公开(公告)号：CN115072671A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202110274145.0

申请日：2021-03-15

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 满娜 ,  熊成龙 ,  刘国强 ,  谈小建 ,  蒋俊

IPC: C01B19/00 ,  C04B35/515 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 本申请公开了一种锗铋碲基热电材料及其制备方法，所述锗铋碲基热电材料包括化学式GeAxBi2‑xTe4的化合物。本申请通过改变A、Bi的掺杂比例，特别是在掺杂Sb元素后，改变Bi和Sb的比例，能有效调控材料的载流子浓度，达到最佳范围，获得较大的功率因子。且得到的锗铋碲基热电材料为组织和性能分布均匀的单一相。

公开(公告)号：CN115072671B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202110274145.0

申请日：2021-03-15

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 满娜 ,  熊成龙 ,  刘国强 ,  谈小建 ,  蒋俊

IPC: C01B19/00 ,  C04B35/515 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  H10N10/852 ,  H10N10/01

Abstract: 本申请公开了一种锗铋碲基热电材料及其制备方法，所述锗铋碲基热电材料包括化学式GeAxBi2‑xTe4的化合物。本申请通过改变A、Bi的掺杂比例，特别是在掺杂Sb元素后，改变Bi和Sb的比例，能有效调控材料的载流子浓度，达到最佳范围，获得较大的功率因子。且得到的锗铋碲基热电材料为组织和性能分布均匀的单一相。