公开(公告)号：CN107615495B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201680031131.3

申请日：2016-05-25

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  栗岛贤二 ,  松尾慎治 ,  松崎秀昭

IPC: H01L31/107 ,  G02B6/12

Abstract: 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。

公开(公告)号：CN107615495A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680031131.3

申请日：2016-05-25

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  栗岛贤二 ,  松尾慎治 ,  松崎秀昭

IPC: H01L31/107 ,  G02B6/12

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/035272

Abstract: 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。

公开(公告)号：CN100463121C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200580000417.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 小田康裕 ,  栗岛贤二 ,  横山春喜 ,  小林隆

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: 重掺杂了硅(Si)的n型InP副集电极层2、InP集电极层3、重掺杂了碳(C)的p型GaAs(0.51)Sb(0.49)基极层4、掺杂了Si的n型In(1-y)Al(y)P发射极层7、重掺杂了Si的n型InP盖帽层8、以及重掺杂了Si的n型In(0.53)Ga(0.47)As接触层9堆叠在InP衬底1上。

公开(公告)号：CN1965398A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200580000417.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 小田康裕 ,  栗岛贤二 ,  横山春喜 ,  小林隆

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

Abstract: 重掺杂了硅(Si)的n型InP副集电极层2、InP集电极层3、重掺杂了碳(C)的p型GaAs(0.51)Sb(0.49)基极层4、掺杂了Si的n型In(1－y)Al(y)P发射极层7、重掺杂了Si的n型InP盖帽层8、以及重掺杂了Si的n型In(0.53)Ga(0.47)As接触层9堆叠在InP衬底1上。