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公开(公告)号：CN103197507A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310057280.5
申请日：2013-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。
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公开(公告)号：CN105655866A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610069089.6
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法，该太赫兹半导体激光器包括金属亚波长光栅层、半绝缘衬底层、高掺杂半导体层及结构相同的两个台面，两个台面由外延层深度腐蚀形成，其中一个作为该激光器的有源区结构，另一个作为下电极的支撑台面，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现。本发明基于有源区横向选区电镀辅助散热金属层和图形化热沉倒装焊结构，这种结构既能改善器件有源区的散热特性又能方便形成衬底面发射，从而提高太赫兹激光发射效率和光束质量。
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公开(公告)号：CN103197507B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310057280.5
申请日：2013-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103633559A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310652143.6
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器，包括：一高掺杂的接收衬底；一下金属波导光限制层，该下金属波导光限制层是由金属热键合形成，并位于接收衬底上；一下接触层，位于下金属波导光限制层上；一有源层，该有源层生长在下接触层上；一上接触层，该上接触层生长在该有源层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；一上金属层，该上金属层由电子束蒸发于上接触层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；其中，下金属层和下接触层构成下等离子体波导，上金属层和上接触层构成上等离子体波导，上下等离子体波导构成双面金属波导结构；所述下接触层、有源层、上接触层和上金属层被制作成环形结构，环形的有源层形成了环形谐振腔。
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公开(公告)号：CN106816805B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201510873247.9
申请日：2015-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种太赫兹量子级联激光器的液氮冷却系统及采用其的激光器，该液氮冷却系统包括：一液氮杜瓦瓶，所述液氮杜瓦瓶的内壳为“L”形结构；一管芯安装座，所述管芯安装座位于所述液氮杜瓦瓶内壳拐角一端的端部，与所述内壳为一体结构，且所述管芯安装座上设有一容纳所述激光器管芯热沉的凹槽和一方台，用于固定安装所述激光器管芯的热沉。本发明提供的液氮制冷工作太赫兹量子级联激光器的封装结构可以实现太赫兹量子级联激光器工作过程中的充分散热，实现器件在液氮温度下工作，同时利用光锥、透镜等光学元件充分收集出射光，并对光束进行整形，保证最终获得足够大的光功率和良好的光束质量。
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公开(公告)号：CN106816805A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510873247.9
申请日：2015-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种太赫兹量子级联激光器的液氮冷却系统及采用其的激光器，该液氮冷却系统包括：一液氮杜瓦瓶，所述液氮杜瓦瓶的内壳为“L”形结构；一管芯安装座，所述管芯安装座位于所述液氮杜瓦瓶内壳拐角一端的端部，与所述内壳为一体结构，且所述管芯安装座上设有一容纳所述激光器管芯热沉的凹槽和一方台，用于固定安装所述激光器管芯的热沉。本发明提供的液氮制冷工作太赫兹量子级联激光器的封装结构可以实现太赫兹量子级联激光器工作过程中的充分散热，实现器件在液氮温度下工作，同时利用光锥、透镜等光学元件充分收集出射光，并对光束进行整形，保证最终获得足够大的光功率和良好的光束质量。
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公开(公告)号：CN103633559B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310652143.6
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器，包括：一高掺杂的接收衬底；一下金属波导光限制层，该下金属波导光限制层是由金属热键合形成，并位于接收衬底上；一下接触层，位于下金属波导光限制层上；一有源层，该有源层生长在下接触层上；一上接触层，该上接触层生长在该有源层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；一上金属层，该上金属层由电子束蒸发于上接触层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；其中，下金属层和下接触层构成下等离子体波导，上金属层和上接触层构成上等离子体波导，上下等离子体波导构成双面金属波导结构；所述下接触层、有源层、上接触层和上金属层被制作成环形结构，环形的有源层形成了环形谐振腔。
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公开(公告)号：CN105655866B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610069089.6
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法，该太赫兹半导体激光器包括金属亚波长光栅层、半绝缘衬底层、高掺杂半导体层及结构相同的两个台面，两个台面由外延层深度腐蚀形成，其中一个作为该激光器的有源区结构，另一个作为下电极的支撑台面，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现。本发明基于有源区横向选区电镀辅助散热金属层和图形化热沉倒装焊结构，这种结构既能改善器件有源区的散热特性又能方便形成衬底面发射，从而提高太赫兹激光发射效率和光束质量。
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