延伸至红外光。
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公开(公告)号：CN111430536A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010309260.2
申请日：2020-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用，该同质结磁阻器件包括硅层；二氧化硅层，其设置在硅层上，与硅层共同作为栅极和绝缘层；第一纳米片和第二纳米片，均设置在二氧化硅层上，第一纳米片和第二纳米片部分重叠，该重叠区域形成垂直结构，第一纳米片和第二纳米片均为过渡金属磁性原子掺杂非磁性二维半导体材料；以及源极和漏极，分别位于第一纳米片和第二纳米片之上。本发明中元素的掺杂是一种调控二维材料性质的有效手段，利用过渡金属原子对非磁性材料的掺杂从而在非磁性材料中引入磁性，这种方式为自旋电子学的发展提供了更多选择。
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