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公开(公告)号：CN112670160B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011533170.8
申请日：2020-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种分子束外延兼容的二维材料衬底的制备方法，该制备方法包括制备第一过渡转移片；将二维材料放置在两个第一过渡转移片中间，其中，两个第一过渡转移片的金属薄膜层均与二维材料接触；加热第一过渡转移片，使部分二维材料融化嵌入金属薄膜层中，冷却后将两个第一过渡转移片分离，得到附有二维材料的第二过渡转移片；将第二过渡转移片附有二维材料的一面与待转移的衬底接触；加热衬底使二维材料附着在衬底上，降温后将第二过渡转移片与衬底分离，得到附有二维材料的衬底。本发明所述方法无需使用胶带等有机粘性物质，即可实现二维材料的解理、减薄、并转移至常规分子束外延衬底，所得衬底晶体质量高、无污染，超高真空兼容。
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公开(公告)号：CN114836827A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210477996.X
申请日：2022-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种量子点制备方法，包括：采用二维材料制备二维材料衬底；将二维材料衬底置于生长腔中，升高生长腔的温度使二维材料衬底处于第一预设温度；通过分子束外延束源炉将原材料以预设密度的束流喷射至二维材料衬底的表面，使反应物以范德华外延模式在二维材料衬底的表面依次经过吸附、脱附、迁移、成核、长大的动力学反应过程以生长量子点。该方法以二维材料为衬底生长量子点，不需要特定晶格匹配条件，甚至在晶格对称性不一样的情况下，也能够实现量子点的生长。
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公开(公告)号：CN112670160A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011533170.8
申请日：2020-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种分子束外延兼容的二维材料衬底的制备方法，该制备方法包括制备第一过渡转移片；将二维材料放置在两个第一过渡转移片中间，其中，两个第一过渡转移片的金属薄膜层均与二维材料接触；加热第一过渡转移片，使部分二维材料融化嵌入金属薄膜层中，冷却后将两个第一过渡转移片分离，得到附有二维材料的第二过渡转移片；将第二过渡转移片附有二维材料的一面与待转移的衬底接触；加热衬底使二维材料附着在衬底上，降温后将第二过渡转移片与衬底分离，得到附有二维材料的衬底。本发明所述方法无需使用胶带等有机粘性物质，即可实现二维材料的解理、减薄、并转移至常规分子束外延衬底，所得衬底晶体质量高、无污染，超高真空兼容。
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公开(公告)号：CN112636177B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011513402.3
申请日：2020-12-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种改善大功率太赫兹半导体激光器散热的封装结构，该封装结构包括：热沉；第一金属层；第二金属层；次级热沉其上设有倒梯形凹槽；太赫兹半导体激光器，包括衬底；第二掺杂层；呈梯形结构的有源区；第一掺杂层，作为激光器负电极的电注入接触层；欧姆接触层，用于实现负电极与第一掺杂层的欧姆接触；金属波导层；绝缘层，用于防止有源区与负电极间短路；电镀金层，作为次级热沉的散热层；电极层；第三金属层；以及连接块，顶部第四金属层与负电极相连。本发明采用半绝缘砷化镓作为次级热沉，其低温下具备很高的热导率，与激光器的有源区材料不存在热失配，且次级热沉为激光器提供高效的散热通道，实现太赫兹半导体激光器高功率工作。
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公开(公告)号：CN112636177A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011513402.3
申请日：2020-12-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种改善大功率太赫兹半导体激光器散热的封装结构，该封装结构包括：热沉；第一金属层；第二金属层；次级热沉其上设有倒梯形凹槽；太赫兹半导体激光器，包括衬底；第二掺杂层；呈梯形结构的有源区；第一掺杂层，作为激光器负电极的电注入接触层；欧姆接触层，用于实现负电极与第一掺杂层的欧姆接触；金属波导层；绝缘层，用于防止有源区与负电极间短路；电镀金层，作为次级热沉的散热层；电极层；第三金属层；以及连接块，顶部第四金属层与负电极相连。本发明采用半绝缘砷化镓作为次级热沉，其低温下具备很高的热导率，与激光器的有源区材料不存在热失配，且次级热沉为激光器提供高效的散热通道，实现太赫兹半导体激光器高功率工作。
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