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公开(公告)号：CN111430536A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010309260.2
申请日：2020-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用，该同质结磁阻器件包括硅层；二氧化硅层，其设置在硅层上，与硅层共同作为栅极和绝缘层；第一纳米片和第二纳米片，均设置在二氧化硅层上，第一纳米片和第二纳米片部分重叠，该重叠区域形成垂直结构，第一纳米片和第二纳米片均为过渡金属磁性原子掺杂非磁性二维半导体材料；以及源极和漏极，分别位于第一纳米片和第二纳米片之上。本发明中元素的掺杂是一种调控二维材料性质的有效手段，利用过渡金属原子对非磁性材料的掺杂从而在非磁性材料中引入磁性，这种方式为自旋电子学的发展提供了更多选择。
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公开(公告)号：CN111430536B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010309260.2
申请日：2020-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用，该同质结磁阻器件包括硅层；二氧化硅层，其设置在硅层上，与硅层共同作为栅极和绝缘层；第一纳米片和第二纳米片，均设置在二氧化硅层上，第一纳米片和第二纳米片部分重叠，该重叠区域形成垂直结构，第一纳米片和第二纳米片均为过渡金属磁性原子掺杂非磁性二维半导体材料；以及源极和漏极，分别位于第一纳米片和第二纳米片之上。本发明中元素的掺杂是一种调控二维材料性质的有效手段，利用过渡金属原子对非磁性材料的掺杂从而在非磁性材料中引入磁性，这种方式为自旋电子学的发展提供了更多选择。
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