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公开(公告)号：CN110190154B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910495256.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种硫化锡单晶、其制备方法、准一维硫化锡纳米线、偏振光探测器及晶体管。该硫化锡单晶的制备方法包括：将硫粉和锡粉混合，得到混合物；将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到所述硫化锡单晶。本发明基于准一维硫化锡纳米线，制备的光电探测器由于高稳定性、高响应度、可探测多角度线偏振光等特点，具有广泛的应用前景；采用高温管式炉烧结即可简单直接地获得，得到的晶体结晶质量高，成本低，性能优异，能够大规模可重复地生产，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN109166963A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811019235.X
申请日：2018-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种二维多铁半导体材料及其制备方法，在二维半导体铁电材料硒化铟中引入磁性元素，制备了兼具铁磁性和铁电性的二维多铁半导体材料，其具有2H相的六方结构，具体地，以硒粉、铟粒和磁性元素的氯化物粉末为原料，通过化学气相输运法或化学气相沉积法进行制备。本发明获得的二维多铁半导体单晶材料为二维结构，层内由共价键结合，层间由范德瓦尔斯力结合，剥离后的纳米厚薄膜同时具备铁电性和铁磁性，可作为制备高密度存储器，电磁传感器和多功能晶体管等器件的潜在应用材料。
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公开(公告)号：CN109285945B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201810977621.3
申请日：2018-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于二维铁电半导体的非易失存储器，包括：衬底，柔性材料制备而成；石墨烯层，长条状，位于所述衬底上；二维半导体材料层，位于所述衬底和一部分石墨烯层之上；铁电薄膜，位于所述二维半导体材料层上；顶电极，位于铁电薄膜上；以及底电极，位于所述石墨烯层的一部分之上；所述非易失存储器的制备方法包括：先制备二维铁电单晶材料；在柔性衬底上制备石墨烯层；在所制备的石墨烯层上制备二维半导体材料层并利用所制备的铁电单晶材料制备铁电薄膜；以及制备顶电极和底电极，完成基于二维铁电半导体的非易失存储器的制备，以缓解现有技术中存储器进一步小型化后棘手的量子隧穿和散热困难等技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109166963B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201811019235.X
申请日：2018-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种二维多铁半导体材料及其制备方法，在二维半导体铁电材料硒化铟中引入磁性元素，制备了兼具铁磁性和铁电性的二维多铁半导体材料，其具有2H相的六方结构，具体地，以硒粉、铟粒和磁性元素的氯化物粉末为原料，通过化学气相输运法或化学气相沉积法进行制备。本发明获得的二维多铁半导体单晶材料为二维结构，层内由共价键结合，层间由范德瓦尔斯力结合，剥离后的纳米厚薄膜同时具备铁电性和铁磁性，可作为制备高密度存储器，电磁传感器和多功能晶体管等器件的潜在应用材料。
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公开(公告)号：CN110943128A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811106311.0
申请日：2018-09-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种二维MOSFET/MFIS多功能开关存储器件及其制备方法，制备出了全二维结构的集开关和存储特性为一体的纳米级多功能器件。其中MOSFET结构为掺杂Si，二氧化硅，二维半导体纳米片和源漏电极，实现开关功能；MFIS结构包括顶栅电极，二维铁电薄膜，立方氮化硼绝缘层薄片，二维薄层半导体纳米片和源漏电极，实现存储功能。以二维材料为沟道的场效应晶体管迁移率达到700cm2/Vs，开关比超过108；以二维铁电薄膜作为代替传统MFIS的铁电材料，突破了铁电薄膜的厚度限制，使其厚度降低至单原子层厚，约为1nm，通过施加在顶栅的电压大小，从而改变铁电薄膜的极化方向实现非易失信息存储。独特的二维MOSFET/MFIS结构，极大地提高了晶体管集成度和信息存储密度。
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公开(公告)号：CN109285945A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810977621.3
申请日：2018-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于二维铁电半导体的非易失存储器，包括：衬底，柔性材料制备而成；石墨烯层，长条状，位于所述衬底上；二维半导体材料层，位于所述衬底和一部分石墨烯层之上；铁电薄膜，位于所述二维半导体材料层上；顶电极，位于铁电薄膜上；以及底电极，位于所述石墨烯层的一部分之上；所述非易失存储器的制备方法包括：先制备二维铁电单晶材料；在柔性衬底上制备石墨烯层；在所制备的石墨烯层上制备二维半导体材料层并利用所制备的铁电单晶材料制备铁电薄膜；以及制备顶电极和底电极，完成基于二维铁电半导体的非易失存储器的制备，以缓解现有技术中存储器进一步小型化后棘手的量子隧穿和散热困难等技术问题。
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公开(公告)号：CN110943128B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201811106311.0
申请日：2018-09-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种二维MOSFET/MFIS多功能开关存储器件及其制备方法，制备出了全二维结构的集开关和存储特性为一体的纳米级多功能器件。其中MOSFET结构为掺杂Si，二氧化硅，二维半导体纳米片和源漏电极，实现开关功能；MFIS结构包括顶栅电极，二维铁电薄膜，立方氮化硼绝缘层薄片，二维薄层半导体纳米片和源漏电极，实现存储功能。以二维材料为沟道的场效应晶体管迁移率达到700cm2/Vs，开关比超过108；以二维铁电薄膜作为代替传统MFIS的铁电材料，突破了铁电薄膜的厚度限制，使其厚度降低至单原子层厚，约为1nm，通过施加在顶栅的电压大小，从而改变铁电薄膜的极化方向实现非易失信息存储。独特的二维MOSFET/MFIS结构，极大地提高了晶体管集成度和信息存储密度。
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公开(公告)号：CN110190154A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910495256.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种硫化锡单晶、其制备方法、准一维硫化锡纳米线、偏振光探测器及晶体管。该硫化锡单晶的制备方法包括：将硫粉和锡粉混合，得到混合物；将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到所述硫化锡单晶。本发明基于准一维硫化锡纳米线，制备的光电探测器由于高稳定性、高响应度、可探测多角度线偏振光等特点，具有广泛的应用前景；采用高温管式炉烧结即可简单直接地获得，得到的晶体结晶质量高，成本低，性能优异，能够大规模可重复地生产，对环境无污染。
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