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发明公开
一种基于半导体制冷的制冰装置及真冰滑冰场无效

公开(公告)号：CN113803920A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010557097.1

申请日：2020-06-17

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 肖昱琨 , 蒋俊 , 胡皓阳 , 陈燕青 , 孙鹏 , 刘泽华 , 尹亦农

IPC: F25C1/00 , F25B21/02 , F25C3/02

Abstract: 本申请公开了一种基于半导体制冷的制冰装置及真冰滑冰场，属于半导体制冷技术领域，能够解决现有传统滑冰场结冰速度慢、成本高，且对环境造成损害的问题。所述制冰装置包括：载冰单元和设置在载冰单元底部的至少一个制冷单元，载冰单元用于容置制冰用水；制冷单元包括半导体制冷片和水冷子单元；半导体制冷片包括相对设置的冷面和热面，冷面与载冰单元的底面紧贴，热面与水冷子单元紧贴；水冷子单元用于带走热面上的热量；制冰装置还包括电源控制单元，电源控制单元用于向半导体制冷片供电，以控制半导体制冷片制冷。本申请用于滑冰场制冰。

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