公开(公告)号：CN107749434A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201710948702.6

申请日：2017-10-12

Applicant: 黄晓敏

Inventor： 黄晓敏

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336

CPC classification number: H01L31/109 ,  H01L31/0336

Abstract: 本发明提供一种石墨烯基光电探测器，包括硅基板、硫掺杂石墨烯层以及硫掺杂石墨烯层上的铜铟镓硒硫功能层，是一种新的材料和材料之间的配合方式下形成的光电探测器，通过硫掺杂石墨烯层结合成分渐变的铜铟镓硒硫功能层，给出了一种新结构的石墨烯基光电探测器。

公开(公告)号：CN107615495A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680031131.3

申请日：2016-05-25

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  栗岛贤二 ,  松尾慎治 ,  松崎秀昭

IPC: H01L31/107 ,  G02B6/12

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/035272

Abstract: 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。

公开(公告)号：CN104541379B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201380042578.7

申请日：2013-06-21

Applicant: 埃皮沃克斯股份有限公司

Inventor： D.阿马里 ,  S.莱姆 ,  S.雷 ,  D.福布斯

IPC: H01L31/065 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了多结太阳能电池及其装置的制造。该结构还适于提供更加均匀和一致的太阳能电池结构制造，从而改善产率并降低成本。某些太阳能电池还可包括在一个或多个半导体层中的一个或多个半导体元素的一个或多个成分梯度，从而产生更加优化的太阳能电池装置。

公开(公告)号：CN107123697A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710439210.4

申请日：2017-06-12

Applicant: 广东爱康太阳能科技有限公司

Inventor： 吴波 ,  秦崇德 ,  周文远 ,  方结彬

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0336

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0336

Abstract: 本发明公开一种硅基高效太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括单晶硅P型电池、键合层和GaInP薄膜电池，所述GaInP薄膜电池通过键合层键合到单晶硅P型电池的正面；采用GaAs或Ge作为支撑衬底，通过MOCVD或MBE生长与GaAs晶格匹配的GaInP薄膜电池，键合到单晶硅P型电池上，剥离生长的GaInP薄膜电池，即得所述硅基高效太阳能电池。本发明通过点阵键合技术和隧道结技术可以实现多层电池的串联，从而通过提升电池开路电压来提升整个叠层电池的转换效率；且采用Si作为硅基电池的支撑基底大大提升了电池的机械性能。

公开(公告)号：CN107104166A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710302712.2

申请日：2017-05-03

Applicant: 常州大学怀德学院

Inventor： 何祖明 ,  黄正逸 ,  唐斌 ,  江兴方 ,  伊聪

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0336

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/035227

Abstract: 本发明公开了一种ZnO/NiFe2O4纳米阵列复合异质结材料,采用以下步骤制备：1)、NiFe2O4凝胶的制备；2)、将ZnO纳米棒阵列安装在镀膜机上，镀膜机的旋转速度为1200转/min，把NiFe2O4凝胶滴加到ZnO纳米棒阵列，180℃燥30分钟，将NiFe2O4凝胶循环重复滴加至ZnO纳米棒阵列中，至NiFe2O4自下而上充分填充到ZnO纳米棒阵列的空隙中，NiFe2O4薄膜将ZnO纳米棒的全面包覆，经过热处理形成ZnO/NiFe2O4复合纳米异质结。同时公开了一种太阳能电池，依次包括：ITO或FTO导电玻璃基底、ZnO晶种层、ZnO纳米棒阵列、NiFe2O4薄膜、金属电极或导电氧化物电极和ITO或FTO导电玻璃基底。该电池成本低，制备简单，电池性能好。

公开(公告)号：CN106981537A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710216884.8

申请日：2017-04-05

Applicant: 南昌大学

Inventor： 高超 ,  周浪 ,  黄海宾 ,  岳之浩

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/0336

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0336

Abstract: 一种应用于晶体硅太阳电池的Si/TiOx结构，在晶体硅表面之上为一层钝化TiOx层，钝化TiOx层之上为一层n‑TiOx层，形成晶体硅‑钝化TiOx层‑n‑TiOx层结构。该结构使用双层TiOx与晶体硅形成异质结。其中，内层的钝化TiOx可对硅片表面形成良好钝化，而外层的n‑TiOx层为掺杂浓度较高的TiOx，可使异质结内部形成较强的内建电场。采用这种结构的晶体硅太阳电池可同时实现较高的开路电压和短路电流。可使硅太阳电池具有较高的光电转换效率。

公开(公告)号：CN106784068A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611130595.8

申请日：2016-12-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 孙恒超 ,  贾锐 ,  陶科 ,  戴小宛 ,  金智 ,  刘新宇

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/074 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括：背面电极；砷化镓外延片；窗口层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置；还包括石墨烯层，所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域，与窗口层接触；还包括减反层，所述减反层设置于所述石墨烯层远离窗口层的表面。本发明中，石墨烯作为一种透明导电材料应用于砷化镓太阳电池中，进一步提高了砷化镓太阳电池的转化效率，更远高于石墨烯/砷化镓肖特基结太阳电池。且本发明的太阳电池制备成本低，工艺简单，有利于产业化应用。

公开(公告)号：CN105449015A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510790881.6

申请日：2015-11-16

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 尹以安 ,  刘力 ,  章勇 ,  张琪伦

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了微纳金字塔硅/InGaN杂合pn结太阳能电池及其制法。所述太阳能电池由P电极、p-Si、n-InGaN、N电极依次层叠构成，采用垂直电极电导结构，其中的异质结结构采用p-Si/n-InGaN杂合pn结，在p-Si/n-InGaN接触界面处的p-Si表面处理成微纳金字塔结构。本发明可大幅度地提高InGaN太阳能电池器件的光电转换效率；有效解决了载流子输运和电极吸收问题，同时采用p-Si替代高In组分的p-InGaN，从根本上避开了InGaN的p型掺杂瓶颈问题，p-Si表面生长出形状可控的微纳金字塔阵列，大大提高了太阳能电池的吸光能力，有效提高了太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN102157615B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201110031128.0

申请日：2011-01-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 河野哲夫 ,  小池理士

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/228

CPC classification number: H01L31/0336 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种光电转换元件的制造方法。所公开的方法是一种具有形成于基板上的多层结构的光电转换元件(1)的制造方法，所述多层结构包括下电极(20)、由化合物半导体层制得的光电转换层(30)、由化合物半导体层制得的n型缓冲层(40)、和透明导电层(60)。制备作为含有n型掺杂元素；氨和铵盐中的至少一种；和硫脲的水溶液的反应液；通过将包括光电转换层(30)的基板(10)浸入温度被控制到20℃～45℃的反应液(90)中来将n型掺杂物扩散至光电转换层(30)中；和通过将经历了所述扩散步骤的包括光电转换层(30)的基板(10)浸入温度被控制到70℃～95℃的反应液(90)中来将缓冲层(40)沉积在光电转换层(30)上。

公开(公告)号：CN101809755B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200880108464.7

申请日：2008-09-18

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 卡斯拉·哈泽尼 ,  马尼什·科塔里 ,  徐刚

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/056 ,  G02B5/28

CPC classification number: H01L31/0527 ,  G02B5/284 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/056 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 某些实施例包括经干涉调谐的光伏电池(2100)，其中来自分层式光伏装置的界面的反射相干地总计，以在所述光伏电池(2100)的将光能转换成电能的有源区域中产生增加的场。此类经干涉调谐或干涉式光伏装置(iPV)增加所述干涉式光伏电池(2100)的所述有源区域(2101)中对光能的吸收且借此增加所述装置的效率。在各种实施例中，在所述光伏装置(2100)中包括一个或一个以上光学谐振腔(2110)和/或光学谐振层以增加所述有源区域(2101)中的电场集中和所述吸收。