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公开(公告)号：CN117126664A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311007686.2
申请日：2023-08-11
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C09K11/67 , G01N23/2251 , G01N21/64
摘要： 本发明提出了一种零维Cs2ZrCl6:Bi金属卤化物、柔性闪烁体屏及制备方法和应用，采用简易的溶液法制备Cs2ZrCl6:Bi纳米闪烁体，化学产率高达Bi3+后不仅获得了90％82，利于工业化生产％的高荧光量子产额；零维Cs，同时还提高了金属2ZrCl6晶格中引入卤化物Cs2ZrCl6:Bi的光产额和稳定性，并将其衰减寿命缩短至纳秒量级；将Cs2ZrCl6:Bi和PDMS混合制备成柔性闪烁体屏，实现较低的检测限值65nGyair/s、较高的光产额值45000ph./MeV，其X‑ray成像实现了较高的空间分辨率12.5lp/mm，在柔性X‑ray闪烁体成像领域具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113979465A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111384842.8
申请日：2021-11-22
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明公开了一种基于稀土基卤化物纳米晶的合成方法，属于光电技术领域，所述一种基于稀土基卤化物纳米晶的合成方法包括将3mmol的Cs2CO3、3mL的油酸和20mL的十八烯装入50mL三颈圆底烧瓶中，将烧瓶在真空和100℃的温度下进行脱气处理，将溶液在N2条件下加热至一定温度，直到所有Cs2CO3溶解，将1mmol的TmCl3·6H2O、1mL的油酸和2mL的油胺装入具有5mL的十八烯的50mL三颈圆底烧瓶中，将混合溶液进行脱气处理并在120℃进行真空搅拌操作，将烧瓶进行加热处理，在达到一定温度后，注入1‑3mL油酸铯溶液，待反应1‑5分钟后，通过在冰水浴中冷却烧瓶来淬灭所获得的粗溶液，对获得的粗溶液进行两轮离心过程，获得胶体Cs3TmCl6纳米晶，具有高效制备、灵活应用和简便实用的优点。
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公开(公告)号：CN111341860A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010209651.7
申请日：2020-03-23
申请人： 郑州大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于提供一种基于一维CsCu2I3微米线的偏振紫外光探测器及其制备方法，制备出高性能、环境友好型的偏振紫外光探测器。所述探测器，包括绝缘衬底，绝缘衬底上依次设有叉指电极以及CsCu2I3微米线。本发明一方面利用CsCu2I3微米线外部一维形态以及材料较大的带隙实现对紫外光的偏振探测，另一方面利用材料本身结构的各向异性进一步加强了器件对偏振光的响应，有望获得较大的光电流各向异性比。而且，材料本身稳定、环保无毒的特征也克服了传统铅卤化物钙钛矿材料的不足，从而为高效、稳定、环境友好的偏振紫外光探测器的设计与制备提供了可行的方案。
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公开(公告)号：CN107179337B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201710375959.7
申请日：2017-05-25
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明公开了一种二维二硫化钼纳米薄膜与硅纳米线阵列构成的湿度传感器的制备及其湿度传感性能，该器件由硅片、硅纳米线阵列、二维二硫化钼纳米薄膜、金属电极一和金属电极二等五部分构成。本发明的二维二硫化钼纳米薄膜/硅纳米线阵列湿度传感器中二硫化钼薄膜和硅纳米线均具有非常高的比表面积和面积体积比，因此二硫化钼薄膜和硅纳米线表面均可以吸附水分子，从而使制作的湿度传感器对不同的湿度具有对高灵敏、快速响应、稳定的特性；同时此湿度传感器可以工作在正向电压下和负向电压下，因此具有双模工作模式。
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公开(公告)号：CN109449242A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811336880.4
申请日：2018-11-12
申请人： 郑州大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y15/00
CPC分类号： H01L31/109 , B82Y15/00 , H01L31/0336 , H01L31/1896
摘要： 本发明公开了基于二维二硒化铂纳米薄膜与碲化镉晶体的异质结型近红外光电探测器及其制备方法，是在碲化镉晶体表面平铺有二维二硒化铂纳米薄膜，在二维二硒化铂纳米薄膜和碲化镉晶体上分别设置有与其呈欧姆接触的金属电极，碲化镉与二硒化铂形成异质结、两金属电极作为两输出级，即构筑成为异质结型近红外光电探测器。本发明的异质结型近红外光电探测器，制备工艺简单，在室温下实现了宽响应波段、高响应度、高探测率和快响应速度，为高性能红外探测器的设计提供了一种途径。
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公开(公告)号：CN118062883A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410178950.7
申请日：2024-02-17
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明涉及发光二极管器件中的发光薄膜领域，硫化物钙钛矿虽然具有高稳定性、良好导电性、适宜稀土发光离子掺杂而发光等优势，但是存在稀土掺杂的硫化物钙钛矿薄膜制备困难等问题。本发明公开了一种SrHfS3掺Eu发光薄膜及其制备方法，包括以下步骤：通过硫化获得EuS粉末，烧结为EuS靶材；基于SrHfO3靶材和EuS靶材进行共溅射获得前驱体薄膜；对前驱体薄膜进行硫化处理获得SrHfS3掺Eu薄膜。本制备方法操作简单，利用还原性气氛获得了二价Eu离子，借助溅射优势实现了Eu离子在硫化物钙钛矿中的高效掺杂。所获得的SrHfS3掺Eu发光薄膜展现出良好的结晶性和发光特性，有希望作为发光层应用于新型发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN117820689A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311704361.X
申请日：2023-12-12
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明属于手性材料及新型纳米光电子材料制备技术领域，更具体地，涉及一种提升手性钙钛矿量子点圆偏振发光性能的方法。利用含有苯环的手性卤化胺作为手性配体，通过热注入法合成出高质量的手性钙钛矿量子点；然后将手性钙钛矿量子点与PDMS均匀混合，制成薄膜。该方法的优点在于，PDMS不仅能与含有苯环的手性卤化胺形成偶极相互作用，提升手性配体与钙钛矿量子点偶极电子跃迁之间的库伦相互作用，从而增强量子点的圆偏振发光性能；且PDMS分子中氧原子上的孤对电子能够钝化钙钛矿量子点表面的未配位的二价铅离子相关缺陷，进一步提高了量子点的发光效率和稳定性。该方法为手性钙钛矿量子点的圆偏振发光应用提供了一种简单、高效、可控的制备途径。
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公开(公告)号：CN115108575B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202110303979.X
申请日：2021-03-22
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明提出了一种零维Cs2CuCl4纳米晶、绿光LED及其制备方法，零维Cs2CuCl4纳米晶采用高温热注入法制备，将碳酸铯、油酸和十八烯混合并加热到100℃，在氮气下维持2小时，获得油酸铯前驱液；将氯化铜、十八烯、油酸和油胺混合并加热到100℃，在氮气下维持2小时，去除混合物中的水分；随后在100℃下，向混合物中快速注入油酸铯前驱液，在反应5分钟后使用冰水浴将其快速冷却，将冷却后的溶液进行离心提纯；将Cs2CuCl4纳米晶作为发光层，制备绿光LED。本发明制备的Cs2CuCl4纳米晶尺寸均匀，荧光量子产率高达90％，绿光LED在大气环境下连续稳定的工作，在8伏驱动电压下工作寿命达到9.7小时。
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公开(公告)号：CN115074667B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210773468.9
申请日：2022-07-01
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明涉及薄膜材料制备技术领域，为了解决现有的制备SrHfS3薄膜的方法存在制备所得的SrHfS3薄膜结晶性和稳定性不佳的问题，公开了一种高迁移率p型SrHfS3薄膜及其制备方法，所述一种高迁移率p型SrHfS3薄膜的制备方法，包括以下步骤：基于SrHfO3靶材通过磁控溅射沉积获得前驱体薄膜；对前驱体薄膜进行硫化处理得到SrHfS3薄膜。本发明成本低，操作简单；所获得SrHfS3薄膜具有良好结晶性、稳定性。SrHfS3特殊的畸变钙钛矿结构赋予了该材料较高的迁移率、良好的光吸收特性，此外考虑到该材料为环境友好的无铅钙钛矿材料，更有希望应用于新型光电器件。
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公开(公告)号：CN115247280A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110459425.9
申请日：2021-04-27
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C30B29/12 , C30B25/16 , C30B25/18 , H01L31/032
摘要： 本发明提供了一种铜基卤化物Cs3Cu2I5微尺度单晶及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对衬底清洗处理；按照摩尔比1.25：1配制CsI、CuI的混合粉末；将处理好的衬底和配制好的混合粉末分别放置于双温区管式炉的低温区和高温区中心处，衬底倾斜放置，且衬底的上表面面向高温区方向；通入载气，高温区采用梯度升温的方式；低温区采用匀速升温的方式；高温区和低温区保温结束后，升高低温区的温度进行高温退火处理，制得铜基卤化物Cs3Cu2I5微尺度单晶。本发明实现了不同厚度、形貌、结晶度的Cs3Cu2I5微尺度单晶的可控制备，样品形貌规则，结晶性好，稳定性较高，满足新型光电器件的应用需求。
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