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公开(公告)号：CN111052405A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880056887.2
申请日：2018-08-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 根据本发明，在生长衬底(101)上形成n型半导体层(102)、倍增层(103)、电场控制层(104)、光吸收层(105)和p型半导体层(106)，然后将p型半导体层(106)粘合到转移衬底(107)上。之后，去除生长衬底(101)，并且将n型半导体层(102)加工为具有比倍增层(103)的面积小的面积。
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公开(公告)号：CN111819743A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017585.9
申请日：2019-02-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。
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公开(公告)号：CN109075219B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201780024438.5
申请日：2017-04-14
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107 , G02B6/12
Abstract: 一种光波导集成光接收元件设置有光波导(105)，该光波导设置在第二接触层(102)的与设置有光吸收层(103)的一侧相反的一侧上，并且该光波导与第二接触层(102)光学耦合并具有与光吸收层(103)的平面平行的波导方向。第二接触层(102)在平面图中具有比光吸收层(103)的面积小的面积，并且设置在光吸收层(103)的内侧。
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公开(公告)号：CN107615495B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201680031131.3
申请日：2016-05-25
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107 , G02B6/12
Abstract: 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004734A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066179.3
申请日：2015-11-27
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/022416 , H01L31/035281
Abstract: 为了在不牺牲光接收灵敏度和高速度的情况下获得高线性度，雪崩光电二极管包括形成在第一光吸收层(102)上的雪崩层(103)、形成在雪崩层(103)上的n场控制层(104)以及形成在场控制层(104)上的第二光吸收层(105)。如果施加反向偏置电压，则场控制层(104)中的施主杂质离化，并且在雪崩层(103)中诱发高电场。场控制层(104)中的n型掺杂量设置为使得第二光吸收层(105)中的杂质浓度在反向偏置施加时充分耗尽。
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公开(公告)号：CN109075219A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024438.5
申请日：2017-04-14
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107 , G02B6/12
Abstract: 一种光波导集成光接收元件设置有光波导(105)，该光波导设置在第二接触层(102)的与设置有光吸收层(103)的一侧相反的一侧上，并且该光波导与第二接触层(102)光学耦合并具有与光吸收层(103)的平面平行的波导方向。第二接触层(102)在平面图中具有比光吸收层(103)的面积小的面积，并且设置在光吸收层(103)的内侧。
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公开(公告)号：CN107615495A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680031131.3
申请日：2016-05-25
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107 , G02B6/12
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/02327 , H01L31/0304 , H01L31/0336 , H01L31/035272
Abstract: 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。
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公开(公告)号：CN111819743B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201980017585.9
申请日：2019-02-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 一种半导体光集成元件的制造方法，在半导体光集成元件(AXEL)的进一步高输出化中，不追加检查工序，防止制造成本的增大。所述半导体光集成元件的制造方法由以下步骤构成：DFB激光器、EA调制器以及SOA被单片集成到同一基板上，使光轴方向一致地二维排列多个在光出射方向上按所述DFB激光器、所述EA调制器以及所述SOA的顺序配置的半导体光集成元件，从而形成半导体晶片的步骤；以与光出射方向正交的面劈开所述半导体晶片，形成多个所述半导体光集成元件在与光出射方向正交的方向一维排列并且邻接的所述半导体光集成元件共用同一劈开端面作为光出射面的半导体条的步骤；经由将所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极电连接的连接布线部进行通电驱动来检查所述半导体条的所述各半导体光集成元件的步骤；以及在检查后，在与邻接的半导体光集成元件的边界线分离所述半导体条的所述各半导体光集成元件，由此将连接所述SOA的电极与所述DFB激光器的电极的所述连接布线部切断，从而进行电分离的步骤。
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公开(公告)号：CN111052405B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201880056887.2
申请日：2018-08-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 根据本发明，在生长衬底(101)上形成n型半导体层(102)、倍增层(103)、电场控制层(104)、光吸收层(105)和p型半导体层(106)，然后将p型半导体层(106)粘合到转移衬底(107)上。之后，去除生长衬底(101)，并且将n型半导体层(102)加工为具有比倍增层(103)的面积小的面积。
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